[go: nahoru, domu]

Vés al contingut

Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica): diferència entre les revisions

De la Viquipèdia, l'enciclopèdia lliure
Contingut suprimit Contingut afegit
m Gestió de l'entitat NBSP
m Gestió de l'entitat nbsp
 
(4 revisions intermèdies per 3 usuaris que no es mostren)
Línia 1: Línia 1:
[[Fitxer:EUV_photoelectrons_and_secondaries.jpeg|miniatura|410x410px|Fig.1 Mecanisme de fotolitografia EUV : llínies en vermell (radiació ultraviolada) que és absorbida per la capa de substracte (zona groga i marró)
[[Fitxer:EUV_photoelectrons_and_secondaries.jpeg|miniatura|410x410px|Fig.1 Mecanisme de fotolitografia EUV : llínies en vermell (radiació ultraviolada) que és absorbida per la capa de substracte (zona groga i marró)]]

]]
[[Fitxer:Lithographie EUV.jpg|miniatura|411x411px|Fig.2 Mecansme d'EUVL : fonts de radiació, màscara a gravar, òptiques reflectives i substracte objectiu.]]
[[Fitxer:Lithographie EUV.jpg|miniatura|411x411px|Fig.2 Mecansme d'EUVL : fonts de radiació, màscara a gravar, òptiques reflectives i substracte objectiu.]]
'''Fotolitografia ultraviolada extrema''' (també coneguda per ''EUV'' o&nbsp;''EUVL''), en&nbsp;[[electrònica]], és una tecnologia de [[Fotolitografia (electrònica)|fotolitografia]] de pròxima generació que empra llum [[longitud d'ona]] d'[[ultraviolat extrem]] ([[radiació ultraviolada]] d'alta&nbsp;[[energia]]) de 13,5 nm. La tecnologia EUVL està en fase de desenvolupament i estarà en producció massiva cap al 2020. EUVL és necessària per a continuar augmentant la densitat de transistors segons la [[llei de Moore]].<ref>{{Ref-web|url=https://www.slideshare.net/sumang89/extreme-ultraviolet-lithography-ppt?qid=6a5405e8-cbd9-4d87-8c3e-dc026de38b49&v=&b=&from_search=1|títol=Extreme ultraviolet lithography|consulta=17/11/2017|llengua=anglès|editor=https://www.slideshare.ne}}</ref><ref>{{Ref-publicació|article=What is extreme ultraviolet lithography (EUVL)? - Definition from WhatIs.com|publicació=WhatIs.com|llengua=anglès|url=http://whatis.techtarget.com/definition/extreme-ultraviolet-lithography-EUVL|data=20/11/2017}}</ref><ref>{{Ref-publicació|cognom=Shilov|nom=Anton|article=EUV Lithography Makes Good Progress, Still Not Ready for Prime Time|publicació=https://www.anandtech.com|url=https://www.anandtech.com/show/10097/euv-lithography-makes-good-progress-still-not-ready-for-prime-time|data=20/11/2017}}</ref><ref>{{Ref-publicació|article=At ASML, Orders Pile Up for Extreme Ultraviolet Lithography|publicació=Electronic Design|url=http://www.electronicdesign.com/embedded-revolution/asml-orders-pile-extreme-ultraviolet-lithography|data=2017-07-24}}</ref>
'''Fotolitografia ultraviolada extrema''' (també coneguda per ''EUV'' o ''EUVL''), en [[electrònica]], és una tecnologia de [[Fotolitografia (electrònica)|fotolitografia]] de pròxima generació que empra llum [[longitud d'ona]] d'[[ultraviolat extrem]] ([[radiació ultraviolada]] d'alta [[energia]]) de 13,5 nm. La tecnologia EUVL està en fase de desenvolupament i estarà en producció massiva cap al 2020. EUVL és necessària per a continuar augmentant la densitat de transistors segons la [[llei de Moore]].<ref>{{Ref-web|url=https://www.slideshare.net/sumang89/extreme-ultraviolet-lithography-ppt?qid=6a5405e8-cbd9-4d87-8c3e-dc026de38b49&v=&b=&from_search=1|títol=Extreme ultraviolet lithography|consulta=17/11/2017|llengua=anglès|editor=https://www.slideshare.ne}}</ref><ref>{{Ref-publicació|article=What is extreme ultraviolet lithography (EUVL)? - Definition from WhatIs.com|publicació=WhatIs.com|llengua=anglès|url=http://whatis.techtarget.com/definition/extreme-ultraviolet-lithography-EUVL|data=20/11/2017}}</ref><ref>{{Ref-publicació|cognom=Shilov|nom=Anton|article=EUV Lithography Makes Good Progress, Still Not Ready for Prime Time|publicació=https://www.anandtech.com|url=https://www.anandtech.com/show/10097/euv-lithography-makes-good-progress-still-not-ready-for-prime-time|data=20/11/2017}}</ref><ref>{{Ref-publicació|article=At ASML, Orders Pile Up for Extreme Ultraviolet Lithography|publicació=Electronic Design|url=http://www.electronicdesign.com/embedded-revolution/asml-orders-pile-extreme-ultraviolet-lithography|data=2017-07-24}}</ref>


== Característiques ==
== Característiques ==
Línia 14: Línia 12:


== Referències ==
== Referències ==
{{Referències}}

[[Categoria:Microelectrònica]]
[[Categoria:Microelectrònica]]
[[Categoria:Semiconductors]]
[[Categoria:Semiconductors]]

{{Referències}}

Revisió de 23:43, 26 des 2023

Fig.1 Mecanisme de fotolitografia EUV : llínies en vermell (radiació ultraviolada) que és absorbida per la capa de substracte (zona groga i marró)
Fig.2 Mecansme d'EUVL : fonts de radiació, màscara a gravar, òptiques reflectives i substracte objectiu.

Fotolitografia ultraviolada extrema (també coneguda per EUV o EUVL), en electrònica, és una tecnologia de fotolitografia de pròxima generació que empra llum longitud d'ona d'ultraviolat extrem (radiació ultraviolada d'alta energia) de 13,5 nm. La tecnologia EUVL està en fase de desenvolupament i estarà en producció massiva cap al 2020. EUVL és necessària per a continuar augmentant la densitat de transistors segons la llei de Moore.[1][2][3][4]

Característiques

[modifica]
  • Longitud d'ona de 13,5 nm, però tots els sòlids, líquids i gasos absorbeixen aquesta longitud d'ona, per tant :
    • el procés cal realitzar-lo al buit.
    • i en comptes d'òptiques d'enfocament cal emprar reflectors òptics (vegeu Fig.2)

Fabricants

[modifica]

Exemple d'empreses que implementen EUVL : Intel, TSMC, GlobalFoundries, ASML Holding

Referències

[modifica]