Crusoe: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
[непроверенная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Нет описания правки
Строка 15: Строка 15:
Изначально Crusoe был доступен в двух вариантах: TM3200 для [[Встраиваемая система|встраиваемых систем]] и TM5400 для персональных компьютеров с малым энергопотреблением. Оба были доступны в виде одной архитектуры, но с разными частотами и поддеркой периферии.
Изначально Crusoe был доступен в двух вариантах: TM3200 для [[Встраиваемая система|встраиваемых систем]] и TM5400 для персональных компьютеров с малым энергопотреблением. Оба были доступны в виде одной архитектуры, но с разными частотами и поддеркой периферии.


TM3200 работал на частотах от 333, 366 и 400 МГц. Он имел кэш инструкций в 64 кБ, кэш данных в 32 кБ и обходился без кэша второго уровня. TM3200 имел встроенный [[контроллер памяти]] поддерживающий только [[SDRAM]], и интерфейс PCI. Занимал 77 мм2, требовал питание 1,5 В, и имел типичное энергопотребление менее чем 1,5 Вт.
TM3200 работал на частотах от 333, 366 и 400 МГц. Он имел кэш инструкций в 64 кБ, кэш данных в 32 кБ и обходился без кэша второго уровня. TM3200 имел встроенный контроллер памяти поддерживающий только [[SDRAM]], и интерфейс PCI. Занимал 77 мм2, требовал питание 1,5 В, и имел типичное энергопотребление менее чем 1,5 Вт.


TM5400 работал на частотах от 500 до 700 МГц. В отличие от TM3200, TM5400 поддерживал технологию уменьшения энергопотребления [[LongRun]]. Он имел кэш инструкций и кэш данных по 64 кБ, и кэш второго уровня 256 кБ. Встроенный [[контроллер памяти]] поддерживал [[SDRAM]] и [[DDR]] SDRAM. Так же имел интерфейс PCI. Занимал 73 мм2, использовал питание 1,1-1,6 В, и имел типичное энергопотребление от 0,5 Вт до 1,5 Вт при максимальном 6 Вт.
TM5400 работал на частотах от 500 до 700 МГц. В отличие от TM3200, TM5400 поддерживал технологию уменьшения энергопотребления [[LongRun]]. Он имел кэш инструкций и кэш данных по 64 кБ, и кэш второго уровня 256 кБ. Встроенный контроллер памяти поддерживал [[SDRAM]] и [[DDR]] SDRAM. Так же имел интерфейс PCI. Занимал 73 мм2, использовал питание 1,1-1,6 В, и имел типичное энергопотребление от 0,5 Вт до 1,5 Вт при максимальном 6 Вт.


== Модели процессоров ==
== Модели процессоров ==

Версия от 16:49, 28 июля 2009

Crusoe — семейство x86-совместимых микропроцессоров, созданных компанией Transmeta в конце 1990-x гг. Процессор был продемонстрирован публике в январе 2000 г., реальное производство началось позже в том же году.

Для исполнения команд х86 используется программная эмуляция в виде виртуальной машины — технология, названная морфингом программного кода. Сам процессор построен по VLIW-архитектуре и исполняет всегда единственную программу, написанную в его нативных кодах: транслятор команд х86, который переводит эти команды в VLIW-инструкции.

Теоретически процессор может быть переориентирован на эмуляцию любой другой архитектуры, но такое развитие маловероятно, так как аппаратура, очевидно, была оптимизирована для обработки именно х86.

Программная трансляция позволяет гибко изменять внутреннее устройство процессора, не нарушая его совместимости с целевой платформой. Например, Efficeon, следующее поколение семейства, имеет 256-разрядную организацию взамен 128-разрядной у оригинального Crusoe.

Программная эмуляция берет на себя многие функции, традиционно реализуемые аппаратно, например, суперскалярное (внеочередное) выполнение команд, благодаря чему аппаратная часть становится компактнее из-за меньшего количества транзисторов, а значит, потребляет меньше энергии и производит меньше тепла, чем у аналогичных процессоров.

Название позаимствовано у вымышленного героя-путешественника Робинзона Крузо.

Описание

Изначально Crusoe был доступен в двух вариантах: TM3200 для встраиваемых систем и TM5400 для персональных компьютеров с малым энергопотреблением. Оба были доступны в виде одной архитектуры, но с разными частотами и поддеркой периферии.

TM3200 работал на частотах от 333, 366 и 400 МГц. Он имел кэш инструкций в 64 кБ, кэш данных в 32 кБ и обходился без кэша второго уровня. TM3200 имел встроенный контроллер памяти поддерживающий только SDRAM, и интерфейс PCI. Занимал 77 мм2, требовал питание 1,5 В, и имел типичное энергопотребление менее чем 1,5 Вт.

TM5400 работал на частотах от 500 до 700 МГц. В отличие от TM3200, TM5400 поддерживал технологию уменьшения энергопотребления LongRun. Он имел кэш инструкций и кэш данных по 64 кБ, и кэш второго уровня 256 кБ. Встроенный контроллер памяти поддерживал SDRAM и DDR SDRAM. Так же имел интерфейс PCI. Занимал 73 мм2, использовал питание 1,1-1,6 В, и имел типичное энергопотребление от 0,5 Вт до 1,5 Вт при максимальном 6 Вт.

Модели процессоров

TM3200

Первоначально назывался TM3120

  • Кэш-память первого уровня L1: 32 + 64 кБ (данные + инструкции)
  • Поддержка инструкций MMX
  • Архитектура: VLIW с техникой морфинга программного кода
  • Интегрированный в процессор Northbridge ("северный мост")
  • Упаковка:
    • 474 Pin CBGA
  • Дата выпуска: Январь 2000 г.
  • Технология изготовления: 220 нм (на заводе IBM)
  • Размер ядра: 77 мм²
  • Частота: 333, 366 и 400 МГц

TM5400

  • Кэш-память первого уровня L1: 64 + 64 кБ (данные + инструкции)
  • Кэш-память второго уровня L2: 256 кБ, работающей на скорости процессора
  • Поддержка инструкций MMX, LongRun
  • Архитектура: VLIW с техникой морфинга программного кода
  • Интегрированный в процессор Northbridge ("северный мост")
  • Упаковка:
    • 474 Pin CBGA
  • Дата выпуска: Январь 2000 г.
  • Технология изготовления: 180 нм (на заводе IBM)
  • Размер ядра: 73 / 88 мм²; 36,8 млн. транзисторов
  • Частота: 500 - 700 МГц

TM5500

  • Кэш-память первого уровня L1: 64 + 64 кБ (данные + инструкции)
  • Кэш-память второго уровня L2: 256 кБ, работающей на скорости процессора
  • Поддержка инструкций MMX, LongRun
  • Архитектура: VLIW с техникой морфинга программного кода
  • Интегрированный в процессор Northbridge ("северный мост")
  • Упаковка:
    • 474 Pin CBGA
  • Дата выпуска: Июнь 2001 г.
  • Технология изготовления: 130 нм (на заводе TSMC)
  • Размер ядра: 55 мм²; 36,8 млн. транзисторов
  • Частота: 300 - 800 МГц

TM5600

Crusoe TM5600.
  • Кэш-память первого уровня L1: 64 + 64 кБ (данные + инструкции)
  • Кэш-память второго уровня L2: 512 кБ, работающей на скорости процессора
  • Поддержка инструкций MMX, LongRun
  • Архитектура: VLIW с техникой морфинга программного кода
  • Интегрированный в процессор Northbridge ("северный мост")
  • Упаковка:
    • 474 Pin CBGA
  • Дата выпуска: Октябрь 2000 г.
  • Технология изготовления: 180 нм (на заводе IBM)
  • Размер ядра: 88 мм²; 36,8 млн. транзисторов
  • Частота: 300 - 667 МГц

TM5700

  • Кэш-память первого уровня L1: 64 + 64 кБ (данные + инструкции)
  • Кэш-память второго уровня L2: 256 кБ, работающей на скорости процессора
  • Поддержка инструкций MMX, LongRun
  • Архитектура: VLIW с техникой морфинга программного кода
  • Интегрированный в процессор Northbridge ("северный мост")
  • Упаковка:
    • 399 Pin OBGA
  • Дата выпуска: Январь 2004 г.
  • Технология изготовления: 130 нм (на заводе TSMC)
  • Размер ядра: 55 мм²; 36,8 млн. транзисторов
  • Частота: 667 МГц

TM5800

Transmeta Crusoe TM5800.
  • Кэш-память первого уровня L1: 64 + 64 кБ (данные + инструкции)
  • Кэш-память второго уровня L2: 512 кБ, работающей на скорости процессора
  • Поддержка инструкций MMX, LongRun
  • Архитектура: VLIW с техникой морфинга программного кода
  • Интегрированный в процессор Northbridge ("северный мост")
  • Упаковка:
    • 474 Pin CBGA
  • Дата выпуска: Июнь 2001 г.
  • Технология изготовления: 130 нм (на заводе TSMC)
  • Размер ядра: 55 мм²; 36,8 млн. транзисторов
  • Частота: 300 - 1000 МГц

TM5900

  • Кэш-память первого уровня L1: 64 + 64 кБ (данные + инструкции)
  • Кэш-память второго уровня L2: 512 кБ, работающей на скорости процессора
  • Поддержка инструкций MMX, LongRun
  • Архитектура: VLIW с техникой морфинга программного кода
  • Интегрированный в процессор Northbridge ("северный мост")
  • Упаковка:
    • 399 Pin OBGA
  • Дата выпуска: Январь 2004 г.
  • Технология изготовления: 130 нм (на заводе TSMC)
  • Размер ядра: 55 мм²; 36,8 млн. транзисторов
  • Частота: 800 - 1000 МГц

Выпущенные изделия