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JP2008136093A - Oscillation circuit - Google Patents

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JP2008136093A JP2006321918A JP2006321918A JP2008136093A JP 2008136093 A JP2008136093 A JP 2008136093A JP 2006321918 A JP2006321918 A JP 2006321918A JP 2006321918 A JP2006321918 A JP 2006321918A JP 2008136093 A JP2008136093 A JP 2008136093A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce rapid deterioration of a period of a clock signal even when a supply voltage is low. <P>SOLUTION: A supply voltage detection circuit 50 is arranged for detecting changes in a supply voltage VCC. Then, a first current generation circuit 20 for generating a first bias current in which a bias current changes depending on the supply voltage VCC is arranged. Also a second current generation circuit 30 is arranged. This circuit has a characteristic that a ratio of changes in a current value of a bias current output depending on changes in the supply voltage VCC is smaller than that of the first current generation circuit 20. Using a selection circuit 40, the first bias current is supplied to a ring oscillator 101 in a state that the supply voltage VCC is higher than a reference voltage Vx (a high voltage state), and a second bias current is supplied to the ring oscillator 101 in a state that the supply voltage VCC is lower than the reference voltage Vx (a low voltage state). <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、リングオシレータ型の発振回路に関するものである。   The present invention relates to a ring oscillator type oscillation circuit.

従来より半導体集積回路を構成する発振回路として、リングオシレータ型の発振回路が広く用いられている。   Conventionally, a ring oscillator type oscillation circuit has been widely used as an oscillation circuit constituting a semiconductor integrated circuit.

図6は従来例に係るリングオシレータ型の発振回路の回路図である。この発振回路100は、リングオシレータ101,電流発生回路102,Pチャネル型MOSトランジスタ(以下、PMOSとする)103,Nチャネル型MOSトランジスタ(以下、NMOSとする)104を含んで構成されている。   FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional ring oscillator type oscillation circuit. The oscillation circuit 100 includes a ring oscillator 101, a current generation circuit 102, a P-channel MOS transistor (hereinafter referred to as PMOS) 103, and an N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as NMOS) 104.

リングオシレータ101は、奇数段であって3段以上のインバータ105a〜105xがリング状に直列接続されている。インバータ105xの出力端子Outがこの発振回路100の出力端子であって、当該出力端子Outからクロック信号CLKが出力される。
インバータ105a〜105xは、電源供給端子106と接地端子GNDとの間にPMOS107とNMOS108とが直列接続された構成から成る、いわゆるCMOSインバータである。各インバータ105a〜105xの接続点には、容量素子Cの一端が接続されている。各容量素子Cの他方の端子は接地端子GNDと接続されている。
The ring oscillator 101 has an odd number of stages, and three or more stages of inverters 105a to 105x are connected in series in a ring shape. The output terminal Out of the inverter 105x is the output terminal of the oscillation circuit 100, and the clock signal CLK is output from the output terminal Out.
The inverters 105a to 105x are so-called CMOS inverters having a configuration in which a PMOS 107 and an NMOS 108 are connected in series between a power supply terminal 106 and a ground terminal GND. One end of the capacitive element C is connected to the connection point of the inverters 105a to 105x. The other terminal of each capacitive element C is connected to the ground terminal GND.

また、PMOS107のドレインと電源供給端子106との間には、各インバータ105a〜105xに流れる電流Iを、電流発生回路102を介して供給するPMOS103が接続されている。また、NMOS108のドレインと接地端子GNDとの間には、各インバータ105a〜105xから接地端子GNDへ流れる電流を供給するNMOS104が接続されている。   Further, between the drain of the PMOS 107 and the power supply terminal 106, the PMOS 103 that supplies the current I flowing through each of the inverters 105a to 105x via the current generation circuit 102 is connected. Further, between the drain of the NMOS 108 and the ground terminal GND, an NMOS 104 that supplies a current flowing from each of the inverters 105a to 105x to the ground terminal GND is connected.

電流発生回路102は、PMOS103及びNMOS104の各ゲートにバイアス電流を供給し、各インバータ105a〜105xに流れる電流Iを制御し、その結果としてクロック信号CLKの周期制御を行うものである。   The current generation circuit 102 supplies a bias current to the gates of the PMOS 103 and the NMOS 104, controls the current I flowing through the inverters 105a to 105x, and as a result, controls the cycle of the clock signal CLK.

電流発生回路102の構成について説明する。電流発生回路102は、NMOS110,111、抵抗112、PMOS113を備えている。   A configuration of the current generation circuit 102 will be described. The current generation circuit 102 includes NMOSs 110 and 111, a resistor 112, and a PMOS 113.

NMOS110,111のソースは接地端子GNDと接続されている。NMOS110のゲートとドレインは短絡しており、当該接続点と電源供給端子106との間に抵抗112が接続されている。   The sources of the NMOSs 110 and 111 are connected to the ground terminal GND. The gate and drain of the NMOS 110 are short-circuited, and a resistor 112 is connected between the connection point and the power supply terminal 106.

また、NMOS110のゲートはNMOS111のゲートと接続され、カレントミラー回路114が構成されている。NMOS110とNMOS111の接続点は、NMOS104の各ゲートと接続されている。つまり、NMOS110と各NMOS104とでカレントミラー回路が構成されている。   The gate of the NMOS 110 is connected to the gate of the NMOS 111 to form a current mirror circuit 114. A connection point between the NMOS 110 and the NMOS 111 is connected to each gate of the NMOS 104. That is, the NMOS 110 and each NMOS 104 constitute a current mirror circuit.

また、NMOS111のドレインと電源供給端子106との間には、ゲートとドレインが短絡したPMOS113が直列接続されている。NMOS111とPMOS113の接続点は、PMOS103の各ゲートと接続されている。つまり、PMOS113と各PMOS103とでカレントミラー回路が構成されている。   In addition, a PMOS 113 whose gate and drain are short-circuited is connected in series between the drain of the NMOS 111 and the power supply terminal 106. A connection point between the NMOS 111 and the PMOS 113 is connected to each gate of the PMOS 103. That is, the PMOS 113 and each PMOS 103 constitute a current mirror circuit.

NMOS110に流れる電流Iは、I=(VCC−Vt)÷R・・・式(1)で表される。ここで、VCCは電源供給端子106から供給される電源電圧であり、VtはNMOS110のしきい値であり、Rは抵抗112の抵抗値である。 A current I 1 flowing through the NMOS 110 is expressed by I 1 = (VCC−Vt) ÷ R (1). Here, VCC is a power supply voltage supplied from the power supply terminal 106, Vt is a threshold value of the NMOS 110, and R is a resistance value of the resistor 112.

カレントミラー回路の特性から、NMOS110に流れる電流Iと、各インバータ105a〜105xに流れる電流Iは等しい。そして、インバータ105a〜105xの一段当りの充電もしくは放電時間の周期Tは、T=C×VCC/I・・・式(2)で表される。従って、式(2)のIに式(1)のIを代入すると周期Tは、T=C/R(1−Vt/VCC)・・・式(3)で表される。 The characteristic of the current mirror circuit, a current I 1 flowing through the NMOS 110, the current I flowing through each inverter 105a~105x are equal. A period T of charging or discharging time per stage of the inverters 105a to 105x is expressed by T = C × VCC / I (2). Therefore, when I 1 in the formula (1) is substituted for I in the formula (2), the cycle T is expressed by T = C / R (1−Vt / VCC) (3).

式(3)から判るように、電源電圧VCCがNMOS110のしきい値Vtと比較して十分大きく、Vt/VCCがゼロに近い場合には、式(3)をT≒C/Rに近似できる。   As can be seen from the equation (3), when the power supply voltage VCC is sufficiently larger than the threshold value Vt of the NMOS 110 and Vt / VCC is close to zero, the equation (3) can be approximated to T≈C / R. .

本発明に関連した技術は、例えば以下の特許文献に記載されている。
特開2005−184793号公報
Techniques related to the present invention are described in, for example, the following patent documents.
JP 2005-184793 A

上述のように電源電圧VCCがVtに比して十分に大きい場合には、周期Tは電源電圧VCCに依存せず一定である。   As described above, when the power supply voltage VCC is sufficiently larger than Vt, the period T is constant without depending on the power supply voltage VCC.

しかしながら、近年半導体装置の微細化に伴う使用電源電圧の低下によって、発振回路の動作電圧(VCC)も同様に低下させる必要がある。そのため、式(3)における「Vt/VCC」が誤差として無視できない値になる傾向がある。そのため、従来の回路構成の場合、図7に示すように電源電圧VCCがある電圧Vy以下の範囲では周期Tが指数的に増大し、安定した周期のクロック信号CLKを出力することが出来ないという問題があった。   However, the operating voltage (VCC) of the oscillation circuit needs to be lowered in the same manner as the power supply voltage used in accordance with the miniaturization of semiconductor devices has been reduced in recent years. Therefore, “Vt / VCC” in equation (3) tends to be a value that cannot be ignored as an error. Therefore, in the case of the conventional circuit configuration, as shown in FIG. 7, the period T increases exponentially in a range where the power supply voltage VCC is equal to or lower than a certain voltage Vy, and the clock signal CLK having a stable period cannot be output. There was a problem.

そこで本発明は、電源電圧が低い場合でも、クロック信号の周期の特性が劣化することを低減した発振回路を提供することを主たる目的とする。   In view of the above, the main object of the present invention is to provide an oscillation circuit in which deterioration of the characteristics of the period of the clock signal is reduced even when the power supply voltage is low.

本発明の主な特徴は以下のとおりである。すなわち本発明の発振回路は、複数のインバータが直列に接続され、クロック信号を出力するリングオシレータと、電源電圧に依存する第1のバイアス電流を発生する第1の電流発生回路と、電源電圧に依存しない第2のバイアス電流を発生する第2の電流発生回路と、電源電圧が基準電圧よりも大きい場合には前記第1のバイアス電流を選択し、電源電圧が基準電圧よりも小さい場合には前記第2のバイアス電流を選択する選択回路と、前記選択回路によって選択された前記第1のバイアス電流または前記第2のバイアス電流を前記インバータに供給する電流供給トランジスタとを備えることを特徴とする。   The main features of the present invention are as follows. That is, the oscillation circuit of the present invention includes a ring oscillator that outputs a clock signal, a plurality of inverters connected in series, a first current generation circuit that generates a first bias current that depends on a power supply voltage, and a power supply voltage. A second current generating circuit that generates a second bias current that does not depend on the first bias current when the power supply voltage is larger than the reference voltage, and when the power supply voltage is smaller than the reference voltage; A selection circuit that selects the second bias current, and a current supply transistor that supplies the first bias current or the second bias current selected by the selection circuit to the inverter. .

また、本発明の発振回路は、前記第2の電流発生回路は、定電流発生回路を含むことを特徴とする。   The oscillation circuit of the present invention is characterized in that the second current generation circuit includes a constant current generation circuit.

本発明の発振回路は、出力するバイアス電流(第1のバイアス電流)が電源電圧に依存する第1の電流発生回路と、出力するバイアス電流(第2のバイアス電流)が電源電圧に依存しない第2の電流発生回路を配置し、電源電圧の状態に応じて選択回路でいずれか一方のバイアス電流をインバータに供給している。そのため、電源電圧が高い領域で安定した周期のクロック信号を出力するとともに、電源電圧が低い領域であっても周期が急激に劣化することを防止できる。   The oscillation circuit of the present invention includes a first current generation circuit in which a bias current to be output (first bias current) depends on a power supply voltage, and a first current generation circuit in which an output bias current (second bias current) does not depend on a power supply voltage. Two current generation circuits are arranged, and one of the bias currents is supplied to the inverter by the selection circuit according to the state of the power supply voltage. Therefore, it is possible to output a clock signal having a stable cycle in a region where the power supply voltage is high and to prevent the cycle from rapidly deteriorating even in a region where the power supply voltage is low.

次に、本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、従来構造と同様の構成については同一の符号を示しその説明を省略するか簡略する。   Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, about the structure similar to a conventional structure, the same code | symbol is shown and the description is abbreviate | omitted or simplified.

図1は本実施形態係る発振回路10の構成の一例を示す回路図である。発振回路10は、リングオシレータ回路101、第1及び第2の電流発生回路20,30、選択回路40、電源電圧検知回路50、PMOS103、NMOS104とを含んで構成されている。   FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the oscillation circuit 10 according to the present embodiment. The oscillation circuit 10 includes a ring oscillator circuit 101, first and second current generation circuits 20, 30, a selection circuit 40, a power supply voltage detection circuit 50, a PMOS 103, and an NMOS 104.

リングオシレータ101は、奇数段であって3段以上のインバータ105a〜105xがリング状に直列接続されている。インバータ105xの出力端子Outがこの発振回路10の出力端子であって、当該出力端子Outからクロック信号CLKが出力される。   The ring oscillator 101 has an odd number of stages, and three or more stages of inverters 105a to 105x are connected in series in a ring shape. The output terminal Out of the inverter 105x is the output terminal of the oscillation circuit 10, and the clock signal CLK is output from the output terminal Out.

インバータ105a〜105xは、電源供給端子106と接地端子GNDとの間にPMOS107とNMOS108とが直列接続されて成るCMOSインバータである。電源供給端子106は電源電圧VCCを供給する端子であり、接地端子GNDは接地電圧を供給する端子である。   The inverters 105a to 105x are CMOS inverters in which a PMOS 107 and an NMOS 108 are connected in series between a power supply terminal 106 and a ground terminal GND. The power supply terminal 106 is a terminal that supplies a power supply voltage VCC, and the ground terminal GND is a terminal that supplies a ground voltage.

各インバータ105a〜105xの接続点には、容量素子Cの一端が接続されている。各容量素子Cの他方の端子は接地端子GNDと接続されている。   One end of the capacitive element C is connected to the connection point of the inverters 105a to 105x. The other terminal of each capacitive element C is connected to the ground terminal GND.

また、PMOS107のドレインと電源供給端子106との間には、各インバータ105a〜105xに流れる電流Iを、後述する第1あるいは第2の電流発生回路20,30のいずれか一方を介して供給するPMOS103(第1の電流供給トランジスタ)が接続されている。また、NMOS108のドレインと接地端子GNDとの間には、各インバータ105a〜105xから接地端子GNDへ流れる電流を、第1あるいは第2の電流発生回路20,30を介して供給するNMOS104(第2の電流供給トランジスタ)が接続されている。   Further, between the drain of the PMOS 107 and the power supply terminal 106, a current I flowing through each of the inverters 105a to 105x is supplied via one of first or second current generation circuits 20 and 30 described later. The PMOS 103 (first current supply transistor) is connected. Further, between the drain of the NMOS 108 and the ground terminal GND, an NMOS 104 (second circuit) for supplying a current flowing from each of the inverters 105a to 105x to the ground terminal GND through the first or second current generating circuits 20 and 30. Current supply transistor) is connected.

次に、インバータ105a〜105xに流れる電流Iを発生させる、第1及び第2の電流発生回路20,30について説明する。   Next, the first and second current generation circuits 20 and 30 that generate the current I flowing through the inverters 105a to 105x will be described.

第1の電流発生回路20の第1出力端子Vp1は、第1のスイッチング素子SW1を介してPMOS103のゲートと接続され、第2出力端子Vn1は、第3のスイッチング素子SW3を介してNMOS104のゲートと接続されている。   The first output terminal Vp1 of the first current generating circuit 20 is connected to the gate of the PMOS 103 via the first switching element SW1, and the second output terminal Vn1 is connected to the gate of the NMOS 104 via the third switching element SW3. Connected with.

第1の電流発生回路20は、出力するバイアス電流(第1のバイアス電流)が電源電圧VCCの変化に対応して変化する。つまり、電源電圧VCCが増加した場合にはバイアス電流も増加し、電源電圧VCCが減少した場合にはバイアス電流も減少する。そのため、第1の電流発生回路20は、電源電圧VCCに依存するバイアス電流をインバータ105a〜105xに供給する。そして、電源電圧VCCが基準電圧よりも高い状態において、クロックの信号CLKの周期Tを一定に保つように制御するものである。   In the first current generation circuit 20, the output bias current (first bias current) changes in response to the change in the power supply voltage VCC. That is, when the power supply voltage VCC increases, the bias current increases, and when the power supply voltage VCC decreases, the bias current also decreases. Therefore, the first current generation circuit 20 supplies a bias current depending on the power supply voltage VCC to the inverters 105a to 105x. Then, in a state where the power supply voltage VCC is higher than the reference voltage, control is performed so as to keep the cycle T of the clock signal CLK constant.

第1の電流発生回路20の具体的な構成例について図2を参照して説明する。本実施形態の第1の電流発生回路20は、NMOS110,111、抵抗112、PMOS113を備えている。PMOS113のドレイン及びゲートは、第1の出力端子Vp1と接続され、当該出力端子Vp1から第1のスイッチング素子SW1を介してPMOS103のゲートにバイアス電流が供給される。   A specific configuration example of the first current generation circuit 20 will be described with reference to FIG. The first current generation circuit 20 of this embodiment includes NMOSs 110 and 111, a resistor 112, and a PMOS 113. The drain and gate of the PMOS 113 are connected to the first output terminal Vp1, and a bias current is supplied from the output terminal Vp1 to the gate of the PMOS 103 via the first switching element SW1.

また、NMOS110とNMOS111とでカレントミラー回路114が構成されている。NMOS110とNMOS111の接続点は第2出力端子Vn1と接続され、第2出力端子Vn2から第3のスイッチング素子SW3を介してNMOS104のゲートにバイアス電流が供給される。他の回路構成は図6の電流発生回路102と同様である。   Further, the NMOS 110 and the NMOS 111 constitute a current mirror circuit 114. A connection point between the NMOS 110 and the NMOS 111 is connected to the second output terminal Vn1, and a bias current is supplied from the second output terminal Vn2 to the gate of the NMOS 104 via the third switching element SW3. The other circuit configuration is the same as that of the current generation circuit 102 of FIG.

第1の電流発生回路20からバイアス電流がPMOS103及びNMOS104のゲートに供給された場合、インバータ105a〜105xの一段当りの充電もしくは放電時間の周期Tは、既述のとおりT=C/R(1−Vt/VCC)・・・式(3)で表される。また、周期Tと電源電圧VCCは、電源電圧VCCがある電圧以上の領域では周期Tがほぼ一定になり、ある電圧以下では周期Tが指数的に増加する関係である(図7参照)。   When a bias current is supplied from the first current generation circuit 20 to the gates of the PMOS 103 and the NMOS 104, the period T of charging or discharging time per stage of the inverters 105a to 105x is T = C / R (1 -Vt / VCC) ... It is represented by Formula (3). Further, the cycle T and the power supply voltage VCC have a relationship that the cycle T is substantially constant in a region where the power supply voltage VCC is equal to or higher than a certain voltage, and the cycle T increases exponentially below a certain voltage (see FIG. 7).

図1に示すように、第2の電流発生回路30の第1出力端子Vp2は、第2のスイッチング素子SW2を介してPMOS103のゲートと接続され、第2出力端子Vn2は、第4のスイッチング素子SW4を介してNMOS104のゲートと接続されている。   As shown in FIG. 1, the first output terminal Vp2 of the second current generation circuit 30 is connected to the gate of the PMOS 103 via the second switching element SW2, and the second output terminal Vn2 is the fourth switching element. It is connected to the gate of the NMOS 104 via SW4.

第2の電流発生回路30は、出力するバイアス電流(第2のバイアス電流)が電源電圧VCCに実質的に依存しない特性を有する。第2のバイアス電流は、電源電圧VCCに依存せずに一定であることが好ましい。換言すれば、第2の電流発生回路30は、電源電圧VCCの変化に対して出力するバイアス電流の変化の割合が上記第1の電流発生回路20よりも小さい。そして、電源電圧VCCに依存し難い一定の電流をインバータ105a〜105xに供給するものである。   The second current generation circuit 30 has a characteristic that the output bias current (second bias current) does not substantially depend on the power supply voltage VCC. The second bias current is preferably constant without depending on the power supply voltage VCC. In other words, the second current generation circuit 30 has a smaller change rate of the bias current output with respect to the change of the power supply voltage VCC than the first current generation circuit 20. A constant current that does not easily depend on the power supply voltage VCC is supplied to the inverters 105a to 105x.

第2の電流発生回路30の具体的な構成例について図3を参照して説明する。本実施形態の第2の電流発生回路30は、PMOS31,32、定電流発生回路33と、NMOS34を備えている。   A specific configuration example of the second current generation circuit 30 will be described with reference to FIG. The second current generation circuit 30 of this embodiment includes PMOSs 31 and 32, a constant current generation circuit 33, and an NMOS 34.

PMOS31,32のソースは電源供給端子106と接続されている。PMOS31のゲートとドレインは短絡しており、当該接続点と接地端子GNDとの間に定電流発生回路33が接続されている。定電流発生回路33は、印加される電圧に対して出力電流をほぼ一定に保つことができる回路であり、例えば一対のMOSトランジスタからなるカレントミラー回路で構成されるものである。   The sources of the PMOSs 31 and 32 are connected to the power supply terminal 106. The gate and drain of the PMOS 31 are short-circuited, and a constant current generating circuit 33 is connected between the connection point and the ground terminal GND. The constant current generating circuit 33 is a circuit that can maintain an output current substantially constant with respect to an applied voltage, and is configured by a current mirror circuit including a pair of MOS transistors, for example.

PMOS31のゲートはPMOS32のゲートと接続され、カレントミラー回路35が構成されている。PMOS31とPMOS32の接続点は、第1出力端子Vp2と接続され、第1出力端子Vp2から第2のスイッチング素子SW2を介してPMOS103の各ゲートにバイアス電流が供給される。つまり、PMOS31と各PMOS103とでカレントミラー回路が構成されている。   The gate of the PMOS 31 is connected to the gate of the PMOS 32 to constitute a current mirror circuit 35. A connection point between the PMOS 31 and the PMOS 32 is connected to the first output terminal Vp2, and a bias current is supplied from the first output terminal Vp2 to each gate of the PMOS 103 via the second switching element SW2. That is, the PMOS 31 and each PMOS 103 constitute a current mirror circuit.

また、PMOS32のドレインと接地端子GNDとの間には、ゲートとドレインが短絡したNMOS34が直列接続されている。PMOS32とNMOS34の接続点は第2出力端子Vn2と接続され、第2出力端子Vn2から第4のスイッチング素子SW4を介してNMOS104の各ゲートにバイアス電流が供給される。つまり、NMOS34と各NMOS104とでカレントミラー回路が構成されている。   An NMOS 34 whose gate and drain are short-circuited is connected in series between the drain of the PMOS 32 and the ground terminal GND. A connection point between the PMOS 32 and the NMOS 34 is connected to the second output terminal Vn2, and a bias current is supplied from the second output terminal Vn2 to each gate of the NMOS 104 via the fourth switching element SW4. That is, the NMOS 34 and each NMOS 104 constitute a current mirror circuit.

本構成例の第2の電流発生回路30に流れる電流Iの電流値は、定電流発生回路33の作用によって電源電圧VCCの変化に依存せず、ほぼ一定に保たれている。そして、カレントミラー回路の特性から、この電流Iと各インバータ105a〜105xに流れる電流Iは等しくなる。 The current value of the current I 2 flowing through the second current generation circuit 30 of this configuration example is kept almost constant without depending on the change of the power supply voltage VCC due to the action of the constant current generation circuit 33. Then, from the characteristic of the current mirror circuit, a current I flowing through this current I 2 to the inverter 105a~105x are equal.

第2の電流発生回路30からバイアス電流がPMOS103及びNMOS104のゲートに供給された場合、インバータ105a〜105xの一段当りの充電もしくは放電時間の周期Tは、式(2)と同様にT=C×VCC/I・・・式(4)で表される。ここで、本実施形態におけるCとIは一定値である。そのため、周期Tは図4に示すように電源電圧VCCに比例する関係を示す。 When a bias current is supplied from the second current generation circuit 30 to the gates of the PMOS 103 and the NMOS 104, the period T of charging or discharging time per stage of the inverters 105a to 105x is T = C × as in the equation (2). VCC / I 2 ... represented by the formula (4). Here, C and I 2 in the present embodiment are constant values. Therefore, the cycle T shows a relationship proportional to the power supply voltage VCC as shown in FIG.

また、図1に示すように、第1の電流発生回路20あるいは第2の電流発生回路30のいずれか一方を選択的にPMOS103及びNMOS104と接続させ、上記第1のバイアス電流あるいは第2のバイアス電流のいずれかを選択する選択回路40が設けられている。選択回路40は上述した第1〜第4のスイッチング素子SW1,SW2,SW3,SW4を含んで構成されている。例えば、ハイレベルの選択信号Φ(H)が選択回路40に印加された場合には第1及び第3のスイッチング素子SW1,SW3がオンして第2及び第4のスイッチング素子SW2,SW4がオフする。ロウレベルの選択信号Φ(L)が選択回路40に印加された場合には、その逆である。   Further, as shown in FIG. 1, either the first current generation circuit 20 or the second current generation circuit 30 is selectively connected to the PMOS 103 and the NMOS 104, and the first bias current or the second bias current is connected. A selection circuit 40 for selecting one of the currents is provided. The selection circuit 40 includes the above-described first to fourth switching elements SW1, SW2, SW3, SW4. For example, when a high-level selection signal Φ (H) is applied to the selection circuit 40, the first and third switching elements SW1 and SW3 are turned on and the second and fourth switching elements SW2 and SW4 are turned off. To do. When the low level selection signal Φ (L) is applied to the selection circuit 40, the opposite is true.

選択信号Φは電源電圧検知回路50によって生成される。電源電圧検知回路50は、電源供給端子106と接続され、電源電圧VCCのレベルを監視している。そして、電源電圧VCCが予め設計で定めた電圧(基準電圧Vxと称する)よりも大きい場合(以下、高電圧状態と称する)には、ハイレベルの選択信号Φ(H)を出力して第1の電流発生回路20による第1のバイアス電流を各インバータ105a〜105xに供給する。一方、電源電圧VCCが基準電圧Vxよりも小さい場合(以下、低電圧状態と称する)には、ロウレベルの選択信号Φ(L)を出力して第2の電流発生回路30による第2のバイアス電流を各インバータ105a〜105xに供給する。   The selection signal Φ is generated by the power supply voltage detection circuit 50. The power supply voltage detection circuit 50 is connected to the power supply terminal 106 and monitors the level of the power supply voltage VCC. When the power supply voltage VCC is larger than a voltage (referred to as a reference voltage Vx) determined in advance by design (hereinafter referred to as a high voltage state), a high level selection signal Φ (H) is output to output the first voltage. The first bias current from the current generation circuit 20 is supplied to each of the inverters 105a to 105x. On the other hand, when the power supply voltage VCC is lower than the reference voltage Vx (hereinafter referred to as a low voltage state), a low level selection signal Φ (L) is output and the second bias current generated by the second current generation circuit 30 is output. Is supplied to each of the inverters 105a to 105x.

このように、本実施形態では電源電圧VCCの大きさに対して出力するバイアス電流が変化する第1の電流発生回路20と、電源電圧VCCの変化に依存せずにインバータ105a〜105xに流れる電流を実質的に一定に制御する第2の電流発生回路30を配置し、基準電圧Vxを境にしてどちらのバイアス電流を各インバータ105a〜105xに供給するかを選択することができる。そして、切り換える地点(基準電圧Vx)を調整することによって、高電圧状態では電源電圧VCCに依存した電流Iを第1のバイアス電流としてリングオシレータを動作させ、低電圧状態では定電流発生回路33を利用した電流Iを第2のバイアス電流としてリングオシレータを動作させることとしている。 As described above, in the present embodiment, the first current generation circuit 20 in which the bias current to be output changes with respect to the magnitude of the power supply voltage VCC, and the current that flows in the inverters 105a to 105x without depending on the change in the power supply voltage VCC. The second current generation circuit 30 that controls the current substantially constant can be arranged to select which bias current is supplied to each of the inverters 105a to 105x with the reference voltage Vx as a boundary. Then, by adjusting the switching point (reference voltage Vx), the ring oscillator is operated with the current I 1 depending on the power supply voltage VCC as the first bias current in the high voltage state, and the constant current generating circuit 33 in the low voltage state. The ring oscillator is operated by using the current I 2 utilizing the current I 2 as the second bias current.

本実施形態の構成による周期Tと電源電圧VCCは、図5の実線で示すように、図4で示したグラフと図7で示したグラフの一部を組み合わせた関係となる。図5から判るように、電源電圧VCCが低く周期Tが指数的に変化する前に第1の電流発生回路20から第2の電流発生回路30との接続に切り換えることで、従来(図7参照)に比べて低電圧状態での周期Tの変化が緩やかになっている。逆に、電源電圧VCCが基準電圧Vxよりも大きくなったら、第2の電流発生回路30から第1の電流発生回路20との接続に切り換えることで周期Tが一定となる。   The period T and the power supply voltage VCC according to the configuration of the present embodiment have a relationship obtained by combining a part of the graph shown in FIG. 4 and a part of the graph shown in FIG. 7, as shown by the solid line in FIG. As can be seen from FIG. 5, by switching from the first current generation circuit 20 to the second current generation circuit 30 before the power supply voltage VCC is low and the period T exponentially changes, the conventional method (see FIG. 7). ), The change in the period T in the low voltage state is moderate. On the contrary, when the power supply voltage VCC becomes higher than the reference voltage Vx, the cycle T becomes constant by switching from the second current generation circuit 30 to the connection with the first current generation circuit 20.

このように本実施形態の構成によれば、高電圧状態では電源電圧VCCの変化に依存しない安定した周期のクロック信号を出力することができる。そして、低電圧状態であってもクロック信号の周期が急激に変化することを防止できる。そして、発振回路の動作について保証できる使用電源電圧の範囲を従来よりも低い電圧まで拡げることが可能である。   As described above, according to the configuration of the present embodiment, it is possible to output a clock signal having a stable cycle that does not depend on a change in the power supply voltage VCC in a high voltage state. And even if it is a low voltage state, it can prevent that the period of a clock signal changes rapidly. In addition, the range of the power supply voltage that can be guaranteed for the operation of the oscillation circuit can be expanded to a voltage lower than the conventional one.

なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなくその要旨を逸脱しない範囲で設計変更が可能であることは言うまでも無い。例えば、第1の電流発生回路20と第2の電流発生回路30の切り換え地点は、仕様上許容できる周期Tの範囲を考慮しながら任意に設定できる。本発明はリングオシレータ型の発振回路に広く適用できるものである。   Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the design can be changed without departing from the gist thereof. For example, the switching point between the first current generation circuit 20 and the second current generation circuit 30 can be arbitrarily set in consideration of the range of the period T that is allowable in the specification. The present invention is widely applicable to ring oscillator type oscillation circuits.

本発明の実施形態に係る発振回路を示す回路図である。It is a circuit diagram showing an oscillation circuit concerning an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る第1の電流発生回路の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram showing an example of the 1st current generating circuit concerning the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る第2の電流発生回路の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram showing an example of the 2nd current generating circuit concerning the embodiment of the present invention. 第2の電流発生回路によるバイアス電流をリングオシレータに供給した場合の周期Tと電源電圧VCCの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the period T at the time of supplying the bias current by a 2nd electric current generation circuit to a ring oscillator, and the power supply voltage VCC. 本実施形態に係る発振回路による周期Tと電源電圧VCCとの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the period T by the oscillation circuit which concerns on this embodiment, and the power supply voltage VCC. 従来の発振回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the conventional oscillation circuit. 従来の発振回路による周期Tと電源電圧VCCとの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the period T by the conventional oscillation circuit, and the power supply voltage VCC.

符号の説明Explanation of symbols

10 発振回路 20 第1の電流発生回路 30 第2の電流発生回路
31,32 Pチャネル型MOSトランジスタ 33 定電流発生回路
34 Nチャネル型MOSトランジスタ 35 カレントミラー回路
40 選択回路 50 電源電圧検知回路 101 リングオシレータ
102 電流発生回路 103 Pチャネル型MOSトランジスタ
104 Nチャネル型MOSトランジスタ 105a〜105x インバータ
106 電源供給端子 107,113 Pチャネル型MOSトランジスタ
108,110,111 Nチャネル型MOSトランジスタ
112 抵抗 114 カレントミラー回路
SW1〜SW4 第1〜第4のスイッチング素子 OUT 出力端子
VCC 電源電圧
Vp1 (第1の電流発生回路の)第1出力端子
Vn1 (第1の電流発生回路の)第2出力端子
Vp2 (第2の電流発生回路の)第1出力端子
Vn2 (第2の電流発生回路の)第2出力端子 GND 接地端子
C 容量素子 VCC 電源電圧 Φ 選択信号 CLK クロック信号
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Oscillation circuit 20 1st current generation circuit 30 2nd current generation circuit 31, 32 P channel type MOS transistor 33 Constant current generation circuit 34 N channel type MOS transistor 35 Current mirror circuit 40 Selection circuit 50 Power supply voltage detection circuit 101 Ring Oscillator 102 Current generation circuit 103 P-channel MOS transistor
104 N-channel MOS transistors 105a to 105x Inverter 106 Power supply terminal 107, 113 P-channel MOS transistors 108, 110, 111 N-channel MOS transistor 112 Resistor 114 Current mirror circuit
SW1 to SW4 First to fourth switching elements OUT Output terminal VCC Power supply voltage Vp1 (First current generation circuit) First output terminal Vn1 (First current generation circuit) Second output terminal Vp2 (Second First output terminal Vn2 (of the current generation circuit) Second output terminal (of the second current generation circuit) GND Ground terminal C Capacitance element VCC Power supply voltage Φ Selection signal CLK Clock signal

Claims (6)

複数のインバータが直列に接続され、クロック信号を出力するリングオシレータと、
電源電圧に依存する第1のバイアス電流を発生する第1の電流発生回路と、
電源電圧に依存しない第2のバイアス電流を発生する第2の電流発生回路と、
電源電圧が基準電圧よりも大きい場合には前記第1のバイアス電流を選択し、電源電圧が基準電圧よりも小さい場合には前記第2のバイアス電流を選択する選択回路と、
前記選択回路によって選択された前記第1のバイアス電流または前記第2のバイアス電流を前記インバータに供給する電流供給トランジスタとを備えることを特徴とする発振回路。
A ring oscillator in which a plurality of inverters are connected in series and outputs a clock signal;
A first current generating circuit for generating a first bias current depending on a power supply voltage;
A second current generating circuit for generating a second bias current independent of the power supply voltage;
A selection circuit that selects the first bias current when a power supply voltage is higher than a reference voltage, and that selects the second bias current when the power supply voltage is lower than a reference voltage;
An oscillation circuit comprising: a current supply transistor that supplies the first bias current or the second bias current selected by the selection circuit to the inverter.
前記第2の電流発生回路は、定電流発生回路を含むことを特徴とする請求項1に記載の発振回路。 The oscillation circuit according to claim 1, wherein the second current generation circuit includes a constant current generation circuit. 前記電流供給トランジスタは、
前記インバータの正側電極端子と接続された第1の電流供給トランジスタと、
前記インバータの負側電極端子と接続された第2の電流供給トランジスタとから成ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発振回路。
The current supply transistor is:
A first current supply transistor connected to the positive electrode terminal of the inverter;
3. The oscillation circuit according to claim 1, further comprising a second current supply transistor connected to the negative electrode terminal of the inverter.
前記第1の電流発生回路は、
前記第2の電流供給トランジスタとカレントミラー回路を構成する第1のトランジスタと、
電源供給端子と前記第1のトランジスタの間に接続された抵抗と、
前記第1のトランジスタとカレントミラー回路を構成する第2のトランジスタと、
前記電源供給端子と前記第2のトランジスタとの間に直列接続され、前記第1の電流供給トランジスタとカレントミラー回路を構成する第3のトランジスタとを備えることを特徴とする請求項3に記載の発振回路。
The first current generation circuit includes:
A first transistor constituting a current mirror circuit with the second current supply transistor;
A resistor connected between a power supply terminal and the first transistor;
A second transistor constituting a current mirror circuit with the first transistor;
4. The device according to claim 3, further comprising a third transistor that is connected in series between the power supply terminal and the second transistor, and that forms a current mirror circuit with the first current supply transistor. Oscillator circuit.
前記第2の電流発生回路は、前記第1の電流供給トランジスタとカレントミラー回路を構成する第4のトランジスタと、
前記第4のトランジスタと直列接続された定電流発生回路とを備えることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の発振回路。
The second current generation circuit includes a fourth transistor that forms a current mirror circuit with the first current supply transistor;
The oscillation circuit according to claim 3, further comprising: a constant current generation circuit connected in series with the fourth transistor.
前記第4のトランジスタとカレントミラー回路を構成する第5のトランジスタと、前記第5のトランジスタと直列接続され、前記第2の電流供給トランジスタとカレントミラー回路を構成する第6のトランジスタを備えることを特徴とする請求項5に記載の発振回路。 A fifth transistor that forms a current mirror circuit with the fourth transistor; and a sixth transistor that is connected in series with the fifth transistor and forms a current mirror circuit with the second current supply transistor. The oscillation circuit according to claim 5.
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