互補式金屬氧化物半導體
互補式金屬氧化物半導體（英語：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，縮寫作 CMOS），是一種集成電路个設計工藝，可以拉硅質晶圓模板上制出NMOS（n-type MOSFET）搭PMOS（p-type MOSFET）个基本元件，由於NMOS搭PMOS拉物理特性上為互補性，因此被稱為CMOS。此一般个工藝上，可用來製作電腦電器个靜態隨機存取內存、微控制器、微處理器搭別樣數字邏輯電路系統、搭子除此之外比較特別个技術特性。
互補式金屬氧化物半導體（英語：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，縮寫作 CMOS），是一種集成電路个設計工藝，可以拉硅質晶圓模板上制出NMOS（n-type MOSFET）搭PMOS（p-type MOSFET）个基本元件，由於NMOS搭PMOS拉物理特性上為互補性，因此被稱為CMOS。此一般个工藝上，可用來製作電腦電器个靜態隨機存取內存、微控制器、微處理器搭別樣數字邏輯電路系統、搭子除此之外比較特別个技術特性。