JP2012104700A - Substrate processing system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、少なくとも一つの基板処理装置と該基板処理装置を管理する郡管理装置とで構成される基板処理システムに関し、特に基板処理システムにおける基板処理を監視するものである。 The present invention relates to a substrate processing system including at least one substrate processing apparatus and a group management apparatus that manages the substrate processing apparatus, and more particularly to monitoring substrate processing in the substrate processing system.
半導体製造工場(以下、工場)では、決められた順に(スケジューリングされて)各製造工程(成膜、露光、エッチングなど)に材料(基板)を投入し、材料処理を実施していくことで、最終的な製品を完成させている。 In semiconductor manufacturing factories (hereinafter referred to as factories), by introducing materials (substrates) into each manufacturing process (film formation, exposure, etching, etc.) in a predetermined order (scheduled) and carrying out material processing, The final product is completed.
各製造工程には、同一の材料処理を行う基板処理の一種である半導体製造装置(以下、装置)が多数設置されており、レシピを実行することで、材料処理を行う。各レシピは材料処理条件によって、所要時間が決まっている。しかし、実際に材料処理を実行すると、ほとんどの場合、所要時間をオーバーして材料処理を終了する。 In each manufacturing process, a large number of semiconductor manufacturing apparatuses (hereinafter referred to as apparatuses) which are a kind of substrate processing for performing the same material processing are installed, and material processing is performed by executing a recipe. The time required for each recipe is determined by the material processing conditions. However, when material processing is actually executed, in most cases, the required time is exceeded and the material processing ends.
所要時間をオーバーする要因としては、以下のものがある。
(1)材料搬送の遅延
当該材料処理の前後に実行された材料処理の材料の搬入出処理と当該材料処理で使用する材料の反応炉への移動のタイミングが重なった場合、反応炉への材料移動が待たされる場合がある。
(2)処理条件待ちによる遅延
材料処理を行うためには、反応炉内を処理が可能な状態(温度、成膜ガスの充填量、圧力などの炉内雰囲気を安定した状態)にする必要があるが、材料処理前の装置の状態や処理する基板の枚数によって、この状態になるまでの時間が変動する。この時間が予定よりも長くなると遅延が発生したことになる。
Factors that exceed the required time include the following.
(1) Delay in material conveyance When the timing of material loading / unloading processing performed before and after the material processing overlaps with the timing of movement of the material used in the material processing to the reaction furnace, the material to the reaction furnace There is a case where the movement is waited.
(2) In order to perform delayed material processing by waiting for processing conditions, it is necessary to make the inside of the reactor ready for processing (temperature, filling amount of film forming gas, pressure and other furnace atmospheres are stable). However, the time until this state varies depending on the state of the apparatus before material processing and the number of substrates to be processed. If this time is longer than planned, a delay has occurred.
各工程間での材料処理は、各レシピの所要時間を元にある程度の遅延を考慮して、次工程処理の開始時刻が決定されているものの、遅延時間が予想以上に大きくなった場合、次工程以降、全ての工程の開始・終了時刻に影響し、製品の生産量低下、生産納期遅延に繋がる可能性がある。 In the material processing between each process, the start time of the next process is determined in consideration of a certain delay based on the time required for each recipe, but if the delay time becomes longer than expected, After the process, it affects the start and end times of all processes, which may lead to a decrease in product production and a delay in production delivery.
従来、レシピの残時間の監視を行っていた。例えば、特許文献1によれば、レシピを構成する所定のステップにエラーが発生し、レシピ総時間を変動させる前記所定のステップの移行を検知されると、前記レシピ総時間及びレシピ残時間が演算され、演算された結果に更新して表示することが行われている。また、レシピを構成するステップ毎に、設定時間を指定して条件待ち時間を超えた場合にアラームを発生するなどの処理を行い、条件待ち時間の監視を行うことはされていた。例えば、特許文献2参照。 Conventionally, the remaining time of the recipe has been monitored. For example, according to Patent Document 1, when an error occurs in a predetermined step constituting a recipe and the transition of the predetermined step for changing the total recipe time is detected, the total recipe time and the remaining recipe time are calculated. The updated result is displayed. In addition, for each step constituting the recipe, processing such as generating an alarm when a set time is specified and the conditional waiting time is exceeded is performed to monitor the conditional waiting time. For example, see Patent Document 2.
材料の遅延時間を監視することで、次工程での材料処理のスケジュールを調整可能にする基板処理システムを提供することである。 It is an object of the present invention to provide a substrate processing system that can adjust a material processing schedule in the next process by monitoring a material delay time.
本発明の特徴とするところは、基板を処理する基板処理装置と、前記基板処理装置の少なくとも一台に接続される管理装置を含む基板処理システムであって、基板処理の遅延許容時間を設定する機能と、材料処理の遅延時間を監視する機能と、材料処理の遅延時間が遅延許容時間を超えた場合に通知する機能とを備えたことである。 A feature of the present invention is a substrate processing system including a substrate processing apparatus for processing a substrate and a management apparatus connected to at least one of the substrate processing apparatuses, and sets a delay time for substrate processing. A function, a function of monitoring the delay time of the material processing, and a function of notifying when the delay time of the material processing exceeds the allowable delay time.
本発明によれば、各装置の材料処理の遅延時間に応じて、次工程の材料処理スケジュールを調整することにより、各装置を効率的に稼動させることができ、工場の生産性を図ることができる。 According to the present invention, by adjusting the material processing schedule of the next process according to the delay time of the material processing of each device, each device can be operated efficiently and the factory productivity can be improved. it can.
まず、図1を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの構成及び動作について説明する。 First, the configuration and operation of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
図1に示すとおり、基板処理システム1は、基板(材料)に処理を行う少なくとも一台以上の装置としての基板処理装置100と、基板処理装置100に接続されるホストコンピュータとしての管理装置10とを備える。各基板処理装置100は、生産工程を管理するホストコンピュータ(以下、ホスト)10と共に、工場のネットワークに接続されている。尚、基板処理装置100とホスト10との接続は、通信ケーブル等による直接接続であっても良いし、構内回線を介したネットワーク接続でも良いし、インターネットや専用線網などの広域回線を介したネットワーク接続であっても良い。このような構成において、各基板処理装置100は、ホスト10からの材料搬入出の指示や運転開始指示などを受けて、材料(基板)処理を行い、ホスト10に稼動状態や障害を含む各種情報を送信している。また、送信する情報(データ)は、基板処理装置100で生成される情報を全て送信しても良いし、予め設定された所定の情報のみを送信するようにしても良い。各基板処理装置100には、実行中のレシピの終了までの残時間と材料処理条件成立まで待つことによって発生した遅延時間を少なくともリアルタイムで表示する表示部を少なくとも備えた操作部(操作端末)300を有する。この操作部300は、表示部だけでなく、図示しない基板処理装置100の搬送系を制御(コントロール)する搬送制御部、基板処理装置100の処理系を制御(コントロール)する処理制御部、基板処理装置100で実行される所定のレシピや所定のプログラム等の各種ファイルを記憶する記憶部を少なくとも有する。また、各基板処理装置100では、レシピの実行に関して、後述する遅延許容時間を操作端末300の表示部に表示された操作画面上で設定できるように構成されている。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a substrate processing apparatus 100 as at least one apparatus that processes a substrate (material), and a management apparatus 10 as a host computer connected to the substrate processing apparatus 100. Is provided. Each substrate processing apparatus 100 is connected to a factory network together with a host computer (hereinafter referred to as a host) 10 that manages production processes. The connection between the substrate processing apparatus 100 and the host 10 may be a direct connection using a communication cable or the like, a network connection via a local line, or a wide area line such as the Internet or a dedicated line network. It may be a network connection. In such a configuration, each substrate processing apparatus 100 receives a material carry-in / out instruction or an operation start instruction from the host 10, performs a material (substrate) process, and various information including an operating state and a failure in the host 10. Is sending. Moreover, as the information (data) to be transmitted, all information generated by the substrate processing apparatus 100 may be transmitted, or only predetermined information set in advance may be transmitted. Each substrate processing apparatus 100 includes an operation unit (operation terminal) 300 including at least a display unit that displays a remaining time until completion of a recipe being executed and a delay time generated by waiting for material processing conditions to be satisfied at least in real time. Have The operation unit 300 includes not only a display unit, but also a transfer control unit that controls a transfer system (not shown) of the substrate processing apparatus 100, a process control unit that controls (controls) the processing system of the substrate processing apparatus 100, and a substrate processing. The storage unit stores at least various files such as a predetermined recipe and a predetermined program executed by the apparatus 100. In addition, each substrate processing apparatus 100 is configured such that a delay allowable time, which will be described later, can be set on the operation screen displayed on the display unit of the operation terminal 300 regarding the execution of the recipe.
次に、図2乃至図3を参照して本発明に係る装置としての基板処理装置を説明する。 Next, a substrate processing apparatus as an apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.
基板処理装置は、本実施の形態においては、半導体装置(IC)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。
なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD処理などを行う縦型の装置(以下、単に基板処理装置という)を適用した場合について説明する。
In the present embodiment, the substrate processing apparatus is configured as a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing steps in a method of manufacturing a semiconductor device (IC).
In the following description, a case will be described in which a vertical apparatus (hereinafter simply referred to as a substrate processing apparatus) that performs oxidation, diffusion processing, CVD processing, or the like is applied to a substrate as the substrate processing apparatus.
図2は、本発明に適用される基板処理装置の平面透視図として示されている。また、図3は図2に示す基板処理装置の側面透視図である。
図2及び図3に示されているように、シリコン等からなるウエハ(基板)200を収納したウエハキャリアとしてフープ(基板収容器。以下ポッドという。)110が使用されている本発明の基板処理装置100は、筐体111を備えている。
筐体111の正面壁111aの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設され、この正面メンテナンス口103を開閉する正面メンテナンス扉104、104がそれぞれ建て付けられている。
筐体111の正面壁111aにはポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が筐体111の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口112はフロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口112の正面前方側にはロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されており、ロードポート114はポッド110を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド110はロードポート114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出されるようになっている。
FIG. 2 is a plan perspective view of the substrate processing apparatus applied to the present invention. FIG. 3 is a side perspective view of the substrate processing apparatus shown in FIG.
As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate processing of the present invention uses a hoop (substrate container; hereinafter referred to as a pod) 110 as a wafer carrier containing a wafer (substrate) 200 made of silicon or the like. The apparatus 100 includes a housing 111.
A front maintenance port 103 as an opening provided for maintenance is opened at the front front portion of the front wall 111a of the casing 111, and front maintenance doors 104 and 104 for opening and closing the front maintenance port 103 are respectively built. It is attached.
A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the front wall 111a of the casing 111 so as to communicate between the inside and the outside of the casing 111. The pod loading / unloading port 112 has a front shutter (substrate container loading / unloading port). The loading / unloading opening / closing mechanism 113 is opened and closed.
A load port (substrate container delivery table) 114 is installed in front of the front side of the pod loading / unloading port 112, and the load port 114 is configured so that the pod 110 is placed and aligned. The pod 110 is carried onto the load port 114 by an in-process carrying device (not shown), and is also carried out from the load port 114.
筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚(基板収容器載置棚)105が設置されており、回転式ポッド棚105は複数個のポッド110を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚105は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116と、支柱116に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板(基板収容器載置台)117とを備えており、複数枚の棚板117はポッド110を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体111内におけるロードポート114と回転式ポッド棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されており、ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されており、ポッド搬送装置118はポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間で、ポッド110を搬送するように構成されている。
A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at an upper portion of the casing 111 in a substantially central portion in the front-rear direction. The rotary pod shelf 105 stores a plurality of pods 110. It is configured. That is, the rotary pod shelf 105 is vertically arranged and intermittently rotated in a horizontal plane, and a plurality of shelf plates (substrate container mounts) radially supported by the column 116 at each of the four upper and lower positions. And a plurality of shelf plates 117 are configured to hold the pods 110 in a state where a plurality of pods 110 are respectively placed.
A pod transfer device (substrate container transfer device) 118 is installed between the load port 114 and the rotary pod shelf 105 in the housing 111, and the pod transfer device 118 moves up and down while holding the pod 110. A pod elevator (substrate container lifting mechanism) 118a and a pod transfer mechanism (substrate container transfer mechanism) 118b as a transfer mechanism are configured. The pod transfer device 118 includes a pod elevator 118a and a pod transfer mechanism 118b. The pod 110 is transported between the load port 114, the rotary pod shelf 105, and the pod opener (substrate container lid opening / closing mechanism) 121 by continuous operation.
筐体111内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体119が後端にわたって構築されている。
サブ筐体119の正面壁119aにはウエハ200をサブ筐体119内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口120、120には一対のポッドオープナ121、121がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ121はポッド110を載置する載置台122、122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123、123とを備えている。ポッドオープナ121は載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ
口を開閉するように構成されている。
A sub-housing 119 is constructed across the rear end of the lower portion of the housing 111 at a substantially central portion in the front-rear direction.
A pair of wafer loading / unloading ports (substrate loading / unloading ports) 120 for loading / unloading the wafer 200 into / from the sub-casing 119 are arranged on the front wall 119a of the sub-casing 119 in two vertical stages. A pair of pod openers 121 and 121 are installed at the wafer loading / unloading ports 120 and 120 at the upper and lower stages, respectively.
The pod opener 121 includes mounting bases 122 and 122 on which the pod 110 is placed, and cap attaching / detaching mechanisms (lid attaching / detaching mechanisms) 123 and 123 for attaching and detaching caps (lids) of the pod 110. The pod opener 121 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123.
サブ筐体119はポッド搬送装置118や回転式ポッド棚105の設置空間から流体的に隔絶された移載室124を構成している。移載室124の前側領域にはウエハ移載機構(基板移載機構)125が設置されており、ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転乃至直動可能なウエハ移載装置(基板移載装置)125a及びウエハ移載装置125aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bとで構成されている。
これら、ウエハ移載装置エレベータ125b及びウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ移載装置125aのツイーザ(基板保持体)125cをウエハ200の載置部として、ボート(基板保持具)217に対してウエハ200を装填(チャージング)及び脱装(ディスチャージング)するように構成されている。
The sub-housing 119 constitutes a transfer chamber 124 that is fluidly isolated from the installation space of the pod transfer device 118 and the rotary pod shelf 105. A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124, and the wafer transfer mechanism 125 is a wafer transfer device (rotation or linear movement of the wafer 200 in the horizontal direction). A substrate transfer device) 125a and a wafer transfer device elevator (substrate transfer device lifting mechanism) 125b for moving the wafer transfer device 125a up and down.
By the continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a, the tweezer (substrate holder) 125c of the wafer transfer device 125a is used as a placement portion for the wafer 200 with respect to the boat (substrate holder) 217. The wafer 200 is loaded (charged) and unloaded (discharged).
図2に示されているように移載室124のウエハ移載装置エレベータ125b側と反対側である右側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134が設置されており、ウエハ移載装置125aとクリーンユニット134との間には、ウエハ200の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置135が設置されている。
クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、ノッチ合わせ装置135及びウエハ移載装置125aに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体111の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再びクリーンユニット134によって、移載室124内に吹き出されるように構成されている。
As shown in FIG. 2, the supply chamber 124 is supplied with a clean atmosphere 133 or an inert gas supplied to the right end of the transfer chamber 124 opposite to the wafer transfer apparatus elevator 125 b side. A clean unit 134 composed of a fan and a dustproof filter is installed. Between the wafer transfer device 125a and the clean unit 134, a notch alignment as a substrate alignment device for aligning the circumferential position of the wafer 200 is provided. A device 135 is installed.
The clean air 133 blown out from the clean unit 134 is circulated to the notch aligning device 135 and the wafer transfer device 125a, and then sucked in by a duct (not shown) to be exhausted to the outside of the housing 111, or clean. The unit 134 is circulated to the primary side (supply side) which is the suction side, and is again blown into the transfer chamber 124 by the clean unit 134.
移載室124の後側領域には、大気圧未満の圧力(以下、負圧という。)を維持可能な機密性能を有する筐体(以下、耐圧筐体という。)140が設置されており、この耐圧筐体140によりボート217を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室141が形成されている。
耐圧筐体140の正面壁140aにはウエハ搬入搬出開口(基板搬入搬出開口)142が開設されており、ウエハ搬入搬出開口142はゲートバルブ(基板搬入搬出口開閉機構)143によって開閉されるようになっている。耐圧筐体140の一対の側壁にはロードロック室141へ窒素ガスを給気するためのガス供給管144と、ロードロック室141を負圧に排気するための排気管145とがそれぞれ接続されている。 ロードロック室141上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は炉口ゲートバルブ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。耐圧筐体140の正面壁140aの上端部には、炉口ゲートバルブ147を処理炉202の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー149が取り付けられている。
In the rear region of the transfer chamber 124, a casing (hereinafter referred to as a pressure-resistant casing) 140 having a confidential performance capable of maintaining a pressure lower than atmospheric pressure (hereinafter referred to as negative pressure) is installed. A load lock chamber 141 which is a load lock type standby chamber having a capacity capable of accommodating the boat 217 is formed by the pressure-resistant housing 140.
A wafer loading / unloading opening (substrate loading / unloading opening) 142 is formed in the front wall 140a of the pressure-resistant housing 140, and the wafer loading / unloading opening 142 is opened and closed by a gate valve (substrate loading / unloading opening / closing mechanism) 143. It has become. A gas supply pipe 144 for supplying nitrogen gas to the load lock chamber 141 and an exhaust pipe 145 for exhausting the load lock chamber 141 to a negative pressure are connected to the pair of side walls of the pressure-resistant housing 140, respectively. Yes. A processing furnace 202 is provided above the load lock chamber 141. The lower end portion of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace port gate valve (furnace port opening / closing mechanism) 147. A furnace port gate valve cover 149 that accommodates the furnace port gate valve 147 when the lower end portion of the processing furnace 202 is opened is attached to the upper end portion of the front wall 140 a of the pressure-resistant housing 140.
図2に示されるように、耐圧筐体140にはボート217を昇降させるためのボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設置される。ボートエレベータ115に連結された連結具としてのアーム128には蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219はボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成される。
ボート217は複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成される。
As shown in FIG. 2, a boat elevator (substrate holder lifting mechanism) 115 for raising and lowering the boat 217 is installed in the pressure-resistant housing 140. A seal cap 219 serving as a lid is horizontally installed on an arm 128 serving as a connector connected to the boat elevator 115, and the seal cap 219 supports the boat 217 vertically and closes the lower end of the processing furnace 202. Configured as possible.
The boat 217 includes a plurality of holding members so that a plurality of (for example, about 50 to 125) wafers 200 are horizontally held in a state where their centers are aligned in the vertical direction. Composed.
次に、本発明の基板処理装置の動作について説明する。
図2及び図3に示されるように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放され、ロードポート114の上のポッド110はポッド搬送装置118によって筐体111の内部へポッド搬入搬出口112から搬入される。
搬入されたポッド110は回転式ポッド棚105の指定された棚板117へポッド搬送装置118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板117から一方のポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載される。この際、ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124にはクリーンエア133として窒素ガスが充満されることにより、酸素濃度が20ppm以下と、筐体111の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
Next, the operation of the substrate processing apparatus of the present invention will be described.
As shown in FIGS. 2 and 3, when the pod 110 is supplied to the load port 114, the pod loading / unloading port 112 is opened by the front shutter 113, and the pod 110 on the load port 114 is moved by the pod transfer device 118. A pod loading / unloading port 112 is loaded into the housing 111.
The loaded pod 110 is automatically transported and delivered by the pod transport device 118 to the designated shelf 117 of the rotary pod shelf 105, temporarily stored, and then one pod opener from the shelf 117. It is conveyed to 121 and transferred to the mounting table 122, or directly transferred to the pod opener 121 and transferred to the mounting table 122. At this time, the wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 123, and the transfer chamber 124 is filled with clean air 133. For example, the transfer chamber 124 is filled with nitrogen gas as clean air 133, so that the oxygen concentration is set to 20 ppm or less, which is much lower than the oxygen concentration inside the casing 111 (atmosphere).
載置台122に載置されたポッド110はその開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ポッド110のウエハ出し入れ口が開放される。
また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室141のウエハ搬入搬出開口142がゲートバルブ143の動作により開放されると、ウエハ200はポッド110からウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置135にてウエハを整合した後、ウエハ搬入搬出開口142を通じてロードロック室141に搬入され、ボート217へ移載されて装填(ウエハチャージング)される。
ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aはポッド110に戻り、次のウエハ200をボート217に装填する。
The pod 110 mounted on the mounting table 122 has its opening-side end face pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 120 on the front wall 119a of the sub-housing 119, and the cap is removed by the cap attaching / detaching mechanism 123. The wafer loading / unloading port of the pod 110 is opened.
Further, when the wafer loading / unloading opening 142 of the load lock chamber 141 whose interior is previously set at atmospheric pressure is opened by the operation of the gate valve 143, the wafer 200 is removed from the pod 110 by the tweezer 125c of the wafer transfer device 125a. After being picked up through the loading / unloading port and aligned with the notch aligner 135, the wafer is loaded into the load lock chamber 141 through the wafer loading / unloading opening 142, transferred to the boat 217, and loaded (wafer charging).
The wafer transfer device 125 a that has transferred the wafer 200 to the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 200 into the boat 217.
この一方(上段または下段)のポッドオープナ121におけるウエハ移載装置125aによるウエハ200のボート217への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオープナ121には回転式ポッド棚105乃至ロードポート114から別のポッド110がポッド搬送装置118によって搬送され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。 During the loading operation of the wafer 200 to the boat 217 by the wafer transfer device 125a in the one (upper or lower) pod opener 121, the other (lower or upper) pod opener 121 has the rotary pod shelf 105 to the load port. Another pod 110 is transferred from 114 by the pod transfer device 118, and the opening operation of the pod 110 by the pod opener 121 is simultaneously performed.
予め指定された枚数のウエハ200がボート217装填されると、ウエハ搬入搬出開口142がゲートバルブ143によって閉じられ、ロードロック室141は排気管145から真空引きされることにより、減圧される。ロードロック室141が処理炉202内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉202の下端部が炉口ゲートバルブ147によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ147は炉口ゲートバルブカバー149の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ219がボートエレベータ115の昇降台161によって上昇されて、シールキャップ219に支持されたボート217が処理炉202内へ搬入(ローディング)されていく。
When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the wafer loading / unloading opening 142 is closed by the gate valve 143, and the load lock chamber 141 is evacuated from the exhaust pipe 145 to be decompressed. When the load lock chamber 141 is reduced to the same pressure as that in the processing furnace 202, the lower end portion of the processing furnace 202 is opened by the furnace port gate valve 147. At this time, the furnace port gate valve 147 is carried into and stored in the furnace port gate valve cover 149.
Subsequently, the seal cap 219 is lifted by the lift table 161 of the boat elevator 115, and the boat 217 supported by the seal cap 219 is loaded into the processing furnace 202.
ローディング後は、処理炉202内が所定の圧力(処理圧力)、所定の温度(目標温度)に調整され、処理炉202にてウエハ200に任意の処理が実施される。処理後は、ボートエレベータ115によりボート217が引き出され、更に、ロードロック室141内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ143が開かれる。その後は、ノッチ合わせ装置135でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ200及びポッド110は筐体111の外部へ払い出される。 After loading, the inside of the processing furnace 202 is adjusted to a predetermined pressure (processing pressure) and a predetermined temperature (target temperature), and arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the processing, the boat 217 is pulled out by the boat elevator 115, and the gate valve 143 is opened after the pressure inside the load lock chamber 141 is restored to atmospheric pressure. After that, the wafer 200 and the pod 110 are discharged to the outside of the casing 111 by the reverse procedure described above except for the wafer alignment process in the notch aligner 135.
次に、図4を用いて、本実施の形態における遅延許容時間について説明する。図4は、本発明の基板処理システムにおける各基板処理装置100の操作画面としての表示部に示すものであって、各基板処理装置100の稼動状態を表示する一例である。図4では、温度に関する情報を表示する温度状態表示領域と、圧力に関する情報を表示する圧力情報表示領域と、ガス流量に関する情報を表示するガス流量表示領域と、基板の搬送状況を表示する材料状態表示領域と、レシピの進捗状況を表示するレシピ進行状況表示領域とを表示する部分と、運転制御用の設定のための各種ボタンを表示する部分とを備えた操作画面を一例として示す。 Next, the delay allowable time in the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows an example of displaying the operating state of each substrate processing apparatus 100, which is shown in the display section as an operation screen of each substrate processing apparatus 100 in the substrate processing system of the present invention. In FIG. 4, a temperature state display area for displaying information on temperature, a pressure information display area for displaying information on pressure, a gas flow rate display area for displaying information on gas flow rate, and a material state for displaying the substrate transfer status An operation screen having a display area, a part for displaying a recipe progress status display area for displaying the progress status of the recipe, and a part for displaying various buttons for setting for operation control is shown as an example.
図4で示されるように、レシピ進行状況表示領域には、少なくともレシピ残時間と、遅延時間と、遅延許容時間とを表示するよう構成されている。 As shown in FIG. 4, the recipe progress status display area is configured to display at least the remaining recipe time, the delay time, and the allowable delay time.
本実施の形態において、図4とほぼ構成を同じにした設定画面にてレシピを作成するため、上記温度、圧力、ガス流量等が設定されるのと同様に遅延許容時間が設定される。レシピが実行されると、図4に示すように基板処理装置100の稼動状態が表示されるように構成されている。ここで、図示されていないが、レシピ進行状況表示領域にレシピを構成する各ステップの残時間及び遅延時間と遅延許容時間を表示するようにしてもかまわない。 In this embodiment, since the recipe is created on the setting screen having substantially the same configuration as that in FIG. 4, the delay allowable time is set in the same manner as the above-described temperature, pressure, gas flow rate, and the like are set. When the recipe is executed, the operation state of the substrate processing apparatus 100 is displayed as shown in FIG. Although not shown, the remaining time, delay time, and allowable delay time of each step constituting the recipe may be displayed in the recipe progress display area.
尚、温度に関する情報を表示する温度状態表示領域と、圧力に関する情報を表示する圧力情報表示領域と、ガス流量に関する情報を表示するガス流量表示領域と、基板の搬送状況を表示する材料状態表示領域と、レシピの進捗状況を表示するレシピ進行状況表示領域とを表示する部分とを個別に表示するようにしても構わない。但し、この場合、運転制御用の設定のための各種ボタンを表示する部分と各表示領域とは同じ画面に表示するよう構成される。 It should be noted that a temperature state display area for displaying information on temperature, a pressure information display area for displaying information on pressure, a gas flow rate display area for displaying information on gas flow rate, and a material state display area for displaying the substrate transport status And a portion for displaying a recipe progress status display area for displaying the progress status of the recipe may be individually displayed. However, in this case, a portion for displaying various buttons for setting for operation control and each display area are configured to be displayed on the same screen.
図5は、本実施の形態にかかる遅延時間監視処理プログラムのフローを示すものである。 FIG. 5 shows a flow of the delay time monitoring processing program according to the present embodiment.
遅延時間監視処理プログラムが開始される。遅延時間監視処理プログラムの開始は、レシピが実行する指示、例えば、ホストからの運転開始指示を受けた場合に開始される。尚、起動時に各基板処理装置で自動的に開始されるようにしてもよい。 The delay time monitoring processing program is started. The delay time monitoring processing program starts when an instruction to be executed by the recipe, for example, an operation start instruction from the host is received. Note that each substrate processing apparatus may be automatically started at the time of activation.
次に、レシピ残時間および遅延時間の更新処理が行われる。実行中のレシピの所要時間から経過時間を引きながら、レシピの残時間を更新していく。処理条件が成立していない場合、例えば、成立待ちの経過時間を加算しながら遅延時間の更新を行っていく。 Next, a process for updating the remaining recipe time and the delay time is performed. The remaining time of the recipe is updated while subtracting the elapsed time from the time required for the recipe being executed. When the processing condition is not satisfied, for example, the delay time is updated while adding the elapsed time for waiting for establishment.
そして、レシピ残時間および遅延時間の更新後、遅延時間と遅延許容時間との比較を行う。遅延時間が遅延許容時間内であれば、そのまま終了し、遅延時間が許容時間をオーバーしている場合は、当該装置を管理しているホストに対して、遅延許容時間オーバーの警告を行い終了する。 Then, after the recipe remaining time and the delay time are updated, the delay time is compared with the allowable delay time. If the delay time is within the allowable delay time, the process ends. If the delay time exceeds the allowable time, the host managing the device is warned that the allowable delay time is exceeded and the process ends. .
そして、ホストはこの警告を受けた段階で、次工程の材料処理の開始時刻に影響あるかどうかを判断することができ、影響有と判断した場合は、次工程の材料処理の再スケジュールを行うことができる。 When the host receives this warning, it can determine whether there is an effect on the start time of material processing for the next process. If it is determined that there is an effect, it reschedules the material processing for the next process. be able to.
なお、本発明の実施の形態では、半導体製造装置として縦型の基板処理装置を説明したが枚葉式の基板処理装置や横型の基板処理装置にも適用できる。また、基板(ウエハ)を処理する半導体製造装置だけでなく、LCD装置のようなガラス基板を処理する処理装置にも適用することができる。
このように、本発明は種々の改変が可能であり、本発明はこのように改変された発明に及ぶことは当然である。
In the embodiment of the present invention, the vertical substrate processing apparatus has been described as the semiconductor manufacturing apparatus. However, the present invention can also be applied to a single wafer processing apparatus and a horizontal substrate processing apparatus. Further, the present invention can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus that processes a substrate (wafer) but also to a processing apparatus that processes a glass substrate such as an LCD device.
As described above, the present invention can be modified in various ways, and the present invention naturally extends to the invention thus modified.
100 基板処理装置
200 ウエハ(基板)
300 操作端末(操作部)
100 substrate processing apparatus 200 wafer (substrate)
300 Operation terminal (operation unit)
Claims (1)
前記基板処理装置は、
少なくとも基板処理の遅延許容時間を設定する機能と、
材料処理の遅延時間を監視する機能と、
前記基板処理装置における材料処理の遅延時間が遅延許容時間を超えた場合に前記管理装置に通知する機能を備えた基板処理システム。
A substrate processing system including a substrate processing apparatus for processing a substrate and a management apparatus connected to at least one of the substrate processing apparatuses,
The substrate processing apparatus includes:
A function for setting at least a substrate processing delay allowable time; and
The ability to monitor material processing delays;
A substrate processing system having a function of notifying the management apparatus when a delay time of material processing in the substrate processing apparatus exceeds an allowable delay time.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010252879A JP2012104700A (en) | 2010-11-11 | 2010-11-11 | Substrate processing system |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014183280A (en) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Tokyo Electron Ltd | Magnetically annealing device |
-
2010
- 2010-11-11 JP JP2010252879A patent/JP2012104700A/en active Pending
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