JP2008136093A - Oscillation circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、リングオシレータ型の発振回路に関するものである。 The present invention relates to a ring oscillator type oscillation circuit.
従来より半導体集積回路を構成する発振回路として、リングオシレータ型の発振回路が広く用いられている。 Conventionally, a ring oscillator type oscillation circuit has been widely used as an oscillation circuit constituting a semiconductor integrated circuit.
図6は従来例に係るリングオシレータ型の発振回路の回路図である。この発振回路100は、リングオシレータ101,電流発生回路102,Pチャネル型MOSトランジスタ(以下、PMOSとする)103,Nチャネル型MOSトランジスタ(以下、NMOSとする)104を含んで構成されている。
FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional ring oscillator type oscillation circuit. The
リングオシレータ101は、奇数段であって3段以上のインバータ105a〜105xがリング状に直列接続されている。インバータ105xの出力端子Outがこの発振回路100の出力端子であって、当該出力端子Outからクロック信号CLKが出力される。
インバータ105a〜105xは、電源供給端子106と接地端子GNDとの間にPMOS107とNMOS108とが直列接続された構成から成る、いわゆるCMOSインバータである。各インバータ105a〜105xの接続点には、容量素子Cの一端が接続されている。各容量素子Cの他方の端子は接地端子GNDと接続されている。
The
The
また、PMOS107のドレインと電源供給端子106との間には、各インバータ105a〜105xに流れる電流Iを、電流発生回路102を介して供給するPMOS103が接続されている。また、NMOS108のドレインと接地端子GNDとの間には、各インバータ105a〜105xから接地端子GNDへ流れる電流を供給するNMOS104が接続されている。
Further, between the drain of the
電流発生回路102は、PMOS103及びNMOS104の各ゲートにバイアス電流を供給し、各インバータ105a〜105xに流れる電流Iを制御し、その結果としてクロック信号CLKの周期制御を行うものである。
The
電流発生回路102の構成について説明する。電流発生回路102は、NMOS110,111、抵抗112、PMOS113を備えている。
A configuration of the
NMOS110,111のソースは接地端子GNDと接続されている。NMOS110のゲートとドレインは短絡しており、当該接続点と電源供給端子106との間に抵抗112が接続されている。
The sources of the
また、NMOS110のゲートはNMOS111のゲートと接続され、カレントミラー回路114が構成されている。NMOS110とNMOS111の接続点は、NMOS104の各ゲートと接続されている。つまり、NMOS110と各NMOS104とでカレントミラー回路が構成されている。
The gate of the
また、NMOS111のドレインと電源供給端子106との間には、ゲートとドレインが短絡したPMOS113が直列接続されている。NMOS111とPMOS113の接続点は、PMOS103の各ゲートと接続されている。つまり、PMOS113と各PMOS103とでカレントミラー回路が構成されている。
In addition, a PMOS 113 whose gate and drain are short-circuited is connected in series between the drain of the
NMOS110に流れる電流I1は、I1=(VCC−Vt)÷R・・・式(1)で表される。ここで、VCCは電源供給端子106から供給される電源電圧であり、VtはNMOS110のしきい値であり、Rは抵抗112の抵抗値である。
A current I 1 flowing through the
カレントミラー回路の特性から、NMOS110に流れる電流I1と、各インバータ105a〜105xに流れる電流Iは等しい。そして、インバータ105a〜105xの一段当りの充電もしくは放電時間の周期Tは、T=C×VCC/I・・・式(2)で表される。従って、式(2)のIに式(1)のI1を代入すると周期Tは、T=C/R(1−Vt/VCC)・・・式(3)で表される。
The characteristic of the current mirror circuit, a current I 1 flowing through the
式(3)から判るように、電源電圧VCCがNMOS110のしきい値Vtと比較して十分大きく、Vt/VCCがゼロに近い場合には、式(3)をT≒C/Rに近似できる。
As can be seen from the equation (3), when the power supply voltage VCC is sufficiently larger than the threshold value Vt of the
本発明に関連した技術は、例えば以下の特許文献に記載されている。
上述のように電源電圧VCCがVtに比して十分に大きい場合には、周期Tは電源電圧VCCに依存せず一定である。 As described above, when the power supply voltage VCC is sufficiently larger than Vt, the period T is constant without depending on the power supply voltage VCC.
しかしながら、近年半導体装置の微細化に伴う使用電源電圧の低下によって、発振回路の動作電圧(VCC)も同様に低下させる必要がある。そのため、式(3)における「Vt/VCC」が誤差として無視できない値になる傾向がある。そのため、従来の回路構成の場合、図7に示すように電源電圧VCCがある電圧Vy以下の範囲では周期Tが指数的に増大し、安定した周期のクロック信号CLKを出力することが出来ないという問題があった。 However, the operating voltage (VCC) of the oscillation circuit needs to be lowered in the same manner as the power supply voltage used in accordance with the miniaturization of semiconductor devices has been reduced in recent years. Therefore, “Vt / VCC” in equation (3) tends to be a value that cannot be ignored as an error. Therefore, in the case of the conventional circuit configuration, as shown in FIG. 7, the period T increases exponentially in a range where the power supply voltage VCC is equal to or lower than a certain voltage Vy, and the clock signal CLK having a stable period cannot be output. There was a problem.
そこで本発明は、電源電圧が低い場合でも、クロック信号の周期の特性が劣化することを低減した発振回路を提供することを主たる目的とする。 In view of the above, the main object of the present invention is to provide an oscillation circuit in which deterioration of the characteristics of the period of the clock signal is reduced even when the power supply voltage is low.
本発明の主な特徴は以下のとおりである。すなわち本発明の発振回路は、複数のインバータが直列に接続され、クロック信号を出力するリングオシレータと、電源電圧に依存する第1のバイアス電流を発生する第1の電流発生回路と、電源電圧に依存しない第2のバイアス電流を発生する第2の電流発生回路と、電源電圧が基準電圧よりも大きい場合には前記第1のバイアス電流を選択し、電源電圧が基準電圧よりも小さい場合には前記第2のバイアス電流を選択する選択回路と、前記選択回路によって選択された前記第1のバイアス電流または前記第2のバイアス電流を前記インバータに供給する電流供給トランジスタとを備えることを特徴とする。 The main features of the present invention are as follows. That is, the oscillation circuit of the present invention includes a ring oscillator that outputs a clock signal, a plurality of inverters connected in series, a first current generation circuit that generates a first bias current that depends on a power supply voltage, and a power supply voltage. A second current generating circuit that generates a second bias current that does not depend on the first bias current when the power supply voltage is larger than the reference voltage, and when the power supply voltage is smaller than the reference voltage; A selection circuit that selects the second bias current, and a current supply transistor that supplies the first bias current or the second bias current selected by the selection circuit to the inverter. .
また、本発明の発振回路は、前記第2の電流発生回路は、定電流発生回路を含むことを特徴とする。 The oscillation circuit of the present invention is characterized in that the second current generation circuit includes a constant current generation circuit.
本発明の発振回路は、出力するバイアス電流(第1のバイアス電流)が電源電圧に依存する第1の電流発生回路と、出力するバイアス電流(第2のバイアス電流)が電源電圧に依存しない第2の電流発生回路を配置し、電源電圧の状態に応じて選択回路でいずれか一方のバイアス電流をインバータに供給している。そのため、電源電圧が高い領域で安定した周期のクロック信号を出力するとともに、電源電圧が低い領域であっても周期が急激に劣化することを防止できる。 The oscillation circuit of the present invention includes a first current generation circuit in which a bias current to be output (first bias current) depends on a power supply voltage, and a first current generation circuit in which an output bias current (second bias current) does not depend on a power supply voltage. Two current generation circuits are arranged, and one of the bias currents is supplied to the inverter by the selection circuit according to the state of the power supply voltage. Therefore, it is possible to output a clock signal having a stable cycle in a region where the power supply voltage is high and to prevent the cycle from rapidly deteriorating even in a region where the power supply voltage is low.
次に、本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、従来構造と同様の構成については同一の符号を示しその説明を省略するか簡略する。 Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, about the structure similar to a conventional structure, the same code | symbol is shown and the description is abbreviate | omitted or simplified.
図1は本実施形態係る発振回路10の構成の一例を示す回路図である。発振回路10は、リングオシレータ回路101、第1及び第2の電流発生回路20,30、選択回路40、電源電圧検知回路50、PMOS103、NMOS104とを含んで構成されている。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the
リングオシレータ101は、奇数段であって3段以上のインバータ105a〜105xがリング状に直列接続されている。インバータ105xの出力端子Outがこの発振回路10の出力端子であって、当該出力端子Outからクロック信号CLKが出力される。
The
インバータ105a〜105xは、電源供給端子106と接地端子GNDとの間にPMOS107とNMOS108とが直列接続されて成るCMOSインバータである。電源供給端子106は電源電圧VCCを供給する端子であり、接地端子GNDは接地電圧を供給する端子である。
The
各インバータ105a〜105xの接続点には、容量素子Cの一端が接続されている。各容量素子Cの他方の端子は接地端子GNDと接続されている。
One end of the capacitive element C is connected to the connection point of the
また、PMOS107のドレインと電源供給端子106との間には、各インバータ105a〜105xに流れる電流Iを、後述する第1あるいは第2の電流発生回路20,30のいずれか一方を介して供給するPMOS103(第1の電流供給トランジスタ)が接続されている。また、NMOS108のドレインと接地端子GNDとの間には、各インバータ105a〜105xから接地端子GNDへ流れる電流を、第1あるいは第2の電流発生回路20,30を介して供給するNMOS104(第2の電流供給トランジスタ)が接続されている。
Further, between the drain of the
次に、インバータ105a〜105xに流れる電流Iを発生させる、第1及び第2の電流発生回路20,30について説明する。
Next, the first and second
第1の電流発生回路20の第1出力端子Vp1は、第1のスイッチング素子SW1を介してPMOS103のゲートと接続され、第2出力端子Vn1は、第3のスイッチング素子SW3を介してNMOS104のゲートと接続されている。
The first output terminal Vp1 of the first
第1の電流発生回路20は、出力するバイアス電流(第1のバイアス電流)が電源電圧VCCの変化に対応して変化する。つまり、電源電圧VCCが増加した場合にはバイアス電流も増加し、電源電圧VCCが減少した場合にはバイアス電流も減少する。そのため、第1の電流発生回路20は、電源電圧VCCに依存するバイアス電流をインバータ105a〜105xに供給する。そして、電源電圧VCCが基準電圧よりも高い状態において、クロックの信号CLKの周期Tを一定に保つように制御するものである。
In the first
第1の電流発生回路20の具体的な構成例について図2を参照して説明する。本実施形態の第1の電流発生回路20は、NMOS110,111、抵抗112、PMOS113を備えている。PMOS113のドレイン及びゲートは、第1の出力端子Vp1と接続され、当該出力端子Vp1から第1のスイッチング素子SW1を介してPMOS103のゲートにバイアス電流が供給される。
A specific configuration example of the first
また、NMOS110とNMOS111とでカレントミラー回路114が構成されている。NMOS110とNMOS111の接続点は第2出力端子Vn1と接続され、第2出力端子Vn2から第3のスイッチング素子SW3を介してNMOS104のゲートにバイアス電流が供給される。他の回路構成は図6の電流発生回路102と同様である。
Further, the
第1の電流発生回路20からバイアス電流がPMOS103及びNMOS104のゲートに供給された場合、インバータ105a〜105xの一段当りの充電もしくは放電時間の周期Tは、既述のとおりT=C/R(1−Vt/VCC)・・・式(3)で表される。また、周期Tと電源電圧VCCは、電源電圧VCCがある電圧以上の領域では周期Tがほぼ一定になり、ある電圧以下では周期Tが指数的に増加する関係である(図7参照)。
When a bias current is supplied from the first
図1に示すように、第2の電流発生回路30の第1出力端子Vp2は、第2のスイッチング素子SW2を介してPMOS103のゲートと接続され、第2出力端子Vn2は、第4のスイッチング素子SW4を介してNMOS104のゲートと接続されている。
As shown in FIG. 1, the first output terminal Vp2 of the second
第2の電流発生回路30は、出力するバイアス電流(第2のバイアス電流)が電源電圧VCCに実質的に依存しない特性を有する。第2のバイアス電流は、電源電圧VCCに依存せずに一定であることが好ましい。換言すれば、第2の電流発生回路30は、電源電圧VCCの変化に対して出力するバイアス電流の変化の割合が上記第1の電流発生回路20よりも小さい。そして、電源電圧VCCに依存し難い一定の電流をインバータ105a〜105xに供給するものである。
The second
第2の電流発生回路30の具体的な構成例について図3を参照して説明する。本実施形態の第2の電流発生回路30は、PMOS31,32、定電流発生回路33と、NMOS34を備えている。
A specific configuration example of the second
PMOS31,32のソースは電源供給端子106と接続されている。PMOS31のゲートとドレインは短絡しており、当該接続点と接地端子GNDとの間に定電流発生回路33が接続されている。定電流発生回路33は、印加される電圧に対して出力電流をほぼ一定に保つことができる回路であり、例えば一対のMOSトランジスタからなるカレントミラー回路で構成されるものである。
The sources of the
PMOS31のゲートはPMOS32のゲートと接続され、カレントミラー回路35が構成されている。PMOS31とPMOS32の接続点は、第1出力端子Vp2と接続され、第1出力端子Vp2から第2のスイッチング素子SW2を介してPMOS103の各ゲートにバイアス電流が供給される。つまり、PMOS31と各PMOS103とでカレントミラー回路が構成されている。
The gate of the
また、PMOS32のドレインと接地端子GNDとの間には、ゲートとドレインが短絡したNMOS34が直列接続されている。PMOS32とNMOS34の接続点は第2出力端子Vn2と接続され、第2出力端子Vn2から第4のスイッチング素子SW4を介してNMOS104の各ゲートにバイアス電流が供給される。つまり、NMOS34と各NMOS104とでカレントミラー回路が構成されている。
An
本構成例の第2の電流発生回路30に流れる電流I2の電流値は、定電流発生回路33の作用によって電源電圧VCCの変化に依存せず、ほぼ一定に保たれている。そして、カレントミラー回路の特性から、この電流I2と各インバータ105a〜105xに流れる電流Iは等しくなる。
The current value of the current I 2 flowing through the second
第2の電流発生回路30からバイアス電流がPMOS103及びNMOS104のゲートに供給された場合、インバータ105a〜105xの一段当りの充電もしくは放電時間の周期Tは、式(2)と同様にT=C×VCC/I2・・・式(4)で表される。ここで、本実施形態におけるCとI2は一定値である。そのため、周期Tは図4に示すように電源電圧VCCに比例する関係を示す。
When a bias current is supplied from the second
また、図1に示すように、第1の電流発生回路20あるいは第2の電流発生回路30のいずれか一方を選択的にPMOS103及びNMOS104と接続させ、上記第1のバイアス電流あるいは第2のバイアス電流のいずれかを選択する選択回路40が設けられている。選択回路40は上述した第1〜第4のスイッチング素子SW1,SW2,SW3,SW4を含んで構成されている。例えば、ハイレベルの選択信号Φ(H)が選択回路40に印加された場合には第1及び第3のスイッチング素子SW1,SW3がオンして第2及び第4のスイッチング素子SW2,SW4がオフする。ロウレベルの選択信号Φ(L)が選択回路40に印加された場合には、その逆である。
Further, as shown in FIG. 1, either the first
選択信号Φは電源電圧検知回路50によって生成される。電源電圧検知回路50は、電源供給端子106と接続され、電源電圧VCCのレベルを監視している。そして、電源電圧VCCが予め設計で定めた電圧(基準電圧Vxと称する)よりも大きい場合(以下、高電圧状態と称する)には、ハイレベルの選択信号Φ(H)を出力して第1の電流発生回路20による第1のバイアス電流を各インバータ105a〜105xに供給する。一方、電源電圧VCCが基準電圧Vxよりも小さい場合(以下、低電圧状態と称する)には、ロウレベルの選択信号Φ(L)を出力して第2の電流発生回路30による第2のバイアス電流を各インバータ105a〜105xに供給する。
The selection signal Φ is generated by the power supply
このように、本実施形態では電源電圧VCCの大きさに対して出力するバイアス電流が変化する第1の電流発生回路20と、電源電圧VCCの変化に依存せずにインバータ105a〜105xに流れる電流を実質的に一定に制御する第2の電流発生回路30を配置し、基準電圧Vxを境にしてどちらのバイアス電流を各インバータ105a〜105xに供給するかを選択することができる。そして、切り換える地点(基準電圧Vx)を調整することによって、高電圧状態では電源電圧VCCに依存した電流I1を第1のバイアス電流としてリングオシレータを動作させ、低電圧状態では定電流発生回路33を利用した電流I2を第2のバイアス電流としてリングオシレータを動作させることとしている。
As described above, in the present embodiment, the first
本実施形態の構成による周期Tと電源電圧VCCは、図5の実線で示すように、図4で示したグラフと図7で示したグラフの一部を組み合わせた関係となる。図5から判るように、電源電圧VCCが低く周期Tが指数的に変化する前に第1の電流発生回路20から第2の電流発生回路30との接続に切り換えることで、従来(図7参照)に比べて低電圧状態での周期Tの変化が緩やかになっている。逆に、電源電圧VCCが基準電圧Vxよりも大きくなったら、第2の電流発生回路30から第1の電流発生回路20との接続に切り換えることで周期Tが一定となる。
The period T and the power supply voltage VCC according to the configuration of the present embodiment have a relationship obtained by combining a part of the graph shown in FIG. 4 and a part of the graph shown in FIG. 7, as shown by the solid line in FIG. As can be seen from FIG. 5, by switching from the first
このように本実施形態の構成によれば、高電圧状態では電源電圧VCCの変化に依存しない安定した周期のクロック信号を出力することができる。そして、低電圧状態であってもクロック信号の周期が急激に変化することを防止できる。そして、発振回路の動作について保証できる使用電源電圧の範囲を従来よりも低い電圧まで拡げることが可能である。 As described above, according to the configuration of the present embodiment, it is possible to output a clock signal having a stable cycle that does not depend on a change in the power supply voltage VCC in a high voltage state. And even if it is a low voltage state, it can prevent that the period of a clock signal changes rapidly. In addition, the range of the power supply voltage that can be guaranteed for the operation of the oscillation circuit can be expanded to a voltage lower than the conventional one.
なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなくその要旨を逸脱しない範囲で設計変更が可能であることは言うまでも無い。例えば、第1の電流発生回路20と第2の電流発生回路30の切り換え地点は、仕様上許容できる周期Tの範囲を考慮しながら任意に設定できる。本発明はリングオシレータ型の発振回路に広く適用できるものである。
Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the design can be changed without departing from the gist thereof. For example, the switching point between the first
10 発振回路 20 第1の電流発生回路 30 第2の電流発生回路
31,32 Pチャネル型MOSトランジスタ 33 定電流発生回路
34 Nチャネル型MOSトランジスタ 35 カレントミラー回路
40 選択回路 50 電源電圧検知回路 101 リングオシレータ
102 電流発生回路 103 Pチャネル型MOSトランジスタ
104 Nチャネル型MOSトランジスタ 105a〜105x インバータ
106 電源供給端子 107,113 Pチャネル型MOSトランジスタ
108,110,111 Nチャネル型MOSトランジスタ
112 抵抗 114 カレントミラー回路
SW1〜SW4 第1〜第4のスイッチング素子 OUT 出力端子
VCC 電源電圧
Vp1 (第1の電流発生回路の)第1出力端子
Vn1 (第1の電流発生回路の)第2出力端子
Vp2 (第2の電流発生回路の)第1出力端子
Vn2 (第2の電流発生回路の)第2出力端子 GND 接地端子
C 容量素子 VCC 電源電圧 Φ 選択信号 CLK クロック信号
DESCRIPTION OF
104 N-
SW1 to SW4 First to fourth switching elements OUT Output terminal VCC Power supply voltage Vp1 (First current generation circuit) First output terminal Vn1 (First current generation circuit) Second output terminal Vp2 (Second First output terminal Vn2 (of the current generation circuit) Second output terminal (of the second current generation circuit) GND Ground terminal C Capacitance element VCC Power supply voltage Φ Selection signal CLK Clock signal
Claims (6)
電源電圧に依存する第1のバイアス電流を発生する第1の電流発生回路と、
電源電圧に依存しない第2のバイアス電流を発生する第2の電流発生回路と、
電源電圧が基準電圧よりも大きい場合には前記第1のバイアス電流を選択し、電源電圧が基準電圧よりも小さい場合には前記第2のバイアス電流を選択する選択回路と、
前記選択回路によって選択された前記第1のバイアス電流または前記第2のバイアス電流を前記インバータに供給する電流供給トランジスタとを備えることを特徴とする発振回路。 A ring oscillator in which a plurality of inverters are connected in series and outputs a clock signal;
A first current generating circuit for generating a first bias current depending on a power supply voltage;
A second current generating circuit for generating a second bias current independent of the power supply voltage;
A selection circuit that selects the first bias current when a power supply voltage is higher than a reference voltage, and that selects the second bias current when the power supply voltage is lower than a reference voltage;
An oscillation circuit comprising: a current supply transistor that supplies the first bias current or the second bias current selected by the selection circuit to the inverter.
前記インバータの正側電極端子と接続された第1の電流供給トランジスタと、
前記インバータの負側電極端子と接続された第2の電流供給トランジスタとから成ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発振回路。 The current supply transistor is:
A first current supply transistor connected to the positive electrode terminal of the inverter;
3. The oscillation circuit according to claim 1, further comprising a second current supply transistor connected to the negative electrode terminal of the inverter.
前記第2の電流供給トランジスタとカレントミラー回路を構成する第1のトランジスタと、
電源供給端子と前記第1のトランジスタの間に接続された抵抗と、
前記第1のトランジスタとカレントミラー回路を構成する第2のトランジスタと、
前記電源供給端子と前記第2のトランジスタとの間に直列接続され、前記第1の電流供給トランジスタとカレントミラー回路を構成する第3のトランジスタとを備えることを特徴とする請求項3に記載の発振回路。 The first current generation circuit includes:
A first transistor constituting a current mirror circuit with the second current supply transistor;
A resistor connected between a power supply terminal and the first transistor;
A second transistor constituting a current mirror circuit with the first transistor;
4. The device according to claim 3, further comprising a third transistor that is connected in series between the power supply terminal and the second transistor, and that forms a current mirror circuit with the first current supply transistor. Oscillator circuit.
前記第4のトランジスタと直列接続された定電流発生回路とを備えることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の発振回路。 The second current generation circuit includes a fourth transistor that forms a current mirror circuit with the first current supply transistor;
The oscillation circuit according to claim 3, further comprising: a constant current generation circuit connected in series with the fourth transistor.
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