Nitrur d'alumini i gal·li
| Substància química | compost químic  |
|---|---|
| Estructura química | |
| Fórmula química | AlGaN |
El nitrur d'alumini i gal·li (AlGaN) és un material semiconductor. És qualsevol aliatge de nitrur d'alumini i nitrur de gal·li.[1]
La banda prohibida d'AlxGa1−xN es pot adaptar des de 3,4eV (xAl=0) fins a 6,2eV (xAl=1).[2]
Aquest compost s'utilitza per fabricar díodes emissors de llum que operen en la regió del blau a l'ultraviolat, on longituds d'ona de fins a 250 nm es van aconseguir i alguns informes fins a 222 nm.[3] També es fa servir en làsers de semiconductors blaus i en detectors de radiació ultraviolada i en transistors d'alta mobilitat d'electrons AlGaN/GaN.[4]
L'AlGaN s'usa sovint juntament amb nitrur de gal·li o nitrur d'alumini, formant heterounions. Les capes d'aquest nitrur es cultiven habitualment sobre nitrur de gal·li, sobre safir o sobre (111) Si, i gairebé sempre amb capes addicionals de GaN (nitrur de gal·li).
La toxicologia del nitrur de gal·li d'alumini no s'ha investigat completament. La seva pols és un irritant per a la pell, els ulls i els pulmons. Recentment, s'han informat en una revisió dels aspectes mediambientals, de salut i de seguretat de les fonts d'aquest compost (com el trimetilgal·li i l'amoníac) i els estudis de control d'higiene industrial de fonts MOVPE estàndard.[5]
Referències
[modifica]- ↑ «Aluminum Gallium Nitride - an overview | ScienceDirect Topics» (en anglès). https://www.sciencedirect.com.+[Consulta: 7 abril 2023].
- ↑ Growth and Characterization of Aluminum Gallium Nitride...
- ↑ Noguchi Norimichi; Hideki Hirayama; Tohru Yatabe; Norihiko Kamata Physica Status Solidi C, 6, S2, 2009, pàg. S459–S461. Bibcode: 2009PSSCR...6S.459N. DOI: 10.1002/pssc.200880923.
- ↑ «Aluminum Gallium Nitride | Stanford Nanofabrication Facility» (en anglès). https://snfexfab.stanford.edu/.+[Consulta: 7 abril 2023].
- ↑ Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R.; DiCarlo, R. L. Jr.; Dripps, G. Journal of Crystal Growth, 272, 1–4, 2004, pàg. 816–821. Bibcode: 2004JCrGr.272..816S. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.