JP4003866B2 - Surface mount type light emitting diode and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面実装型発光ダイオード(以下LEDと略記する)及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LEDはGaPやGaN等のIII−V族の化合物半導体ウエハ上にPN接合を形成し、これに順方向電流を通じて可視光又は近赤外光の発光を得るものであり、近年表示、通信、計測、制御等に広く応用されている。しかし、このような従来のLEDの発光色は限られた色調のものしか存在しない。そこで、所望のカラー光源を得ようと、GaN系のLEDにおいて、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止樹脂中に蛍光物質や着色剤を含有させる試みがあった。このような従来のLEDの一例を、図面により説明する。
【0003】
図5は従来のLED50の縦断面図である。51は両面銅箔張りのBTレジン樹脂等より成る配線基板であり、配線基板51の両面銅箔部にはメッキレジストをラミネートし、露光現像して配線パターンを形成し、更にその上に金メッキ等の表面処理を施してある。52は、上面電極52aから側面電極52bを経由して下面電極52cに至る配線パターンである一方の電極パターンであり、53は、同じく上面電極53aから側面電極53bを経由して下面電極53cに至る他方の電極パターンである。
【0004】
54は、配線基板51上に形成されたダイパターンである。55は、上面電極52aに一方の電極を銀ペーストによりダイボンディングしたGaN系の青色LED素子である。56はAu線等より成るワイヤであり、ワイヤ56によって、LED素子55の一方の電極が上面電極52aと、他方の電極が上面電極53aとワイヤボンディングされている。57は、LED素子55、LED素子55の接続部及びワイヤ56等の保護と、LED素子55の発光を効果的にすることのためにこれらを封止している、透光性のエポキシ樹脂等から成る封止樹脂である。封止樹脂57には予め蛍光物質(YAG蛍光体)若しくは着色剤のいずれか一方又は両方を含有させてある。
【0005】
もし、封止樹脂57の中に蛍光物質のみを含有する場合には、LED50を発光させると、LED素子55を発して蛍光物質に当たった青色光は黄色に変化して出射し、蛍光物質に当たらなかった光は青色のまま出射することになる。従って出射光は黄色と青色とが混色となって白色光となる。もし封止樹脂57の中に着色剤のみを含有する場合には、LED50の青色と着色剤の色調とが混色となった色調の出射光となる。もし、封止樹脂57内に蛍光物質及び着色剤を含有させた場合には、白色光と着色剤の色調の光との混色により所望の発光色を得ることができるというものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のこのようなLEDでは、蛍光物質は、封止樹脂よりも比重が大きいために、樹脂に混入後キュアー炉で樹脂を硬化させる過程において蛍光物質が沈殿してしまい、樹脂内に均一に拡散させることができない。また、着色剤の量を微調整することが難しく、量産上色度や輝度のバラツキが避けられず、色度の選別工程が欠かせなかった。また、樹脂は硬化しているので色度補正のために着色剤を追加混入することもできない。したがって所望の色度のLEDを得るのにコストアップを招くので、これらのバラツキをいかに少なくしてコストを押さえるかが課題であった。
【0007】
上記発明は、このような従来の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、歩留が向上して量産に適するLED及びその製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明の手段は、外部接続端子を有するパッケージ上に発光素子を搭載して封止した表面実装型発光ダイオードにおいて、前記パッケージはメタルコア材料より成る略立方体形状のパッケージであって、該パッケージの一面に光反射面を有する凹部が形成されており、該パッケージは前記凹部中央を通って前記一面から前記一面と背中合わせの面にかけて形成された下方が幅広の2段スリットによって縦に2分されており、このスリットに絶縁部材が充填されており、前記凹部底面には前記スリットを跨いで前記発光素子が実装されていて、前記凹部はカバー板で封止されていると共に、前記発光素子は蛍光体若しくは着色剤のいずれか一方、又は両方を含有する樹脂を塗布することによって色度補正がなされていることを特徴とする。
【0009】
また、前記樹脂は、前記発光素子の少なくとも一面に塗布されていることを特徴とする。
【0010】
また、前記樹脂は、前記カバー板上に塗布されていることを特徴とする。
【0011】
また、前記発光素子は、GaN系の発光素子であることを特徴とする。
【0012】
また、前記発光素子は、In(インジウム)、Ga(ガリウム)、Al(アルミニウム)及びP(燐)元素を含むことを特徴とする。
【0013】
また、前述した目的を達成するための本発明の他の手段は、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の表面実装型ダイオードを製造する方法において、蛍光体若しくは着色剤のいずれか一方、又は両方を含有する前記樹脂をインクジェット方式により塗布する工程を有することを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施の形態であるLEDの断面図、図2はこのLEDのパッケージの斜視図である。
【0015】
まず、この実施の形態の構成について説明する。図1において、10は表面実装型LEDである。1は100W/(m・K)以上の熱伝導性の高いMg系、Al系、Cu系等のメタルコア材料を、射出成形あるいはプレス成形によって略立方体形状に成形したパッケージである。パッケージ1の上面1aには円形の底面1b及び底面1bから開口へ向かって拡がる円錐形状の側面1cを有する凹部1dが形成されている。凹部1dの内面は、素子実装面を除いて、蒸着、印刷、あるいは銀メッキ等のメッキにより形成された反射膜により被覆されている。
【0016】
パッケージ1の上面1aから上面1aと背中合わせの下面1eにかけて、パッケージ1を縦に2分するように、スリット1f及びスリット1fより幅広のスリット1gが形成されている。2はスリット1f及びスリット1gに充填された接着剤等の絶縁部材である。パッケージ1は、絶縁部材2において2分割されて一対の電極を構成している。底面1bにあるLED素子3のボンディング部及び下面1eの外部接続端子部には、それぞれボンディングに必要な金メッキ等の表面処理が施されている。
【0017】
3は、予めフリップチップ(FC)として形成された発光素子であるGaN系のバンプ付きLED素子であり、前記スリット1fを跨いでパッケージ1の底面1bの両電極面にFCボンディングにより接合されている。4は、LED素子3と底面1bとの隙間に充填され、ボンディング部を被覆しているアンダーフィル樹脂である。5は、蛍光体若しくは着色剤のいずれか一方、又は両方を含有したコーティング樹脂であり、LED素子3の少なくとも一面に塗布してある。ここで「少なくとも一面に」というのは、一面に塗布するだけでも色度調整が行える場合があり得るからである。6は、パッケージ1の上面1aに接合して内部を封止している透明ガラス又は透明樹脂から成るシート状又は平板状のカバー板である。
【0018】
次に、この実施の形態の作用を説明する。コーティング樹脂5の中に蛍光物質のみを含有させてある場合には、GaN系のLED素子3を発した青色光は、コーティング樹脂5の中で蛍光物質に当たって黄色に変化して出射し、蛍光物質に当たらなかった光は青色のまま出射することになるため、出射光はこれら黄色と青色との混色により白色光となる。また、コーティング樹脂5の中に着色剤のみを含有させてある場合には、出射光はLED素子3の青色と着色剤の色調との混色となる。更に、コーティング樹脂5内に蛍光物質及び着色剤を混入させた場合には、白色と着色剤の色調との混色を帯びた発光を得ることができる。このようにして、所望の発光色のLEDが得られる。
【0019】
なお、以上の作用によるのであるから、所望の発光色を得るには、蛍光物質若しくは着色剤のいずれか一方、又は両方をコーティング樹脂5に含有させればよいことになる。また、必要に応じて、酸化防止剤や老化防止剤を適宜混入させてもよい。また、LED素子3は、GaN系のものに限定されるものではなく、In(インジウム)、Ga(ガリウム)、Al(アルミニウム)及びP(燐)の4元素を組み合わせた化合物半導体から形成されたLED素子であってもよく、GaN系の青色のLED素子の場合と同様の作用で、所望の発光色を得ることができる。
【0020】
次に、このLED10の製造方法について、中でもコーティング樹脂5を塗布する工程について説明する。図3において、20はインクジェット方式によりコーティング樹脂5を吐出するノズルである。まず、LED素子3を搭載後のパッケージ1に対して、アンダーフィル樹脂4を注入・充填し、加熱硬化させる。次に、ノズル20をLED素子3の上面に近接させてコーティング樹脂5を吐出し、加熱硬化させる。次に、カバー板6をパッケージ1に接合する。なお、スリット1f、1g並びにスリット1f、1gに絶縁部材2を充填する方法は、まず、スリット1gを底面1bに達しないように加工する。次に、1gへ絶縁部材2を充填し、加熱硬化させてから、上面1aからスリット1fをスリット1gに達するまで加工する。そして、最後にスリット1fに絶縁部材2を充填硬化させる手順で行う。LED10を製造する全体の工程には、多数個取りが可能な集合状態のパッケージ基板を用いて、バッチ処理による同時多数個の製造方式を採用することができる。
【0021】
次に、本実施の形態であるLED10の効果について説明する。凹部1d内面により反射され、必要な方向である上方への光の取り出し効率(輝度)が向上する。多数個取りのできる集合基板であるパッケージ基板を用いて、同時多数個の処理ができるので、製造コストの削減ができる。LED素子3の接合をFCボンディングによって行ったので、耐衝撃性に優れている。吸湿性があり、熱膨張の大きな封止樹脂を用いないで、線膨張係数がパッケージ材料と近似したカバー板6を用いて封止した場合には、耐湿性、耐熱性に優れている。
【0022】
パッケージ1が熱伝導性の高いメタルコア材料で構成されているので、従来のLEDと比べて遙かに放熱性に優れており、大電流が必要で、発熱量の大きい車載用LEDには最適な構成である。また、射出成形又はプレス成形といった方法で製造できるので、特殊な技術や設備を必要としない。
【0023】
コーティング樹脂5を、インクジェット方式によって塗布するようにしたので、樹脂量の微調整が可能となり、微妙な色度調整ができるようになった。これにより、従来必要であった色度による選別工程を廃止できた。
【0024】
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図4は本発明の第2の実施の形態であるLED20の断面図である。図4において、第1の実施の形態と異なるのはコーティング樹脂5が塗布されている場所であり、コーティング樹脂5は、カバー板6上に塗布されている。その他の構成はLED10と同様であるから、同じ構成要素には同じ符号と名称を付与して、説明を省略する。
【0025】
次に、第2の実施の形態の効果について説明する。第1の実施の形態の場合と同様な効果の他に、LED20のカバー板6を、新たにコーティング樹脂5を塗布したカバー板6に交換することによって、簡単に色度の補正ができるようになった。また、同じ製品に対して、何度も蛍光体又は着色剤を含んだ樹脂を塗布することによって色度調整することもできる。
【0026】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、外部接続端子を有するパッケージ上にGaN系の発光素子を搭載し、該発光素子を蛍光体若しくは着色剤を含有した樹脂で封止した表面実装型発光LEDにおいて、前記パッケージはメタルコア材料より成る略立方体形状のパッケージであって、該パッケージの一面に光反射面を有する凹部が形成されており、前記一面から前記一面と背中合わせの面にかけて形成された前記パッケージを縦に2分するスリットに絶縁部材が充填されており、前記凹部の底面に前記発光素子が実装されており、前記パッケージはカバー板で封止されており、前記発光ダイオードは蛍光体若しくは着色剤のいずれか一方、又は両方を含有する樹脂を塗布したので、LEDの発光色を所望の色に変化させることができ、かつ輝度も向上させることができる、放熱性に優れ、信頼性の高い表面実装型発光LEDを得ることができた。
【0027】
コーティング樹脂を発光素子に塗布するのに、インクジェット方式を採用したので、樹脂量の微調整が可能となり、容易に任意の色調の発光を得ることができるようになった。また、カバー板にコーティング樹脂を塗布することにより、一旦完成したLEDの発光色を変更調整することが容易となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態であるLEDの断面図である。
【図2】本発明の第一の実施の形態であるLEDのパッケージの斜視図である。
【図3】本発明の第一の実施の形態であるLEDの製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明の第二の実施の形態であるLEDの断面図である。
【図5】従来のLEDの断面図である。
【符号の説明】
1 パッケージ
1a 上面
1b 底面
1c 光反射面
1d 凹部
1e 下面
2 絶縁部材
3 LED素子
4 アンダーフィル樹脂
5 コーティング樹脂
6 カバー板
10、20 LED[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface-mounted light emitting diode (hereinafter abbreviated as LED) and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
The LED forms a PN junction on a III-V group compound semiconductor wafer such as GaP or GaN, and emits visible or near-infrared light through a forward current. Widely applied to control and the like. However, such conventional LEDs have only a limited color tone. Therefore, in order to obtain a desired color light source, there has been an attempt to include a fluorescent substance or a colorant in a sealing resin such as an epoxy resin or a silicone resin in a GaN-based LED. An example of such a conventional LED will be described with reference to the drawings.
[0003]
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a
[0004]
54 is a die pattern formed on the
[0005]
If only the fluorescent material is contained in the
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in such a conventional LED, since the specific gravity of the fluorescent material is larger than that of the sealing resin, the fluorescent material is precipitated in the process of curing the resin in the curing furnace after being mixed in the resin, and uniform in the resin. Can not diffuse. Further, it is difficult to finely adjust the amount of the colorant, and variations in chromaticity and luminance cannot be avoided in mass production, and a chromaticity selection step is indispensable. Further, since the resin is cured, a colorant cannot be additionally mixed for chromaticity correction. Therefore, since an increase in cost is required to obtain an LED having a desired chromaticity, it has been a problem how to reduce these variations to reduce the cost.
[0007]
The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object thereof is to provide an LED suitable for mass production with improved yield and a method for manufacturing the same.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a surface-mounted light-emitting diode in which a light-emitting element is mounted on a package having external connection terminals, and the package is a substantially cubic package made of a metal core material. a is, has a recess having a light reflecting surface on one side of the package, the package is said concave central a through downward formed over the back-to-back face and said one surface from said one surface is wider two-stage slit The slit is filled with an insulating member, and the light emitting element is mounted across the slit on the bottom surface of the recess, and the recess is sealed with a cover plate. At the same time, the light emitting element is corrected for chromaticity by applying a resin containing either or both of a phosphor and a colorant. And said that you are.
[0009]
The resin is applied to at least one surface of the light emitting element.
[0010]
Further, the resin is applied on the cover plate.
[0011]
The light emitting element is a GaN-based light emitting element.
[0012]
The light emitting element includes In (indium), Ga (gallium), Al (aluminum), and P (phosphorus) elements.
[0013]
Further, another means of the present invention for achieving the above-described object is the method for producing a surface-mount diode according to any one of claims 1 to 5, wherein either one of a phosphor and a colorant is used. Or a step of applying the resin containing both by an ink jet method.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of an LED according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of the package of the LED.
[0015]
First, the configuration of this embodiment will be described. In FIG. 1, 10 is a surface-mounted LED. Reference numeral 1 denotes a package in which a metal core material such as Mg, Al, or Cu having a high thermal conductivity of 100 W / (m · K) or more is molded into a substantially cubic shape by injection molding or press molding. The upper surface 1a of the package 1 is formed with a circular bottom surface 1b and a recess 1d having a conical side surface 1c extending from the bottom surface 1b toward the opening. The inner surface of the recess 1d is covered with a reflective film formed by vapor deposition, printing, or plating such as silver plating, except for the element mounting surface.
[0016]
From the upper surface 1a of the package 1 to the upper surface 1a and the lower surface 1e back to back, a slit 1f and a slit 1g wider than the slit 1f are formed so as to divide the package 1 into two vertically. Reference numeral 2 denotes an insulating member such as an adhesive filled in the slit 1f and the slit 1g. The package 1 is divided into two parts in the insulating member 2 to form a pair of electrodes. The bonding portion of the LED element 3 on the bottom surface 1b and the external connection terminal portion of the lower surface 1e are each subjected to surface treatment such as gold plating necessary for bonding.
[0017]
Reference numeral 3 denotes a GaN-based bumped LED element that is a light emitting element formed in advance as a flip chip (FC), and is bonded to both electrode surfaces of the bottom surface 1b of the package 1 by FC bonding across the slit 1f. . 4 is an underfill resin which fills the gap between the LED element 3 and the bottom surface 1b and covers the bonding portion. 5 is a coating resin containing either or both of a phosphor and a colorant, and is applied to at least one surface of the LED element 3. Here, “at least on one surface” is because the chromaticity may be adjusted by simply applying to one surface. Reference numeral 6 denotes a sheet or flat cover plate made of transparent glass or transparent resin which is bonded to the upper surface 1a of the package 1 and sealed inside.
[0018]
Next, the operation of this embodiment will be described. When only the fluorescent material is contained in the coating resin 5, the blue light emitted from the GaN-based LED element 3 hits the fluorescent material in the coating resin 5 and changes to yellow, and is emitted. Since the light that does not fall on the light is emitted as blue, the emitted light becomes white light due to the mixed color of yellow and blue. When the coating resin 5 contains only the colorant, the emitted light is a mixed color of the blue color of the LED element 3 and the color tone of the colorant. Furthermore, when a fluorescent material and a colorant are mixed in the coating resin 5, light emission having a mixed color of white and the color tone of the colorant can be obtained. In this way, an LED having a desired emission color can be obtained.
[0019]
In addition, since it is based on the above effect | action, in order to obtain a desired luminescent color, what is necessary is just to make the coating resin 5 contain either a fluorescent substance or a coloring agent, or both. Moreover, you may mix antioxidant and anti-aging agent suitably as needed. The LED element 3 is not limited to a GaN-based one, but is formed from a compound semiconductor in which four elements of In (indium), Ga (gallium), Al (aluminum), and P (phosphorus) are combined. An LED element may be used, and a desired luminescent color can be obtained by the same action as that of a GaN-based blue LED element.
[0020]
Next, regarding the manufacturing method of this
[0021]
Next, the effect of LED10 which is this Embodiment is demonstrated. The light extraction efficiency (luminance) is reflected by the inner surface of the recess 1d and is upward in the necessary direction. By using a package substrate which is a collective substrate that can be obtained in large numbers, a large number of processes can be performed at the same time, so that manufacturing costs can be reduced. Since the LED element 3 is joined by FC bonding, it has excellent impact resistance. When sealing is performed using the cover plate 6 having a hygroscopic property and having a linear expansion coefficient similar to that of the package material without using a sealing resin having a large thermal expansion, it is excellent in moisture resistance and heat resistance.
[0022]
Since the package 1 is made of a metal core material with high thermal conductivity, it has far better heat dissipation than conventional LEDs, requires a large current, and is optimal for automotive LEDs that generate a large amount of heat. It is a configuration. Moreover, since it can manufacture by methods, such as injection molding or press molding, a special technique and installation are not required.
[0023]
Since the coating resin 5 is applied by the ink jet method, the resin amount can be finely adjusted, and fine chromaticity adjustment can be performed. As a result, the sorting step based on chromaticity, which was necessary in the past, could be eliminated.
[0024]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view of the
[0025]
Next, the effect of the second embodiment will be described. In addition to the same effects as those of the first embodiment, the chromaticity can be easily corrected by replacing the cover plate 6 of the
[0026]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a GaN-based light emitting element is mounted on a package having external connection terminals, and the light emitting element is sealed with a resin containing a phosphor or a colorant. In the LED, the package is a substantially cubic package made of a metal core material, and a concave portion having a light reflecting surface is formed on one surface of the package, and is formed from the one surface to the one surface and the back-to-back surface. A slit that bisects the package is filled with an insulating member, the light emitting element is mounted on the bottom surface of the recess, the package is sealed with a cover plate, and the light emitting diode is phosphor or Since the resin containing either one or both of the colorants is applied, the emission color of the LED can be changed to a desired color, and Time can be improved, excellent heat dissipation, it was possible to obtain a highly reliable surface mounted light emitting LED.
[0027]
Since the ink jet method is used to apply the coating resin to the light emitting element, the resin amount can be finely adjusted, and light emission of an arbitrary color tone can be easily obtained. Further, by applying a coating resin to the cover plate, it becomes easy to change and adjust the emission color of the LED once completed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of an LED according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view of an LED package according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the LED manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of an LED according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional LED.
[Explanation of symbols]
1 Package 1a Upper surface 1b Bottom surface 1c Light reflecting surface 1d Recess 1e Lower surface 2 Insulating member 3 LED element 4 Underfill resin 5 Coating resin 6
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103904072A (en) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 中山市鸿宝电业有限公司 | High-power LED chip integrated packaging structure |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4661032B2 (en) * | 2003-06-26 | 2011-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP4661031B2 (en) * | 2003-06-26 | 2011-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
JP4085917B2 (en) * | 2003-07-16 | 2008-05-14 | 松下電工株式会社 | Circuit components for high thermal conductivity light emitting devices and high heat dissipation modules |
JP4337574B2 (en) * | 2003-09-25 | 2009-09-30 | 日亜化学工業株式会社 | LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME |
JP2005268634A (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Kyoshin Kagi Kofun Yugenkoshi | Molding structure of replaceable light emitting diode device |
KR100592330B1 (en) | 2005-01-20 | 2006-06-21 | 주식회사 코스텍시스 | A led module |
JP2007188976A (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing light emitting device |
JP4749870B2 (en) * | 2006-01-24 | 2011-08-17 | 新光電気工業株式会社 | Method for manufacturing light emitting device |
JP2007201104A (en) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Light emitting device |
JP2008066691A (en) * | 2006-03-10 | 2008-03-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Luminaire |
JP2007288050A (en) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device, and method for manufacturing same |
EP2816621A4 (en) | 2012-02-15 | 2015-10-21 | Panasonic Ip Man Co Ltd | Light emitting apparatus and method for manufacturing same |
KR102641336B1 (en) * | 2017-09-05 | 2024-02-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Semiconductor device package |
EP3451396B1 (en) * | 2017-09-05 | 2024-07-17 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device package |
KR102650690B1 (en) * | 2018-10-23 | 2024-03-25 | 주식회사 루멘스 | Ultraviolet light emitting diode package |
-
2001
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103904072A (en) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 中山市鸿宝电业有限公司 | High-power LED chip integrated packaging structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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