JP4936082B2 - TFT array drive - Google Patents
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Description
本発明は、TFT基板等の基板上に形成されたTFTアレイを駆動する駆動装置に関し、TFTアレイを検査するTFTアレイ検査装置に適用することができるものである。 The present invention relates to a drive device that drives a TFT array formed on a substrate such as a TFT substrate, and can be applied to a TFT array inspection device that inspects a TFT array.
TFTアレイは、例えば液晶表示装置の画素電極を選択するスイッチング素子として用いられる。TFTアレイを備える基板は、例えば、走査線として機能する複数本のゲートラインが平行に配設されると共に、信号線として記載する複数本のソースラインがゲートラインに直交して配設され、両ラインが交差する部分の近傍にTFT(Thin film transistor)が配設され、このTFTに画素電極が接続される。 The TFT array is used as a switching element for selecting a pixel electrode of a liquid crystal display device, for example. In a substrate including a TFT array, for example, a plurality of gate lines functioning as scanning lines are arranged in parallel, and a plurality of source lines described as signal lines are arranged orthogonal to the gate lines. A TFT (Thin Film Transistor) is disposed in the vicinity of a portion where the lines intersect, and a pixel electrode is connected to the TFT.
TFTアレイは格子状に配置することによってパネルを形成する。通常、液晶基板の製造では、一枚のガラス基板上に複数のパネルを形成し、各種工程を経た後に、各パネルに切り分けている。 A TFT array forms a panel by arranging in a grid pattern. Usually, in the manufacture of a liquid crystal substrate, a plurality of panels are formed on a single glass substrate, and after being subjected to various processes, the panels are cut into individual panels.
液晶基板等のTFTアレイが形成された半導体基板の製造過程では、製造過程中にパネル上に形成されたTFTアレイを検査するTFTアレイ検査工程を含み、このTFTアレイ検査工程において、TFTアレイの欠陥検査が行われている。このTFTアレイ検査工程では、前記したゲートラインやソースラインに欠陥検査用の信号パターンの駆動信号を印加してTFTアレイを駆動し、このTFTアレイの駆動状態を検出することによってTFTアレイ検査を行う。 The manufacturing process of a semiconductor substrate on which a TFT array such as a liquid crystal substrate is formed includes a TFT array inspection process for inspecting the TFT array formed on the panel during the manufacturing process. In this TFT array inspection process, defects in the TFT array Inspection is being conducted. In this TFT array inspection process, the TFT array is inspected by driving the TFT array by applying a drive signal of a signal pattern for defect inspection to the gate line and the source line, and detecting the driving state of the TFT array. .
このTFTアレイ検査では、TFTアレイを駆動した際のITO電位を電子線照射によって発生する二次電子の強度で検出することが知られている。 In this TFT array inspection, it is known to detect the ITO potential when the TFT array is driven by the intensity of secondary electrons generated by electron beam irradiation.
ガラス基板上には、多面取りと呼ばれるように、一枚のガラス基板上に複数のパネルが形成されている。この多面取りのTFTガラス基板を検査する場合、TFTガラス基板上に形成された全パネルに駆動信号を印加して同時に全パネルのTFTアレイを駆動するとともに、このガラス基板を支持するステージを一定速度で移動させながら、パネルに電子線を連続的に走査させることで、ガラス基板上に形成される各パネルのTFTアレイを順に検査している(例えば、特許文献1参照)。
TFTアレイ検査装置では、真空チャンバ内に測定用のステージを配置し、真空チャンバの上部に検査用の電子線を照射する電子銃を配置し、電子銃から照射した電子線をステージ上に載置した基板に照射する。この電子線が照射する照射範囲は、1パネルの面積と比較して極めて小さいため、電子線の照射方向を制御したり、ステージを一定速度で移動させることによって基板上において電子線を連続的に走査させている。 In TFT array inspection equipment, a measurement stage is placed in a vacuum chamber, an electron gun that irradiates an electron beam for inspection is placed in the upper part of the vacuum chamber, and an electron beam emitted from the electron gun is placed on the stage. The irradiated substrate is irradiated. Since the irradiation range of the electron beam is extremely small compared to the area of one panel, the electron beam is continuously applied on the substrate by controlling the irradiation direction of the electron beam or moving the stage at a constant speed. Scanning.
基板上に複数のパネルを配置する場合、TFTアレイ検査では、基板上に配置される全パネルを駆動している。ステージが移動する方向に複数のパネルが配置される場合において、一つの電子銃からの電子線が照射する場所は、基板上に配置されるパネルの内の一つのパネル内に過ぎないが、従来のTFTアレイ駆動では、基板上に配置される全パネルを同時に駆動している。 When a plurality of panels are arranged on the substrate, in the TFT array inspection, all the panels arranged on the substrate are driven. When a plurality of panels are arranged in the direction in which the stage moves, the place where the electron beam from one electron gun is irradiated is only one of the panels arranged on the substrate. In the TFT array driving, all the panels arranged on the substrate are driven simultaneously.
図5は走査時における従来のパネル駆動例を説明するための図であり、パネル駆動によってTFTアレイを検査する例を示している。図5(a)は測定前の状態を示し、図5(b)は測定前半の状態を示し、図5(c)は測定後半の状態を示している。 FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional panel driving example during scanning, and shows an example in which a TFT array is inspected by panel driving. FIG. 5A shows the state before the measurement, FIG. 5B shows the state in the first half of the measurement, and FIG. 5C shows the state in the second half of the measurement.
なお、ここでは、一枚のガラス基板5に4枚のパネルA〜パネルD(6A〜6D)が2×2の配列で配置されているものとし、真空チャンバ2は2つの電子銃4A,4Bがステージの移動方向(図中のy方向)と直交する方向(図中のx方向)に固定されているものとする。
Here, it is assumed that four panels A to D (6A to 6D) are arranged in a 2 × 2 arrangement on one
各電子銃4A,4Bは、それぞれ一枚のパネルに電子線を照射し、電子線の照射方向を制御することでx方向の走査を行い、y方向の走査はステージの移動方向によって行う。そのため、測定をステージの移動に応じて2段階で行い、測定前半ではパネルA(6A)とパネルC(6C)を走査し、測定後半ではパネルB(6B)とパネルD(6D)を走査する。この各走査において、パネルのTFTアレイを駆動することによって、TFTアレイの検査を行う。このとき、測定前半では、検査を行うパネルA(6A)とパネルC(6C)を駆動するだけでなく、検査を行わないパネルB(6B)とパネルD(6D)についても駆動し、また、測定後半では、検査を行うパネルB(6B)とパネルD(6D)を駆動するだけでなく、検査を行わないパネルA(6A)とパネルC(6C)についても駆動している。
Each of the
TFTアレイが構成され部位には種々の電気容量が存在する。図6は液晶表示装置が備えるTFTアレイの構成例を示している。TFTアレイ20は、TFTスイッチ21が接続されたITO電極22を備える。液晶画素は、画素電極(ITO電極)22と対向電極(図示していない)との間に液晶層を挟むことで構成され、画素電極22と対向電極との間に画素容量が形成される。また、TFTアレイ20には上記の画素容量以外に浮遊容量が存在する。この浮遊容量としては、例えば、TFTスイッチ21のゲート側に存在するゲート寄生容量Cg、TFTスイッチ21のソース側に存在するソース寄生容量Cd、画素電極22に付加される付加容量(Cs)等がある。付加容量(Cs)の一方は画素電極22に接続され、他方は共通ラインあるいはゲートラインに接続される。なお、上記した浮遊容量は一例であってこれらに限られるものではない。
A TFT array is constructed, and various electric capacities exist at the site. FIG. 6 shows a configuration example of a TFT array provided in the liquid crystal display device. The
TFTアレイを駆動するには、これら各パネルに存在する静電容量を充放電する必要がある。この静電容量の充放電に要する時間は、静電容量と印加電流に依存する。パネル数が増加すると、充放電を必要とする静電容量が増加するため、充放電に要する時間も長くなる。 In order to drive the TFT array, it is necessary to charge and discharge the capacitance existing in each of these panels. The time required for charging / discharging the capacitance depends on the capacitance and the applied current. As the number of panels increases, the capacitance that requires charging / discharging increases, so the time required for charging / discharging also increases.
図7はTFTアレイの容量の充電状態を説明するための図である。TFTアレイに印加する電流を一定として場合には、所定の電圧に達するまでに要する時間はTFTアレイが含む容量に依存し、浮遊容量等によって容量がCaからCbに増加すると充電に要する時間はTaからTbに長引くことになる。また、放電に要する時間も同様である。 FIG. 7 is a diagram for explaining the charged state of the capacitance of the TFT array. When the current applied to the TFT array is constant, the time required to reach a predetermined voltage depends on the capacitance included in the TFT array, and when the capacitance increases from Ca to Cb due to stray capacitance, the time required for charging is Ta From T to Tb. The time required for discharge is also the same.
TFTアレイの容量の充放電時間はTFTアレイの応答時間を左右するため、TFTアレイの応答時間を短縮するには、容量の充放電時間を短縮する必要がある。充放電時間を短縮してTFTアレイの応答時間を短縮するには、充放電に必要な電流を増やす必要があり、TFTアレイに大きな電流を印加する必要がある。 Since the charge / discharge time of the TFT array capacitor affects the response time of the TFT array, it is necessary to reduce the charge / discharge time of the capacitor in order to shorten the response time of the TFT array. In order to shorten the charge / discharge time and shorten the response time of the TFT array, it is necessary to increase the current required for charge / discharge, and it is necessary to apply a large current to the TFT array.
しかしながら、TFTアレイ基板に大電流を流すと、TFTアレイ自体が損傷するおそれがある他、TFTアレイに至る配線やコネクタ、プローブピンが加熱し損傷するおそれがある。 However, if a large current is passed through the TFT array substrate, the TFT array itself may be damaged, and wiring, connectors, and probe pins leading to the TFT array may be heated and damaged.
加熱による損傷としては、例えば、プローブピンのスプリングの劣化、接点部分に設けた金メッキの剥離や配線切れ等があり、金メッキの剥離は接触不良や電気抵抗の増大等の要因となる。特に、TFTアレイは真空チャンバ内に配置され、真空状態で検査が行われため、真空状態では発生した熱が放熱されないため、大気中に置かれる場合よりも加熱によって損傷する可能性が高くなる。そのため、TFTアレイに供給する電流を制限して、加熱による損傷を避ける必要がある。 The damage due to heating includes, for example, deterioration of the spring of the probe pin, peeling of the gold plating provided at the contact portion, disconnection of the wiring, and the like. The peeling of the gold plating causes a contact failure and an increase in electric resistance. In particular, since the TFT array is placed in a vacuum chamber and inspected in a vacuum state, heat generated in the vacuum state is not radiated, so that it is more likely to be damaged by heating than in the atmosphere. Therefore, it is necessary to limit the current supplied to the TFT array to avoid damage due to heating.
この供給電流の制限は、充放電に要する時間を長くし、結果として検査時間を長くするという問題が生じることになる。図8は、供給電流と充放電時間との関係を説明するための図である。 This limitation of the supply current causes a problem that the time required for charging and discharging is lengthened, and as a result, the inspection time is lengthened. FIG. 8 is a diagram for explaining the relationship between the supply current and the charge / discharge time.
図8(a)は、制限電流I0よりも大きな供給電流I2の場合を示し、図8(b)は、供給電流I1を制限して制限電流I0よりも小さくした場合を示している。また、図8(c)は充電時間の供給電流による長短の状態を示している。 FIG. 8A shows a case where the supply current I2 is larger than the limit current I0, and FIG. 8B shows a case where the supply current I1 is limited to be smaller than the limit current I0. Further, FIG. 8C shows a long and short state depending on the supply current during the charging time.
大きな供給電流I2(図8(a))をTFTアレイに印加すると、容量を充電するための充電時間を充電時間T2に短縮されるが、供給電流I2は制限電流I0を越えることになり、加熱による損傷が問題となる。一方、供給電流I1を制限して制限電流I0よりも小さくした場合(図8(b))には、浮遊容量等の容量を充電するために長い充電時間T1を要することになる。 When a large supply current I2 (FIG. 8 (a)) is applied to the TFT array, the charging time for charging the capacity is shortened to the charging time T2, but the supply current I2 exceeds the limit current I0 and heating is performed. Damage caused by is a problem. On the other hand, when the supply current I1 is limited to be smaller than the limit current I0 (FIG. 8B), a long charging time T1 is required to charge a capacity such as a stray capacitance.
したがって、故障防止を目的として電流を制限すると、パネル数の増加に伴う静電容量の増加、例えば、TFTゲート寄生容量Cgの増加によって、充放電時間が長時間化するという問題が生じる。 Therefore, when the current is limited for the purpose of preventing a failure, there arises a problem that the charging / discharging time is prolonged due to an increase in electrostatic capacity accompanying an increase in the number of panels, for example, an increase in the TFT gate parasitic capacitance Cg.
そこで、本発明は上記課題を解決して、TFTアレイの充放電に要する時間を短縮することを目的とし、特に、電流制限された供給電流であってもTFTアレイの充放電に要する時間を短縮することを目的とする。 Therefore, the present invention aims to solve the above problems and reduce the time required for charging and discharging the TFT array, and in particular, reducing the time required for charging and discharging the TFT array even with a current-limited supply current. The purpose is to do.
TFTアレイ基板において、TFTアレイの駆動時間を延ばしている要因の一つである充放電の容量を低減することを目的とする。 An object of the TFT array substrate is to reduce the charge / discharge capacity, which is one of the factors that increase the driving time of the TFT array.
また、TFTアレイ基板を検査する際に検査時間を短縮することを目的とする。 Another object of the present invention is to shorten the inspection time when inspecting the TFT array substrate.
本発明のTFTアレイ駆動装置は、TFTアレイ基板においてTFTアレイの駆動時間を延ばす要因となっている浮遊容量を減らすことによって、電流制限による駆動波形の立ち上がり時間、立ち下がり時間を短縮し、TFTアレイの充放電に要する時間を短縮する。 The TFT array drive device of the present invention reduces the rise time and fall time of the drive waveform due to current limitation by reducing stray capacitance, which is a factor for extending the drive time of the TFT array on the TFT array substrate, and the TFT array. The time required for charging and discharging is reduced.
本発明は、TFTアレイ基板のTFTアレイに係わる浮遊容量を低減するために、同時に駆動するパネル数を減らす。本発明は、同時に駆動するパネル数を減らし、TFTアレイ基板が備える複数のパネルの内で、そのとき検査対象となっているパネルにのみに駆動信号を印加し、検査対象となっていないパネルについては駆動信号を印加しないことによって、駆動信号を印加する駆動源からTFTアレイ基板側を見たときのTFTアレイの実質的な容量を低減する。 The present invention reduces the number of panels driven simultaneously in order to reduce the stray capacitance related to the TFT array of the TFT array substrate. The present invention reduces the number of panels to be driven at the same time, and applies a drive signal only to the panel to be inspected at that time among the plurality of panels included in the TFT array substrate. By not applying the drive signal, the substantial capacity of the TFT array when the TFT array substrate side is viewed from the drive source to which the drive signal is applied is reduced.
この駆動信号の検査対象パネルへの印加は、駆動パネル選択制御回路によって、駆動信号を印加するパネルを選択することで行うことができる。また、この駆動パネル選択制御回路によるパネル選択は、TFTアレイ基板上のパネルを電子線照射位置に移動するステージの位置に応じて行うことで、駆動信号を印加するパネルを選択することができる。 The drive signal can be applied to the inspection target panel by selecting a panel to which the drive signal is applied by the drive panel selection control circuit. Moreover, the panel selection by this drive panel selection control circuit can be performed according to the position of the stage which moves the panel on a TFT array board | substrate to an electron beam irradiation position, and can select the panel which applies a drive signal.
これによって、駆動源がTFTアレイに駆動信号を印加したとき、TFTアレイの容量が低減されているため、充放電に要する時間が短縮され、その結果、TFTアレイ基板の検査時間を、TFTアレイ基板の全パネルを駆動する場合と比較して、電流制限された状態であっても短縮することができる。 As a result, when the drive source applies a drive signal to the TFT array, the time required for charging and discharging is shortened because the capacitance of the TFT array is reduced. As a result, the inspection time of the TFT array substrate can be reduced. Compared with the case where all the panels are driven, it can be shortened even in a current-limited state.
本発明のTFTアレイ駆動装置は、TFTアレイ基板が備えるパネルを駆動するTFTアレイ駆動装置であり、TFTアレイを駆動する駆動信号を生成するTFT駆動回路と、駆動信号を印加するパネルを選択する駆動パネル選択制御回路とを備える。 The TFT array driving device of the present invention is a TFT array driving device that drives a panel included in a TFT array substrate, and a TFT driving circuit that generates a driving signal for driving the TFT array and a driving that selects a panel to which the driving signal is applied. A panel selection control circuit.
駆動パネル選択制御回路は、TFTアレイ基板が備える複数のパネルの中からパネルを選択し、選択したパネルにTFT駆動回路が生成した駆動信号を印加する。TFTアレイ基板が備える全パネルに対して駆動信号を印加するのではなく、これら全パネルの中から選択したパネルに対してのみに駆動電流を印加する。TFT駆動回路からTFTアレイ基板側を見たときのパネルの容量は、駆動信号を印加するためにTFT駆動回路と接続されるパネルで決まる。そこで、駆動電流を印加するパネルを必要とするパネルに制限して低減することで、TFT駆動回路からTFTアレイ基板側を見たときのパネルの容量を低減する。 The drive panel selection control circuit selects a panel from a plurality of panels included in the TFT array substrate, and applies the drive signal generated by the TFT drive circuit to the selected panel. A drive signal is not applied to all the panels included in the TFT array substrate, but a drive current is applied only to a panel selected from all the panels. The capacity of the panel when the TFT array substrate side is viewed from the TFT drive circuit is determined by the panel connected to the TFT drive circuit in order to apply the drive signal. Therefore, by limiting the panel to which the drive current is applied to a panel that requires the reduction, the capacity of the panel when the TFT array substrate side is viewed from the TFT drive circuit is reduced.
パネルの容量を低減することによって、容量に電荷を充電するに要する充電時間、あるいは容量に充電された電荷を放電するに要する放電時間は短縮され、駆動信号波形の立ち上がり時間、立ち下がり時間が短縮され、各パネルを駆動するに要する時間を短縮することができる。 By reducing the capacity of the panel, the charge time required to charge the capacitor or the discharge time required to discharge the charge charged to the capacitor is shortened, and the rise time and fall time of the drive signal waveform are shortened. Thus, the time required to drive each panel can be shortened.
また、本発明のTFTアレイ駆動装置は、TFTアレイ基板が備えるパネルに駆動信号を印加する給電回路を備える。本発明の駆動パネル選択制御回路は、TFTアレイを駆動する駆動信号と、駆動信号を印加するパネルを選択する選択信号とを給電回路に送ることでパネルの駆動を制御する。供電回路は、駆動パネル選択制御回路から選択信号と駆動信号を受けると、選択信号によって、TFTアレイ基板が備える全パネルから所定のパネルを選択し、この選択したパネルに駆動信号を給電する。選択されなかったパネルには駆動信号は給電されない。一方、選択されたパネルは、選択されなかったパネルの容量の影響を受けることなく、給電された駆動信号によって駆動が行われる。 The TFT array driving device of the present invention includes a power feeding circuit that applies a driving signal to a panel included in the TFT array substrate. The drive panel selection control circuit of the present invention controls the drive of the panel by sending a drive signal for driving the TFT array and a selection signal for selecting the panel to which the drive signal is applied to the power feeding circuit. When the power supply circuit receives the selection signal and the drive signal from the drive panel selection control circuit, the power supply circuit selects a predetermined panel from all the panels included in the TFT array substrate by the selection signal, and supplies the drive signal to the selected panel. The drive signal is not supplied to the panel that is not selected. On the other hand, the selected panel is driven by the supplied drive signal without being affected by the capacity of the panel not selected.
また、本発明のTFTアレイ駆動装置は、TFTアレイが備えるパネルに電子線を走査する電子線走査手段を備える。電子線走査手段は、TFTアレイが備えるパネルに電子線を走査し、電子線走査によってTFTアレイから放出される二次電子を検出することで、TFTアレイ検査を行うことができる。 Further, the TFT array driving device of the present invention includes an electron beam scanning means for scanning an electron beam on a panel included in the TFT array. The electron beam scanning means can perform a TFT array inspection by scanning an electron beam on a panel included in the TFT array and detecting secondary electrons emitted from the TFT array by the electron beam scanning.
本発明の駆動パネル選択回路は、電子線走査手段の電子線走査と同期してパネル選択を行い、電子線走査手段が走査するパネルを、駆動信号を印加するパネルとして選択する。これによって、電子線走査と同期して駆動信号を印加するパネルを切り替える。電子線走査は、検査対象となっているパネルに対して電子線を走査するものであるため、電子線走査と同期して駆動信号を印加するパネルを切り替えることによって、検査対象のパネルにのみ駆動信号を印加することができる。 The drive panel selection circuit of the present invention performs panel selection in synchronization with the electron beam scanning of the electron beam scanning means, and selects a panel scanned by the electron beam scanning means as a panel to which a drive signal is applied. Thereby, the panel to which the drive signal is applied is switched in synchronization with the electron beam scanning. Since electron beam scanning scans an electron beam with respect to the panel to be inspected, driving only the panel to be inspected by switching the panel to which the drive signal is applied in synchronization with the electron beam scanning. A signal can be applied.
また、本発明のTFTアレイ駆動装置において、電子線走査手段は、TFTアレイ基板を支持するとともに、この支持するTFTアレイ基板を所定方向に移動する基板ステージを有する。基板ステージの移動によって、TFTアレイ基板上で電子線が照射されるパネルが切り替えられる。選択回路は、基板ステージを駆動する移動指令と同期してパネル選択を行うことによって、基板ステージの位置に応じて駆動信号を印加するパネルを切り替え、電子線が照射されるパネルに対してのみ駆動信号を印加し、電子線が照射されていないパネルに対しては駆動信号を印加しないようにする。これによって、TFTアレイ基板が備える複数のパネルの内で、そのとき検査対象となっているパネルにのみに駆動信号を印加し、検査対象となっていないパネルについては駆動信号を印加しないようにして、駆動信号を印加する駆動源からTFTアレイ基板側を見たときのTFTアレイの実質的な容量を低減する。 In the TFT array driving apparatus of the present invention, the electron beam scanning unit has a substrate stage that supports the TFT array substrate and moves the supported TFT array substrate in a predetermined direction. By moving the substrate stage, the panel irradiated with the electron beam on the TFT array substrate is switched. The selection circuit performs panel selection in synchronization with the movement command for driving the substrate stage, thereby switching the panel to which the drive signal is applied according to the position of the substrate stage and driving only the panel irradiated with the electron beam. A signal is applied so that a drive signal is not applied to a panel not irradiated with an electron beam. As a result, the drive signal is applied only to the panel to be inspected at that time among the plurality of panels included in the TFT array substrate, and the drive signal is not applied to the panel not to be inspected. The substantial capacitance of the TFT array when the TFT array substrate side is viewed from the drive source to which the drive signal is applied is reduced.
本発明によれば、TFTアレイの充放電に要する時間を短縮することができ、特に、電流制限された供給電流であってもTFTアレイの充放電に要する時間を短縮することができる。 According to the present invention, the time required for charging and discharging the TFT array can be shortened. In particular, the time required for charging and discharging the TFT array can be shortened even with a current-limited supply current.
また、TFTアレイ基板において、TFTアレイの駆動時間を延ばしている要因の一つである充放電の容量を低減することができる。 Further, in the TFT array substrate, it is possible to reduce the charge / discharge capacity, which is one of the factors that increase the driving time of the TFT array.
本発明によれば、TFTアレイ基板を検査する際に検査時間を短縮することができる。 According to the present invention, the inspection time can be shortened when inspecting the TFT array substrate.
1…TFTアレイ駆動装置、2…真空チャンバ、3…基板ステージ、4,4A,4B…電子銃、5…TFTガラス基板、6,6A〜6D…パネル、7…給電リレー回路、10…制御部、11…TFT駆動回路、12…駆動パネル選択制御回路、13…ステージ駆動回路、14…電子銃制御部、15…電子銃制御回路、16…電子線、20…TFTアレイ、21…TFTスイッチ、22…ITO電極。
DESCRIPTION OF
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明のTFTアレイ駆動装置の概略図である。 FIG. 1 is a schematic diagram of a TFT array driving device of the present invention.
図1に示すTFTアレイ駆動装置1は、TFTアレイ検査装置に適用した例を示している。ここでは、真空チャンバ2内に設けた基板ステージ3上に配置し、このTFTガラス基板5の形成される複数のパネルA〜パネルD(6A〜6D)に駆動電流を印加し、この駆動電流によって駆動状態となったパネルについてTFTアレイ検査を行う例を示している。
The TFT
なお、ここでは、TFTガラス基板5の形成されるパネルとしてパネルA〜パネルD(6A〜6D)の4枚のパネルの例を示しているが、このパネル数は説明上から示した一例であり、このパネル数に限られるものではない。
In addition, although the example of four panels of panel A-panel D (6A-6D) is shown here as a panel in which
TFTアレイ駆動装置1は、真空チャンバ2内に内蔵する基板ステージ3と、真空チャンバ3の上部に設けた電子銃4を備える他、TFTアレイを駆動する回路構成として、基板ステージ3の駆動するステージ駆動回路13、基板ステージ3に載置するTFTガラス基板5のパネルのTFTアレイを駆動するTFT駆動回路11および駆動パネル選択制御回路12、電子銃4Aを制御し駆動する電子銃制御部14および電子銃制御回路15、およびTFTアレイ駆動装置1の全体を制御する制御部10を備える。なお、制御部10、電子銃制御部14は、CPUおよびこのCPUを駆動するアルゴリズムを記述したソフトウエアを格納するROMや信号処理のためのRAM等のメモリ手段等によってソフトウエア処理で制御を行うことができる。
The TFT
基板ステージ3は、TFTガラス基板5を支持するともに、TFTガラス基板5上に形成される各パネルの内で選択したパネルに駆動電流を供給する給電リレー回路7を備える。基板ステージ3は、ステージ駆動回路13からの駆動信号に基づいて、ステージ上に載せたTFTガラス基板5を所定の方向に移動させる。このTFTガラス基板5の移動は、例えば、パネル上を走査する電子線の走査速度に合わせて一定速度とすることができる。ここで、基板ステージ3に駆動信号を供給するステージ駆動回路13は、制御部10からの移動指令を受けて駆動し、電子銃制御部14により電子線の照射方向の制御とともに、電子線をパネル上において走査する。
The
また、給電リレー回路7は、駆動パネル選択制御回路12から選択信号および駆動信号を受ける。選択信号は、TFTガラス基板5上に形成される全パネル6A〜6Dの中からパネルを選択し、選択したパネルに対して駆動信号を供給する。
The power feeding relay circuit 7 receives a selection signal and a drive signal from the drive panel
ここで、選択信号は、駆動パネル選択制御回路12が制御部10から選択指令を受け、ステージ駆動回路13による基板ステージ3の移動と同期して、駆動信号を印加するパネルを選択する。
Here, as for the selection signal, the driving panel
また、駆動信号は、先ず、TFT駆動回路(パネルドライバ)11が制御部10から駆動指令を受けて駆動波形を形成し、続いて、駆動パネル選択制御回路12はTFT駆動回路(パネルドライバ)11から駆動波形を受けることで生成される。
As for the drive signal, first, the TFT drive circuit (panel driver) 11 receives a drive command from the
また、制御部10は電子銃制御部14に電子線走査指令を送って電子銃制御回路15を駆動する。電子銃制御回路15は、電子銃制御部14の制御に基づいて電子銃4を制御し、照射する電子線を制御する。
Further, the
ここで、制御部10は、パネル上における電子線走査において基板ステージ3を制御する移動指令と、駆動信号を印加するパネルを選択する選択指令と、電子銃からの電子線照射を制御す電子線走査指令の各指令出力が同期するよう制御する。
Here, the
この制御部10により同期した指令によって、ステージ駆動回路13によるステージ駆動と、駆動パネル選択制御回路12による駆動パネルの選択および選択パネルへの駆動信号の印加と、電子銃制御部14による電子線照射制御とを同期させ、ステージ駆動回路13によって目的とするパネルを電子銃の電子線照射位置に移動させ、電子銃制御部14によって目的とするパネルに電子銃から電子線を照射させ、駆動パネル選択制御回路12によって目的とするパネルに駆動信号を印加する。
According to a command synchronized by the
これによって、目的とするパネルにのみ駆動信号を印加し、目的としないパネルには駆動信号を印加させないことで、TFTアレイ基板において駆動源である給電リレー回路7から見たTFTアレイ側の容量を低減させることができる。 As a result, the drive signal is applied only to the target panel, and the drive signal is not applied to the non-target panel, so that the capacitance on the TFT array side as viewed from the power supply relay circuit 7 as the drive source on the TFT array substrate is reduced. Can be reduced.
図2は走査時における本発明のパネル駆動例を説明するための図であり、パネル駆動によってTFTアレイを検査する例を示している。図2(a)は測定前の状態を示し、図2(b)は測定前半の状態を示し、図2(c)は測定後半の状態を示している。 FIG. 2 is a diagram for explaining an example of panel driving according to the present invention during scanning, and shows an example in which a TFT array is inspected by panel driving. 2A shows a state before the measurement, FIG. 2B shows a state in the first half of the measurement, and FIG. 2C shows a state in the second half of the measurement.
なお、ここでは、前記した図5の構成例と同様に、一枚のガラス基板5に4枚のパネルA〜パネルD(6A〜6D)が2×2の配列で配置されているものとし、真空チャンバ2は2つの電子銃4A,4Bがステージの移動方向(図中のy方向)と直交する方向(図中のx方向)に固定されているものとする。
Here, similarly to the configuration example of FIG. 5 described above, it is assumed that four panels A to D (6A to 6D) are arranged in a 2 × 2 array on one
また、前記した図5の動作例と同様に、各電子銃4A,4Bは、それぞれ一枚のパネルに電子線を照射し、電子線の照射方向を制御することでx方向の走査を行い、y方向の走査はステージの移動方向によって行う。そのため、測定をステージの移動に応じて2段階で行い、測定前半ではパネルA(6A)とパネルC(6C)を走査し、測定後半ではパネルB(6B)とパネルD(6D)を走査する。この各走査において、パネルのTFTアレイを駆動することによって、TFTアレイの検査を行う。
Similarly to the operation example of FIG. 5 described above, each of the
このとき、本発明のTFTアレイ駆動装置では、電子銃4A,4Bによる電子線照射と、パネルへの駆動信号の印加が同期して行い、電子線を照射しないパネルには駆動信号を印加しないため、測定前半(図2(b))では、検査を行うパネルA(6A)とパネルC(6C)にのみ駆動信号を印加し、検査を行わないパネルB(6B)とパネルD(6D)への駆動信号の印加は行わない。図2(b)では駆動信号の印加によって駆動するパネル6A,6Cには“ON”を表記し、駆動信号を印加しないために駆動されないパネル6B,6Dには“OFF”を表記している。
At this time, in the TFT array driving device of the present invention, the electron beam irradiation by the
また、測定後半(図2(c))では、検査を行うパネルB(6B)とパネルD(6D)にのみ駆動信号を印加し、検査を行わないパネルA(6A)とパネルC(6C)への駆動信号の印加は行わない。図2(c)では駆動信号の印加によって駆動するパネル6B,6Dには“ON”を表記し、駆動信号を印加しないために駆動されないパネル6A,6Cには“OFF”を表記している。
In the latter half of the measurement (FIG. 2 (c)), the drive signal is applied only to the panel B (6B) and the panel D (6D) to be inspected, and the panel A (6A) and the panel C (6C) to which the inspection is not performed. No drive signal is applied to. In FIG. 2C, “ON” is described for the
図3は、TFTアレイ駆動装置における各指令および駆動信号の関係例を示す図である。図3(a)〜(c)は、制御部10が出力する、電子線走査指令(図3(a))、移動指令(図3(b))、駆動指令(図3(c))を示し、図3(d)〜(g)は駆動パネル選択制御回路12が出力する、選択信号(図3(d),(f))および駆動波形(図3(e),(g))を示している。
FIG. 3 is a diagram showing an example of the relationship between each command and drive signal in the TFT array drive device. 3A to 3C show an electron beam scanning command (FIG. 3A), a movement command (FIG. 3B), and a drive command (FIG. 3C) output by the
ここで、電子線走査指令、移動指令、および駆動指令は同期して出力され、この指令の間において、前半期間でパネルA,Cに対して選択信号(図3(d))と駆動波形(図3(e))を出力し、後半期間でパネルB,Dに対して選択信号(図3(f))と駆動波形(図3(g))を出力する。 Here, the electron beam scanning command, the movement command, and the drive command are output in synchronization, and the selection signal (FIG. 3 (d)) and the drive waveform (FIG. 3 (e)) is output, and a selection signal (FIG. 3 (f)) and a drive waveform (FIG. 3 (g)) are output to the panels B and D in the second half period.
なお、図3では、前半期間と後半期間の切り替え時点では、選択信号および駆動波形に重なる期間を有する信号状態を示しているが、重なる期間を有さない信号状態としてもよい。 Note that FIG. 3 shows a signal state having a period overlapping the selection signal and the drive waveform at the time of switching between the first half period and the second half period, but it may be a signal state having no overlapping period.
図4は、従来構成による駆動波形と本発明の構成による駆動波形を模式的に示している。図4において、実線は本発明の構成によって選択したパネルのみを駆動させた場合の駆動波形を示し、破線は従来の構成によって全パネルを駆動させたときの駆動波形を示している。 FIG. 4 schematically shows a driving waveform according to the conventional configuration and a driving waveform according to the configuration of the present invention. In FIG. 4, the solid line shows the drive waveform when only the panel selected by the configuration of the present invention is driven, and the broken line shows the drive waveform when all the panels are driven by the conventional configuration.
ここで、駆動信号によって各アレイを駆動させて所定動作を実行させるに要する時間を有効駆動時間Tactとすると、この有効駆動時間Tactは全パネルを駆動させた場合と選択パネルのみを駆動させて場合の何れの場合も同じである。これに対して、駆動波形を印加してから終了するまでの間に要する駆動必要時間Tallは、有効駆動時間Tactに加えて、アレイに接続される液晶の容量や付加容量および寄生容量により充電あるいは放電するための立ち上がり時間および立ち下がり時間の分だけ長くなる。 Here, assuming that the time required to drive each array by a drive signal and execute a predetermined operation is the effective drive time Tact, this effective drive time Tact is a case where all the panels are driven and only the selected panel is driven. It is the same in any case. On the other hand, the necessary drive time Tall required from the application of the drive waveform to the end thereof is charged by the liquid crystal capacity, additional capacity and parasitic capacity connected to the array in addition to the effective drive time Tact. It becomes longer by the rise time and fall time for discharging.
この立ち上がり時間および立ち下がり時間の時間幅は、駆動信号が印加されるアレイの容量に依存する。実線で示すように、本発明によって選択したパネルのみに駆動信号を印加する構成とすることによってアレイに接続される容量を減らし、立ち上がり時間および立ち下がり時間を短縮する。 The time width of the rise time and the fall time depends on the capacitance of the array to which the drive signal is applied. As shown by the solid line, the configuration in which the drive signal is applied only to the panel selected according to the present invention reduces the capacitance connected to the array and shortens the rise time and fall time.
図4の短縮時間は、本発明による駆動必要時間Tall2は、従来のように全パネルを駆動する場合の駆動必要時間Tall1よりも短くすることができることを示している。 The shortened time in FIG. 4 indicates that the required drive time Tall2 according to the present invention can be made shorter than the required drive time Tall1 when driving all the panels as in the prior art.
なお、上記例では、本発明のTFTアレイ駆動装置をTFTアレイ検査装置に適用した例を示しているが、検査装置に限らずTFTアレイを駆動する回路構成であれば同様に適用することができる。 In the above example, the TFT array driving device of the present invention is applied to a TFT array inspection device. However, the present invention is not limited to the inspection device and can be similarly applied to any circuit configuration for driving a TFT array. .
本発明は、液晶製造装置におけるTFTアレイ検査工程の他、有機ELや種々の半導体基板が備えるTFTアレイの欠陥検査に適用することができる。 The present invention can be applied not only to a TFT array inspection process in a liquid crystal manufacturing apparatus but also to a defect inspection of a TFT array provided in an organic EL or various semiconductor substrates.
Claims (4)
前記TFTアレイを駆動する駆動信号を生成するTFT駆動回路と、
前記駆動信号を印加するパネルを選択する駆動パネル選択制御回路とを備え、
前記駆動パネル選択制御回路は、選択したパネルに前記TFT駆動回路が生成した駆動信号を印加することを特徴とする、TFTアレイ駆動装置。In the TFT array driving device for driving the panel provided in the TFT array substrate,
A TFT drive circuit for generating a drive signal for driving the TFT array;
A drive panel selection control circuit for selecting a panel to which the drive signal is applied;
The TFT array driving device, wherein the driving panel selection control circuit applies a driving signal generated by the TFT driving circuit to a selected panel.
前記駆動パネル選択制御回路は、TFTアレイを駆動する駆動信号と駆動信号を印加するパネルを選択する選択信号とを前記給電回路に送り、
当該給電回路は、前記選択信号により選択されるパネルに駆動信号を給電することを特徴とする、請求項1に記載のTFTアレイ駆動装置。A power supply circuit for applying a drive signal to a panel included in the TFT array substrate;
The drive panel selection control circuit sends a drive signal for driving the TFT array and a selection signal for selecting a panel to which the drive signal is applied to the power supply circuit,
The TFT array driving device according to claim 1, wherein the power feeding circuit feeds a driving signal to a panel selected by the selection signal.
前記駆動パネル選択制御回路は、前記電子線走査手段の電子線走査と同期してパネル選択を行い、駆動信号を印加するパネルとして、前記電子線走査手段が走査するパネルを選択し、電子線走査と同期して駆動信号を印加するパネルを切り替えることを特徴とする、請求項1又は2に記載のTFTアレイ駆動装置。An electron beam scanning means for scanning an electron beam on a panel included in the TFT array;
The drive panel selection control circuit performs panel selection in synchronization with the electron beam scanning of the electron beam scanning unit, selects a panel to be scanned by the electron beam scanning unit as a panel to which a drive signal is applied, and performs electron beam scanning. The TFT array driving device according to claim 1, wherein a panel to which a driving signal is applied is switched in synchronization with the driving signal.
前記選択回路は、前記基板ステージを駆動する移動指令と同期してパネル選択を行い、基板ステージの位置に応じて駆動信号を印加するパネルを切り替えることを特徴とする、請求項3に記載のTFTアレイ駆動装置。The electron beam scanning means has a substrate stage that supports the TFT array substrate and moves the TFT array substrate in a predetermined direction,
4. The TFT according to claim 3, wherein the selection circuit performs panel selection in synchronization with a movement command for driving the substrate stage, and switches a panel to which a drive signal is applied in accordance with the position of the substrate stage. Array drive device.
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