Galliumnitried
Algemeen | |
---|---|
Naam | Galliumnitried |
Sistematiese naam | Galliumnitried |
Chemiese formule | GaN |
Molêre massa | 83,73 [g/mol][1] |
CAS-nommer | 25617-97-4[1] |
Voorkoms | liggeel vastestof, liggrys poeier[1] |
Reuk | reuksloos |
Fasegedrag | |
Fase | wurtziet |
Selkonstantes | a=318,9; c=518,6pm[2] |
Ruimtegroep | P63mc |
Nommer | 186 |
Strukturbericht | B4 |
Fase | sfaleriet |
Selkonstantes | a=452pm[2] |
Ruimtegroep | F43m |
Nommer | 216 |
Strukturbericht | B3 |
Smeltpunt | 800 °C [1] |
Kookpunt | |
Digtheid | 6,1 [g-cm3] @20 °C[3] |
Oplosbaarheid | |
Suur-basis eienskappe | |
pKa | |
Veiligheid | |
Flitspunt | nie-brandbaar[1] |
Tensy anders vermeld is alle data vir standaardtemperatuur en -druk toestande. | |
Portaal |
Galliumnitried is 'n verbinding van gallium en stikstof met formule GaN.
Dit is 'n halfgeleier met 'n bandgaping van 3,4 eV.[4]
Kristalstruktuur
[wysig | wysig bron]Galliumnitried kan in die kubiese wurtziet-struktuur kristalliseer (B4 in die strukturbericht-klassifikasie of die kubiese sfaleriet-struktuur (B3).
Gebruike
[wysig | wysig bron]Galliumnitried se wyer bandgaping beteken dat dit hoër spannings en hoër temperature as silikon-MOSFET's kan ondersteun. Hierdie wye bandgaping stel galliumnitried in staat om op opto-elektroniese hoëkrag- en hoëfrekwensietoestelle gebruik te word. Die vermoë om teen baie hoër temperature en spannings te werk as galliumarsenied (GaAs) transistors maak galliumnitriedtoestelle ideale drywingsversterkers vir mikrogolf- en terahertz (ThZ)-toestelle, soos vir beeldvorming.[4]
Verwysings
[wysig | wysig bron]- ↑ 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 "gallium nitride". Sigma-Aldrich.
- ↑ 2,0 2,1 "GaN". ioffe.
- ↑ "gallium nitride wafer". American elements.
- ↑ 4,0 4,1 "gallium nitride". GaN Systems.