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JPH06188092A - X-ray generating target, x-ray source, and x-ray image pickup device - Google Patents

X-ray generating target, x-ray source, and x-ray image pickup device

Info

Publication number
JPH06188092A
JPH06188092A JP4336468A JP33646892A JPH06188092A JP H06188092 A JPH06188092 A JP H06188092A JP 4336468 A JP4336468 A JP 4336468A JP 33646892 A JP33646892 A JP 33646892A JP H06188092 A JPH06188092 A JP H06188092A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
electron beam
target
layer
generating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4336468A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroya Koshishiba
洋哉 越柴
Yasuo Nakagawa
泰夫 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP4336468A priority Critical patent/JPH06188092A/en
Publication of JPH06188092A publication Critical patent/JPH06188092A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide an X-ray image pickup device provided with a high-output X-ray source by composing the X-ray source of an X-ray generating target having a micro-focal point size which can be cooled. CONSTITUTION:A micro-electron beam 1 is radiated to a target T having an X-ray generating layer 5 comprising a support body 7, an electron absorption layer 6 jointed with it, and a tungsten film deposited on it. Heat generated by radiation of the electron beam 1 is cooled by cooling medium 16. An X-ray 4 generated from the X-ray generating layer 5 is taken, it is radiated to a sample 48, and its transmission image is detected by an X-ray image intensifier 50 and a cooling type CCD camera 54. Where a beam diameter of the electron beam 1 is set to be less than 1mum, with thickness of the tungsten film in the X-ray generating layer 5 set at 1mum, an X-ray source of a micro-focal point size of about 1mum, thereby a clear fluoroscopic image without having a half shadow blurr can be provided by an X-ray image pickup device provided with this X-ray source.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、X線発生用タ−ゲット
とX線源とX線撮像装置に係り、特に、高解像度X線透
視に好適なX線発生用タ−ゲットと微小焦点X線源とX
線撮像装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray generating target, an X-ray source and an X-ray imaging apparatus, and more particularly to an X-ray generating target and a micro focus suitable for high resolution X-ray fluoroscopy. X-ray source and X
The present invention relates to a line imaging device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のX線撮像装置においては、高解像
度が要求されていた。X線撮像装置における検出解像度
を支配する一要因として、X線源の焦点寸法が挙げられ
る。このため、高解像度が要求されるX線撮像装置にお
いては、微小焦点のマイクロフォ−カスX線源が使用さ
れている。マイクロフォ−カスX線源に使用されるX線
発生用タ−ゲット(以下、タ−ゲットという)は、タ−
ゲットから横方向に出たX線を用いる反射形とタ−ゲッ
トを透過したX線を用いる透過形とに大別される。
2. Description of the Related Art A high resolution is required for a conventional X-ray imaging apparatus. One factor that governs the detection resolution in an X-ray imaging device is the focal dimension of the X-ray source. For this reason, a microfocus X-ray source with a micro focus is used in an X-ray imaging apparatus that requires high resolution. An X-ray generation target (hereinafter referred to as a target) used for a microfocus X-ray source is a target.
It is roughly classified into a reflection type that uses X-rays emitted laterally from the target and a transmission type that uses X-rays transmitted through the target.

【0003】反射形タ−ゲットは、タ−ゲットの冷却性
については優れているが、タ−ゲット内での電子線の拡
がりが大きくなるため、解像度については不利であると
いう欠点があった。透過形タ−ゲットは、解像度につい
てはタ−ゲット内での電子線の拡がりを小さくできるた
め優れているが、冷却性が悪いという欠点があった。し
かし、一般的には、電子線の拡がりが小さいという長所
により透過形タ−ゲットが多く用いられていた。
The reflective target is excellent in the cooling property of the target, but has a drawback that it is disadvantageous in the resolution because the spread of the electron beam in the target becomes large. The transmissive target is excellent in resolution because it can reduce the spread of the electron beam in the target, but has the drawback of poor cooling performance. However, generally, a transmission type target has been often used because of its advantage that the spread of the electron beam is small.

【0004】まず、図20を参照して従来の技術を説明
する。図20は従来の透過形のタ−ゲットの断面図であ
る。図20において、1は集束電子線、2は薄膜タ−ゲ
ット、3は領域、4はX線である。X線は、カソ−ドか
ら放射された熱電子の集束電子線1を直流の高電圧によ
って加速し、薄膜タ−ゲット2に照射すると、領域3で
X線4が発生する。この薄膜タ−ゲット2を透過したX
線4が使用される。X線発生領域3の大きさは、集束電
子線1の加速電圧とビ−ム径およびタ−ゲット2の材質
と膜厚とによって定まる。
First, a conventional technique will be described with reference to FIG. FIG. 20 is a sectional view of a conventional transmission type target. In FIG. 20, 1 is a focused electron beam, 2 is a thin film target, 3 is a region, and 4 is an X-ray. The X-ray accelerates the focused electron beam 1 of the thermoelectrons emitted from the cathode by a high DC voltage and irradiates the thin film target 2 to generate X-ray 4 in the region 3. X transmitted through this thin film target 2
Line 4 is used. The size of the X-ray generation region 3 is determined by the acceleration voltage of the focused electron beam 1, the beam diameter, and the material and film thickness of the target 2.

【0005】微小な焦点サイズのX線を得るためには、
タ−ゲット2の膜厚を薄くしなければならないが、逆に
温度上昇の面で不利になり、高出力のタ−ゲット,X線
源が得られないという致命的な欠点があった。このよう
な透過形タ−ゲットを使用したX線源については、例え
ば、特開平3−274500号に記載されているが、集
束電子線1を透過形タ−ゲット2に照射して、微小焦点
サイズのX線源を得るというものであった。
In order to obtain an X-ray with a minute focus size,
Although the film thickness of the target 2 has to be made thin, it is disadvantageous in terms of temperature rise, and there is a fatal defect that a high-output target and X-ray source cannot be obtained. An X-ray source using such a transmissive target is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-274500, but a focused electron beam 1 is irradiated on the transmissive target 2 to obtain a fine focus. It was to get a size X-ray source.

【0006】また、近時、応用分野の拡大している特性
X線については、波長の異なる種々のX線の利用が多
く、そのためにはタ−ゲットの材質を波長の変更のたび
ごとに取り換えなければならないという欠点があった。
また、上述の高出力のタ−ゲット,X線源が得られない
ことは、X線撮像装置が高解像度でないという欠点の原
因でもあった。
Further, for characteristic X-rays, which have recently been expanded in application fields, various X-rays having different wavelengths are often used. For that purpose, the material of the target is changed every time the wavelength is changed. It had the drawback of having to.
Further, the inability to obtain the above-mentioned high-output target and X-ray source has also been a cause of the drawback that the X-ray imaging apparatus does not have high resolution.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記反射形タ−ゲット
は、冷却性については優れており、高出力のタ−ゲッ
ト,X線源が得られるという利点を生かそうとしても、
一定の厚みを有するため照射した集束電子線によるX線
発生領域が拡大され、焦点サイズの微小化ができないと
いう問題があった。また、前記焦点サイズの微小化がで
きないという問題が高解像度の透視に必要な微小焦点の
マイクロフォ−カスX線源が得られないう問題でもあっ
た。さらにまた、特性X線の波長の変更におけるタ−ゲ
ットの材質の交換は、撮像装置の真空装置を停止して実
施するため、長時間を要し実用的でないという問題があ
った。さらにまた、上記の諸問題は、高解像度のX線撮
像装置がえられないという問題の原因でもあった。
The reflective target is excellent in cooling property, and even if it is attempted to take advantage of obtaining a high-output target and an X-ray source,
Since it has a constant thickness, there is a problem that the X-ray generation region by the focused electron beam irradiated is enlarged and the focus size cannot be reduced. Further, the problem that the focus size cannot be reduced is also a problem that a microfocus X-ray source having a fine focus necessary for high-resolution fluoroscopy cannot be obtained. Furthermore, the replacement of the material of the target when changing the wavelength of the characteristic X-ray is carried out by stopping the vacuum device of the image pickup device, which requires a long time and is not practical. Furthermore, the various problems described above are also the cause of the problem that a high-resolution X-ray imaging apparatus cannot be obtained.

【0008】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るためになされたもので、第1の目的は、冷却性が良い
という長所を持ち、かつ、X線の発生領域を小さくした
X線発生用タ−ゲットを提供することにある。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems of the prior art. The first object of the present invention is that the X-rays have the advantages of good cooling and have a small X-ray generation region. It is to provide a target for generation.

【0009】第2の目的は、上記タ−ゲットを使用した
高出力のX線が得られるX線源を提供することにある。
第3の目的は、特性X線を出力するX線源においては、
タ−ゲットの材質を変更し、容易、かつ、迅速に波長の
変更できるX線源を提供することにある。第4の目的
は、上記高出力のX線源を使用した高解像度のX線撮像
装置を提供することにある。
A second object is to provide an X-ray source which can obtain high-power X-rays using the above target.
The third purpose is, in an X-ray source that outputs characteristic X-rays,
An object of the present invention is to provide an X-ray source that can easily and quickly change the wavelength by changing the material of the target. A fourth object is to provide a high resolution X-ray imaging apparatus using the above high output X-ray source.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記第一の目的を達成す
るために、X線発生用タ−ゲットに係る第一の発明の構
成は、照射された電子線を吸収しない厚さの薄いX線発
生層と、前記X線発生層を透過した電子を吸収する電子
線吸収層とから構成したものである。上記X線発生層は
複数の材質から構成したものである。また、X線発生用
タ−ゲットは、微小な焦点のX線を発生するX線発生体
と、前記X線発生体を透過した電子を吸収する電子線吸
収層とから構成したものである。
In order to achieve the above-mentioned first object, the structure of the first invention relating to the X-ray generating target is a thin X-ray which does not absorb the irradiated electron beam. It is composed of a ray generating layer and an electron beam absorbing layer that absorbs electrons transmitted through the X-ray generating layer. The X-ray generation layer is composed of a plurality of materials. The X-ray generation target is composed of an X-ray generator that generates X-rays having a minute focus and an electron beam absorption layer that absorbs electrons that have passed through the X-ray generator.

【0011】上記X線発生体は、少なくとも一個の発生
体から構成したものである。また、上記X線発生体は、
複数の材質から構成したものである。上記電子線吸収層
は、金属の支持体により支持されているようにしたもの
である。上記X線発生用タ−ゲットは、電子線吸収層を
銅系の金属板にベリリウム箔を接合して形成し、X線発
生層を前記電子線吸収層にタングステン膜を蒸着して形
成し反射形としたものである。
The X-ray generator is composed of at least one generator. Further, the X-ray generator is
It is composed of a plurality of materials. The electron beam absorbing layer is supported by a metal support. In the X-ray generating target, an electron beam absorbing layer is formed by bonding a beryllium foil to a copper-based metal plate, and an X-ray generating layer is formed by depositing a tungsten film on the electron beam absorbing layer and reflecting it. It is a shape.

【0012】また、上記第二の目的を達成するために、
X線源に係る第二の発明の構成は、照射された電子線を
吸収しない厚さの薄いX線発生層と、X線発生層を透過
した電子を吸収する電子線吸収層とからなる反射形X線
発生用タ−ゲットと、前記タ−ゲットを前記電子線吸収
層側から冷却する手段と、X線発生層側からX線を取り
出す手段とから構成したものである。上記電子線吸収層
側から冷却する手段は、電子冷却素子により構成したも
のである。上記電子線吸収層は金属の支持体により支持
されているようにしたものである。
Further, in order to achieve the above second object,
The structure of the second invention relating to the X-ray source is a reflection composed of a thin X-ray generation layer that does not absorb the irradiated electron beam and an electron beam absorption layer that absorbs the electrons transmitted through the X-ray generation layer. It is composed of a target for X-ray generation, means for cooling the target from the electron beam absorption layer side, and means for taking out X-rays from the X-ray generation layer side. The means for cooling from the electron beam absorbing layer side is composed of an electronic cooling element. The electron beam absorbing layer is supported by a metal support.

【0013】また、X線源は、照射された電子線を吸収
しない厚さの薄いX線発生層と、前記X線発生層を透過
した電子を吸収する電子線吸収層とからなるX線発生用
タ−ゲットを回転させるようにしたものである。X線源
は、微小な焦点のX線を発生するX線発生体と、前記X
線発生体を透過した電子を吸収する電子線吸収層とから
なるX線発生用タ−ゲットを有し、前記タ−ゲットを回
転させるようにしたものである。
Further, the X-ray source comprises an X-ray generating layer having a thin thickness which does not absorb the irradiated electron beam and an electron beam absorbing layer which absorbs the electrons transmitted through the X-ray generating layer. The target is rotated. The X-ray source includes an X-ray generator that generates X-rays having a minute focus, and the X-ray generator.
It has an X-ray generating target composed of an electron beam absorbing layer that absorbs electrons transmitted through a ray generator, and the target is rotated.

【0014】また、X線源は、電子線を偏向する手段と
X線発生用タ−ゲットからの反射電子や2次電子を検出
する手段とを備え、前記検出手段による走査像により前
記電子線の焦点を前記タ−ゲットに合わせるようにした
ものである。上記X線発生用タ−ゲットは、X線を発生
する部位に電子線の焦点合せ用のメッシュを具備させる
ようにしたものである。上記X線発生用タ−ゲットは、
X線を発生する部位に電子線の焦点合せ用の表面模様を
具備させるようにしたものである。
The X-ray source includes means for deflecting an electron beam and means for detecting backscattered electrons and secondary electrons from the X-ray generating target. The electron beam is detected by the scanning image by the detecting means. Is focused on the target. The target for X-ray generation is provided with a mesh for focusing an electron beam at a site where X-rays are generated. The X-ray generation target is
A surface pattern for focusing an electron beam is provided on a portion where an X-ray is generated.

【0015】また、X線源は、電子線を偏向し回転走査
させる手段と、円環状のX線発生体を具備したX線発生
用タ−ゲットを備え、前記電子線を偏向する手段により
前記電子線を回転走査させ、前記円環状のX線発生体上
のX線発生点を回転させるようにしたものである。
The X-ray source includes means for deflecting and rotating and scanning the electron beam, and an X-ray generating target equipped with an annular X-ray generator. The electron beam is rotationally scanned to rotate the X-ray generation point on the annular X-ray generator.

【0016】上記第三の目的を達成するために、特性X
線を発生させるX線源に係る第三の発明の構成は、電子
線を偏向する手段と、複数の材質を有するX線発生体ま
たは複数の材質を有するX線発生層のいずれかを有する
X線発生用タ−ゲットとを備え、前記電子線を偏向する
手段により前記タ−ゲットに対する電子線の照射位置を
変更し、種々の特性X線を発生させるようにしたもので
ある。
In order to achieve the third object, the characteristic X
According to a third aspect of the invention relating to an X-ray source for generating X-rays, there is provided an X-ray generator having a means for deflecting an electron beam and an X-ray generator having a plurality of materials or an X-ray generating layer having a plurality of materials. A target for line generation is provided, and the irradiation position of the electron beam on the target is changed by means for deflecting the electron beam to generate various characteristic X-rays.

【0017】上記第四の目的を達成するために、X線撮
像装置に係る第四の発明の構成は、照射された電子線を
吸収しない厚さの薄いX線発生層とX線発生層を透過し
た電子を吸収する電子線吸収層とを有するX線発生用タ
−ゲットを備え、前記タ−ゲットを微細な電子線により
照射しX線発生層側からX線を取り出すと共に電子線吸
収層側から冷却するX線源と、試料を透過したX線像を
表示するX線イメ−ジインテンシファイアと冷却形CC
Dカメラとからなる検出系とから構成したものである。
In order to achieve the above-mentioned fourth object, the structure of the fourth invention relating to the X-ray imaging apparatus includes an X-ray generation layer and a thin X-ray generation layer which do not absorb the irradiated electron beam and have a thin thickness. An electron beam absorbing layer having an electron beam absorbing layer for absorbing the transmitted electrons is provided, and the target is irradiated with a fine electron beam to extract the X ray from the X ray generating layer side and the electron beam absorbing layer. X-ray source for cooling from the side, X-ray image intensifier for displaying an X-ray image transmitted through the sample, and cooled CC
And a detection system including a D camera.

【0018】[0018]

【作用】上記各技術的手段の働きはつぎのとおりであ
る。第一の発明の構成によれば、X線発生用タ−ゲット
に照射される電子線を細く絞り、照射される電子線の吸
収がないようにX線発生層の厚さを十分に薄くすると共
に透過した電子を吸収する電子線吸収層を設け2層とし
たので、照射された電子線が前記タ−ゲットの内部まで
侵入する散乱領域(例えば、加速電圧100kVの電子
線の散乱領域は、5μm以上)が制限され、かつ、透過
した電子が完全に吸収され焦点サイズを微小化すること
ができる。また、上記X線発生層に微小体のX線発生体
を使用しても、同様の働きが得られる。
The operation of each of the above technical means is as follows. According to the structure of the first invention, the electron beam with which the X-ray generating target is irradiated is narrowed down and the thickness of the X-ray generating layer is made sufficiently thin so that the irradiated electron beam is not absorbed. Since the electron beam absorbing layer that absorbs the transmitted electrons is provided as two layers, the scattering region where the irradiated electron beam penetrates into the inside of the target (for example, the scattering region of the electron beam having an acceleration voltage of 100 kV is (5 μm or more) is limited, and the transmitted electrons are completely absorbed, so that the focal size can be miniaturized. Further, even if a minute X-ray generator is used for the X-ray generating layer, the same function can be obtained.

【0019】第二の発明の構成によれば、照射される電
子線の持つエネルギ−の大部分はX線発生用タ−ゲット
において熱となるが、この熱を冷却手段により電子吸収
層側から冷却し熱を奪い、前記タ−ゲットを冷却する。
これにより前記タ−ゲットは、その耐熱性が増し、大電
流の集速電子線を照射でき発生するX線量が増し、高輝
度のX線を出力することができる。前記タ−ゲットが回
転することにより電子線の照射位置が刻々と変わるた
め、大電流の集速電子線を照射でき発生するX線量が増
し、高輝度なX線が出力される。
According to the structure of the second invention, most of the energy of the irradiated electron beam is heat in the X-ray generating target, and this heat is transferred from the electron absorbing layer side by the cooling means. It cools and takes heat to cool the target.
This increases the heat resistance of the target, increases the amount of X-rays that can be generated by irradiating a current-collecting electron beam with a large current, and can output high-intensity X-rays. Since the irradiation position of the electron beam changes every moment as the target rotates, a high-current collecting electron beam can be irradiated and the generated X-ray dose increases, so that a high-intensity X-ray is output.

【0020】また、電子線を偏向する手段によりX線発
生層の走査電子像を検出し、電子線の焦点を確実にX線
発生層に合わすことができる。特に、X線発生層にメッ
シュを置くと、走査電子像が明確となりピントが合わせ
やすい。さらに、電子線を偏向する手段により、集速電
子線の照射位置をずらし、前記タ−ゲットの寿命が伸ば
すことができる。さらに、電子線を円環のX線発生体上
を偏向走査することにより、微小焦点サイズの回転X線
発生点を得ることができる。
Further, the scanning electron image of the X-ray generation layer can be detected by the means for deflecting the electron beam, and the focus of the electron beam can be surely focused on the X-ray generation layer. In particular, when a mesh is placed on the X-ray generation layer, the scanning electron image becomes clear and it is easy to focus. Further, by irradiating the electron beam, the irradiation position of the collecting electron beam can be shifted to extend the life of the target. Further, by deflecting and scanning the electron beam on the circular X-ray generator, it is possible to obtain a rotating X-ray generating point having a minute focus size.

【0021】第三の発明の構成によれば、照射される電
子線が偏向され、X線発生用タ−ゲットのX線発生体あ
るいはX線発生層の複数の材質位置を照射するので、前
記タ−ゲットの材質を瞬時に切換り発生する特性X線の
波長が変わる。
According to the structure of the third aspect of the invention, the irradiated electron beam is deflected to irradiate a plurality of material positions of the X-ray generator or the X-ray generating layer of the X-ray generating target. The wavelength of the characteristic X-ray generated is changed by instantly switching the material of the target.

【0022】第四の発明の構成によれば、電子線のビ−
ム径を十分に細く集束し、薄いX線発生層と電子線吸収
層との2層構造のX線発生用タ−ゲットに照射し、前記
タ−ゲットは、冷却手段により冷却され、高輝度、か
つ、微小な焦点サイズのX線が得られるため、半影ぼけ
のない鮮明な試料の透視像が得られ、この試料透視X線
像を表示すれば鮮明な像がえられる。
According to the structure of the fourth invention, a beam of an electron beam is emitted.
The target having a two-layer structure of a thin X-ray generating layer and an electron beam absorbing layer, which has a sufficiently small diameter, is irradiated, and the target is cooled by a cooling means to obtain high brightness. In addition, since X-rays having a minute focus size can be obtained, a clear fluoroscopic image of the sample without penumbra can be obtained, and a clear image can be obtained by displaying the fluoroscopic X-ray image of the sample.

【0023】[0023]

【実施例】以下本発明の各実施例を図1ないし図19を
参照して説明する。 〔実施例 1〕図1は、本発明の一実施例に係る反射形
タ−ゲットの断面図である。第一の発明に係る本実施例
は反射形タ−ゲットについて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Each embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. [Embodiment 1] FIG. 1 is a sectional view of a reflective target according to an embodiment of the present invention. This embodiment according to the first aspect of the present invention describes a reflective target.

【0024】図1において、1は集束電子線、4はX
線、5はX線発生層、6は電子線吸収層、7は支持体で
あり、これらによりタ−ゲットTを構成している。X線
発生層5は、X線発生効率の高い重金属が好適であり、
かつ、電子線6の熱発生作用を考慮し、融点の高いタン
グステンやモリブデンにより構成されている。また、そ
の膜厚は所望するX線焦点サイズによるが、1μmの焦
点サイズを得ようとすれば1μm前後が良い。このと
き、電子線1のビ−ム径は1μm以下に集束されている
必要がある。
In FIG. 1, 1 is a focused electron beam and 4 is X.
Lines 5, 5 are X-ray generation layers, 6 is an electron beam absorption layer, and 7 is a support, which constitute a target T. For the X-ray generation layer 5, a heavy metal having a high X-ray generation efficiency is suitable,
Further, in consideration of the heat generation action of the electron beam 6, it is made of tungsten or molybdenum having a high melting point. The thickness of the film depends on the desired X-ray focal spot size, but if a focal spot size of 1 μm is to be obtained, it is preferably around 1 μm. At this time, the beam diameter of the electron beam 1 needs to be focused to 1 μm or less.

【0025】電子線吸収層6はX線発生層5を透過した
電子を吸収する層である。X線発生層5が薄いため、照
射した電子がX線発生層5で透過し吸収されないからで
ある。電子線吸収層6は、X線発生効率の低い軽元素が
適しており、例えば、原子番号が小さいベリリウムやカ
−ボンが好適である。電子線吸収層6の膜厚は、電子を
吸収するだけの厚さが必要であり、照射する電子の加速
電圧にも関係する。加速電圧100kVのときは0.1
mm程度必要であり、加速電圧200kVのときは0.
3mm以上必要である。
The electron beam absorbing layer 6 is a layer that absorbs electrons transmitted through the X-ray generating layer 5. This is because, since the X-ray generation layer 5 is thin, irradiated electrons pass through the X-ray generation layer 5 and are not absorbed. For the electron beam absorbing layer 6, a light element having a low X-ray generation efficiency is suitable, and for example, beryllium or carbon having a small atomic number is suitable. The electron beam absorption layer 6 needs to have a thickness enough to absorb electrons, and is also related to the acceleration voltage of the electrons to be irradiated. 0.1 at acceleration voltage of 100 kV
mm is required, and when the acceleration voltage is 200 kV, 0.
3 mm or more is required.

【0026】支持体7はX線発生層5と電子線吸収層6
を支持するものであり、電子線1の照射によりX線発生
層5に発生した熱を発散させる働きを有する。このた
め、熱伝導率の高い金属が好適であり、例えば、銅が用
いられる。タ−ゲットは真空中にあるので無酸素銅ある
いは燐青銅が好適である。このタ−ゲットは支持体7を
介して冷却される。
The support 7 comprises an X-ray generating layer 5 and an electron beam absorbing layer 6.
And has a function of dissipating the heat generated in the X-ray generation layer 5 by the irradiation of the electron beam 1. Therefore, a metal having a high thermal conductivity is suitable, and for example, copper is used. Since the target is in vacuum, oxygen-free copper or phosphor bronze is suitable. This target is cooled via the support 7.

【0027】直流高電圧によって加速された集束電子線
1がX線発生層5に衝突し、X線4が発生する。X線発
生層5で発生したX線4はX線発生層5側の側方から取
り出され、タ−ゲットは反射形として使用される。
The focused electron beam 1 accelerated by the high DC voltage collides with the X-ray generation layer 5 to generate X-rays 4. The X-rays 4 generated in the X-ray generation layer 5 are extracted from the side of the X-ray generation layer 5 side, and the target is used as a reflection type.

【0028】本実施例に示したタ−ゲットの製作方法の
一例を説明する。まず、支持体7と電子線吸収層6と
は、無酸素銅板とベリリウム箔とを真空炉にて800〜
900℃に加熱し拡散接合して形成される。そののち、
X線発生層5はタングステン膜をスパッタリングあるい
はCVDにて蒸着することにより形成され、タ−ゲット
Tが完成される。
An example of a method of manufacturing the target shown in this embodiment will be described. First, for the support 7 and the electron beam absorbing layer 6, the oxygen-free copper plate and the beryllium foil are heated in a vacuum furnace at 800-
It is formed by heating at 900 ° C. and diffusion bonding. after that,
The X-ray generation layer 5 is formed by depositing a tungsten film by sputtering or CVD, and the target T is completed.

【0029】〔実施例 2〕第一の発明に係る他の実施
例について説明する。図2は、本発明の他の実施例に係
る反射形タ−ゲットの断面図を示す。図2において、図
中、図1と同一符号は同等部分であるので、詳細な説明
は省略する。新たな符号のみ説明する。8はX線発生体
である。
[Embodiment 2] Another embodiment of the first invention will be described. FIG. 2 is a sectional view of a reflective target according to another embodiment of the present invention. In FIG. 2, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same parts, and thus detailed description thereof will be omitted. Only new symbols will be described. 8 is an X-ray generator.

【0030】図2に示す如く、第一の発明に係る本実施
例の反射形タ−ゲットは、〔実施例1〕と原理的に同一
であり、〔実施例 1〕のX線発生層5が薄膜である
が、本実施例のX線発生体8は微小な塊である。このた
め、〔実施例 1〕においては、X線発生層5に対する
集束電子線1のビ−ム径は細く集束する必要があるが、
本実施例のX線発生体8に対する集束電子線1のビ−ム
径は、必ずしも細く集束しなくても、微小なX線焦点サ
イズが得られる。
As shown in FIG. 2, the reflective target of this embodiment according to the first invention is the same in principle as that of [Embodiment 1], and the X-ray generation layer 5 of [Embodiment 1] is used. Is a thin film, but the X-ray generator 8 of this embodiment is a minute mass. For this reason, in [Example 1], the beam diameter of the focused electron beam 1 with respect to the X-ray generation layer 5 needs to be narrow and focused.
The beam diameter of the focused electron beam 1 with respect to the X-ray generator 8 of the present embodiment can be a fine X-ray focal spot size even if the beam diameter is not necessarily narrow.

【0031】本実施例の反射形タ−ゲットはX線発生体
8と電子線吸収層6と支持体7とから構成されている。
集束電子線1をX線発生体8に照射すると、X線発生体
8からX線4が発生する。X線発生体8はX線発生効率
の高い重金属が好適であり、例えば、融点の高いタング
ステンやモリブデンが好適である。また、その大きさは
所望するX線焦点サイズによるが、その大きさを1μm
とすれば焦点サイズ1μmが得られる。電子線吸収層6
と支持体7については〔実施例 1〕と同様であるの
で、詳細な説明は省略する。
The reflective target of this embodiment comprises an X-ray generator 8, an electron beam absorbing layer 6 and a support 7.
When the X-ray generator 8 is irradiated with the focused electron beam 1, X-rays 4 are generated from the X-ray generator 8. The X-ray generator 8 is preferably a heavy metal having a high X-ray generation efficiency, such as tungsten or molybdenum having a high melting point. The size depends on the desired X-ray focal spot size, but the size is 1 μm.
Then, a focus size of 1 μm can be obtained. Electron beam absorption layer 6
Since the support 7 is the same as that in [Example 1], detailed description thereof is omitted.

【0032】〔実施例 3〕第一の発明に係る他の実施
例について説明する。図3は、本発明のさらに他の実施
例に係る反射形タ−ゲットの断面図を示す。図3におい
て、図中、図2と同一符号は同一部分であるので詳細な
説明は省略する。新たな符号のみ説明する。9は保護層
である。図3に示すごとく、第一の発明に係る本実施例
の反射形タ−ゲットは〔実施例2〕と原理的に同一であ
るが、保護層9を加えたものである。
[Embodiment 3] Another embodiment of the first invention will be described. FIG. 3 is a sectional view of a reflection type target according to another embodiment of the present invention. In FIG. 3, the same reference numerals as those in FIG. 2 denote the same parts, and detailed description thereof will be omitted. Only new symbols will be described. 9 is a protective layer. As shown in FIG. 3, the reflective target of the present embodiment according to the first invention is the same in principle as that of [Embodiment 2], except that a protective layer 9 is added.

【0033】本実施例の反射形タ−ゲットは電子線吸収
層6と支持体7とX線発生体8と保護層9とから構成さ
れいる。保護層9はX線発生体8を機械的に保護するも
のであり、その転倒などを防ぐ作用がある。集束電子線
1による反射電子や二次電子を少なくし、これらの電子
によるX線の発生を防ぐ必要のためX線発生効率の低い
軽元素が好適である。
The reflective target of this embodiment comprises an electron beam absorbing layer 6, a support 7, an X-ray generator 8 and a protective layer 9. The protective layer 9 mechanically protects the X-ray generator 8 and has an action of preventing the X-ray generator 8 from falling over. Light elements having a low X-ray generation efficiency are preferable because it is necessary to reduce the number of reflected electrons and secondary electrons due to the focused electron beam 1 and prevent the generation of X-rays due to these electrons.

【0034】上記の〔実施例 2〕と〔実施例 3〕と
の反射形タ−ゲットの製造方法の一例を説明する。ま
ず、支持体7と電子線吸収層6は、無酸素銅板とベリリ
ウム箔とを真空炉にて800〜900℃に加熱し拡散接
合して形成される。そののち、この上にタングステン膜
をスパッタリングあるいはCVDにて蒸着する。タング
ステン膜の上にレジストを塗布し、電子ビ−ムによる露
光を施し、レジストを現像したのち不要なタングステン
膜をエッチングして、X線発生体8となる部分を形成す
る。そして、レジストを除去すると〔実施例 2〕の反
射形タ−ゲットが完成する。さらに、ポリイミドを塗布
して保護層9を形成すると、〔実施例 3〕の反射形タ
−ゲットが完成する。
An example of the manufacturing method of the reflective target according to the above [Embodiment 2] and [Embodiment 3] will be described. First, the support 7 and the electron beam absorption layer 6 are formed by heating an oxygen-free copper plate and a beryllium foil to 800 to 900 ° C. in a vacuum furnace and diffusion bonding them. After that, a tungsten film is deposited on this by sputtering or CVD. A resist is applied on the tungsten film, exposed by an electron beam, the resist is developed, and then the unnecessary tungsten film is etched to form a portion to become the X-ray generator 8. Then, the resist is removed to complete the reflective target of [Example 2]. Further, when a protective layer 9 is formed by applying polyimide, the reflective target of [Example 3] is completed.

【0035】〔実施例 4〕第一の発明のさらに他の一
実施例を説明する。図4は、本発明のさらに他の実施例
に係るタ−ゲットの説明図である。図中、図1と同一符
号は同等部分であるのでその説明は省略する。20は吸
熱部、21は回転軸である。本実施例は、〔実施例
1〕,〔実施例 2〕,〔実施例 3〕のタ−ゲットと
相違する点はタ−ゲットを回転させることである。これ
により、電子ビ−ムの照射位置が刻々と変ることにより
で、タ−ゲットの照射される部分の温度上昇が抑えられ
ることが特徴である。
[Embodiment 4] Still another embodiment of the first invention will be described. FIG. 4 is an explanatory view of a target according to still another embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. Reference numeral 20 is a heat absorbing portion, and 21 is a rotating shaft. This example is based on [Example
1], [Embodiment 2], [Embodiment 3] is different from the target in that the target is rotated. As a result, the irradiation position of the electron beam changes every moment, and the temperature rise of the irradiated portion of the target is suppressed.

【0036】本実施例のタ−ゲットTはX線発生層5と
電子線吸収層6とを拡散接合し、さらに、電子線吸収層
6と吸熱部20とを接合して構成される。前記タ−ゲッ
トTは回転軸21により回転させられるようになってい
る。X線発生層5は〔実施例 1〕と同様に、集束電子
線1の照射によりX線4を発生する層であり、X線発生
効率の高く、かつ、融点の高い重金属、例えば、タング
ステンやモリブデン等が好適である。
The target T of this embodiment is constructed by diffusively bonding the X-ray generating layer 5 and the electron beam absorbing layer 6, and further bonding the electron beam absorbing layer 6 and the heat absorbing portion 20. The target T is adapted to be rotated by a rotary shaft 21. Similar to [Example 1], the X-ray generation layer 5 is a layer that generates X-rays 4 by irradiation with the focused electron beam 1 and has a high X-ray generation efficiency and a high melting point, such as tungsten or tungsten. Molybdenum or the like is preferable.

【0037】また、その膜厚は所望するX線焦点サイズ
によるが、1μmの焦点サイズを得るには1μm前後が
良い。このとき、集速電子線1のビ−ム径は1μm以下
に集束されている必要がある。X線発生層5が薄いた
め、照射された集速電子線1の電子がX線発生層5では
吸収しきれない。
The film thickness depends on the desired X-ray focal spot size, but about 1 μm is preferable to obtain a focal spot size of 1 μm. At this time, the beam diameter of the speed-collecting electron beam 1 needs to be focused to 1 μm or less. Since the X-ray generation layer 5 is thin, the electrons of the focused electron beam 1 irradiated cannot be absorbed by the X-ray generation layer 5.

【0038】電子線吸収層6はX線発生層5を透過した
集速電子線1の電子を吸収する層である。電子線吸収層
6はX線発生効率の低い軽元素が好適である。例えば、
原子番号が小さいベリリウムやカ−ボン等が好適であ
る。電子線吸収層6の膜厚は電子を吸収するだけの厚さ
が必要であり、照射する電子の加速電圧に関係する。加
速電圧100kVのときは0.1mm程度必要であり、
加速電圧200kVのときは0.3mm以上必要であ
る。
The electron beam absorption layer 6 is a layer that absorbs the electrons of the speed-collected electron beam 1 that has passed through the X-ray generation layer 5. The electron beam absorption layer 6 is preferably a light element having a low X-ray generation efficiency. For example,
Beryllium or carbon having a small atomic number is suitable. The electron beam absorption layer 6 needs to have a thickness enough to absorb electrons, and is related to the accelerating voltage of the irradiated electrons. When the acceleration voltage is 100 kV, about 0.1 mm is required,
When the acceleration voltage is 200 kV, 0.3 mm or more is necessary.

【0039】吸熱部20は、集速電子線1の照射により
X線発生層5に発生した熱を奪い、蓄熱し、かつ、放熱
する働きがある。したがって、熱容量の大なる程よく、
そのためある程度の体積が必要である。その材質は備え
るべき機能から熱伝導率がよく、かつ、比熱の大きい、
例えば、カ−ボン等が良い。集速電子線1の照射により
X線発生層5にX線と熱とが発生するが、集速電子線1
の照射位置が刻々と変わるように、タ−ゲットTを回転
軸21のまわりに回転させる。
The heat absorbing portion 20 has a function of absorbing the heat generated in the X-ray generating layer 5 by the irradiation of the speed-collecting electron beam 1, storing the heat, and radiating the heat. Therefore, the greater the heat capacity, the better
Therefore, some volume is required. The material has good thermal conductivity due to the function it should have, and has a large specific heat.
For example, carbon or the like is preferable. The irradiation of the speed-collecting electron beam 1 generates X-rays and heat in the X-ray generation layer 5, but the speed-collecting electron beam 1
The target T is rotated around the rotation shaft 21 so that the irradiation position of the target changes every moment.

【0040】これにより集速電子線1によるX線発生層
5の照射部が局部的に高温にならないようにする。発生
した熱は吸熱部20に蓄えられ、吸熱部20から徐々に
周囲に伝わり放散される。本実施例においては、X線発
生層として〔実施例 1〕に示すX線発生層5を構成要
素して用いたが、〔実施例 2〕,〔実施例 3〕の説
明したX線発生体8を使用しても差し支えない。
As a result, the irradiation portion of the X-ray generation layer 5 by the speed-collecting electron beam 1 is prevented from locally becoming high in temperature. The generated heat is stored in the heat absorbing unit 20, gradually propagates from the heat absorbing unit 20 to the surroundings, and is dissipated. In this embodiment, the X-ray generation layer 5 shown in [Example 1] was used as a constituent element as the X-ray generation layer, but the X-ray generator described in [Example 2] and [Example 3] was used. 8 can be used.

【0041】〔実施例 5〕次に、第二の発明の一実施
例を説明する。図5は、本発明のさらに他の実施例に係
るX線源の説明図である。図5は、X線源に〔実施例
1〕のタ−ゲットを組み込み使用しているものであり、
X線源の一部を示している。図5において、図中、図1
と同一符号は同等部分であるので、詳細な説明は省略す
る。新たな符号のみ説明する。13は真空容器、14は
X線取り出し窓、15は冷却用パイプ、16は冷却用冷
媒である。
[Embodiment 5] Next, an embodiment of the second invention will be described. FIG. 5 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention. FIG. 5 shows an X-ray source [Example
The target of 1] is built in and used,
A part of an X-ray source is shown. In FIG. 5, in FIG.
Since the same reference numerals are used for the same parts, detailed description thereof will be omitted. Only new symbols will be described. 13 is a vacuum container, 14 is an X-ray extraction window, 15 is a cooling pipe, and 16 is a cooling refrigerant.

【0042】タ−ゲットTは無酸素銅の支持体7とベリ
リウム箔の電子線吸収層6とタングステン膜のX線発生
層5とから構成されている。タ−ゲットTは真空容器1
3の中に収納されており、集束電子線1が照射されると
X線4が発生する。発生したX線4はX線取り出し窓1
4から外部に取り出される。
The target T is composed of a support 7 of oxygen-free copper, an electron beam absorption layer 6 of beryllium foil, and an X-ray generation layer 5 of tungsten film. Target T is a vacuum container 1
X-rays 4 are generated when the focused electron beam 1 is irradiated. The generated X-ray 4 is the X-ray extraction window 1
It is taken out from No. 4.

【0043】X線取り出し窓14はX線の透過率の高い
物質が良く、例えば、ベリリウムが適切である。また、
無酸素銅の支持体7には冷却用パイプ15が接合されて
おり、冷却用パイプ15の中は冷媒16が流されてい
る。図5の実施例においては、支持体7と冷却用パイプ
15とは接合されており別体となっているが、無酸素銅
支持体7に流通穴を穿設し冷媒16を前記流通穴に直接
流通させても差し支えない。
The X-ray extraction window 14 is preferably made of a material having a high X-ray transmittance, for example, beryllium is suitable. Also,
A cooling pipe 15 is joined to the oxygen-free copper support 7, and a cooling medium 16 flows in the cooling pipe 15. In the embodiment of FIG. 5, the support 7 and the cooling pipe 15 are joined and separated from each other, but a circulation hole is formed in the oxygen-free copper support 7 and the refrigerant 16 is introduced into the circulation hole. It can be distributed directly.

【0044】本実施例の動作を説明する。X線発生層5
は、集束電子線1により照射され、X線4を放射すると
共に大量の熱量を発生する。発生した熱は熱伝導により
電子線吸収層6へ伝わり、続いて支持体7へ伝導する。
支持体7へ熱伝導された熱は冷却用パイプ15中の冷媒
16により外部へ持ち去られる。無酸素銅支持体7に流
通穴を穿設し、冷媒16を直接流通させる形についても
同様の成果を得る。
The operation of this embodiment will be described. X-ray generation layer 5
Is irradiated with the focused electron beam 1, emits X-rays 4, and generates a large amount of heat. The generated heat is transferred to the electron beam absorption layer 6 by heat conduction, and then to the support 7.
The heat conducted to the support 7 is carried outside by the refrigerant 16 in the cooling pipe 15. The same result can be obtained in a form in which the circulation holes are formed in the oxygen-free copper support 7 and the refrigerant 16 is directly circulated.

【0045】このようにして、タ−ゲットTの熱は、冷
媒16により外部へ運ばれ冷却される。冷媒16は通常
のものでよく、例えば、水で良い。このように、タ−ゲ
ットTが冷却されるため大電流の集束電子線を照射で
き、強力なX線を得ることができる。
In this way, the heat of the target T is carried to the outside by the refrigerant 16 and cooled. The coolant 16 may be a conventional one, for example, water. Since the target T is cooled in this way, a focused electron beam with a large current can be irradiated, and a strong X-ray can be obtained.

【0046】〔実施例 6〕次に、第二の発明の他の一
実施例を説明する。図6は、本発明のさらに他の実施例
に係るX線源の説明図である。また、X線源には〔実施
例 1〕の反射形タ−ゲットが使用されている。図6に
おいて、図中、図5と同一符号は同等部分であるので詳
細な説明は省略する。新たな符号のみ説明する。17は
冷却用フアンである。
[Sixth Embodiment] Next, another embodiment of the second invention will be described. FIG. 6 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention. The reflection type target of [Example 1] is used for the X-ray source. 6, since the same reference numerals as those in FIG. 5 are the same parts in FIG. 6, detailed description thereof will be omitted. Only new symbols will be described. Reference numeral 17 is a cooling fan.

【0047】図6を参照して本実施例を説明する。タ−
ゲットTはタングステン膜のX線発生層5とベリリウム
箔の電子線吸収層6とから構成されている。ベリリウム
箔の電子線吸収層6が真空容器13に接合されている。
この場合支持体7が省略されている場合を説明する。集
束電子線1のX線発生層5への照射により発生したX線
4は、X線取り出し窓14より外部へ取り出される。同
時に発生した熱量は電子線吸収層6を介して真空容器1
3に伝えられる。
This embodiment will be described with reference to FIG. Target
The get T is composed of an X-ray generation layer 5 made of a tungsten film and an electron beam absorption layer 6 made of beryllium foil. The electron beam absorption layer 6 of beryllium foil is bonded to the vacuum container 13.
In this case, the case where the support 7 is omitted will be described. The X-rays 4 generated by the irradiation of the X-ray generation layer 5 with the focused electron beam 1 are extracted to the outside through the X-ray extraction window 14. The amount of heat generated at the same time is transferred to the vacuum container 1 via the electron beam absorption layer 6.
It is transmitted to 3.

【0048】伝熱した真空容器13はファン17により
冷却される。したがって、X線発生層5と真空容器13
との熱落差が大となり、発生した熱量は速く真空容器1
3に伝わる。その結果、タ−ゲットTは冷却されるため
大電流の集束電子線を照射することができ、強力なX線
を得ることができる。
The vacuum container 13 having transferred heat is cooled by the fan 17. Therefore, the X-ray generation layer 5 and the vacuum container 13
The heat drop between the
It is transmitted to 3. As a result, the target T is cooled so that it can be irradiated with a focused electron beam having a large current, and a strong X-ray can be obtained.

【0049】〔実施例 7〕次に、第二の発明のさらに
他の一実施例を説明する。図7は、本発明のさらに他の
実施例に係るX線源の説明図である。X線源には〔実施
例 1〕の反射形タ−ゲットを使用している。図中、図
5,6と同一符号は同等部分であるので詳細な説明は省
略する。新たな符号のみ説明する。18は電子冷却素子
である。
[Embodiment 7] Next, still another embodiment of the second invention will be described. FIG. 7 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention. As the X-ray source, the reflective target of [Example 1] is used. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 5 and 6 denote the same parts, and thus detailed description thereof will be omitted. Only new symbols will be described. Reference numeral 18 is an electronic cooling element.

【0050】タ−ゲットTは、タングステン膜のX線発
生層5とベリリウム箔の電子線吸収層6と無酸素銅の支
持体7とから構成されている。タ−ゲットTは電子冷却
素子18を介して真空容器13と接合されており、真空
容器13はファン17で冷却されるようになっている。
The target T is composed of an X-ray generating layer 5 of a tungsten film, an electron beam absorbing layer 6 of beryllium foil, and a support 7 of oxygen-free copper. The target T is joined to the vacuum container 13 via an electronic cooling element 18, and the vacuum container 13 is cooled by a fan 17.

【0051】本実施例の冷却動作を説明する。電子線1
の照射により発生したX線4はX線取り出し窓14より
外部へ取り出される。同時に、タ−ゲットTで発生した
熱は電子冷却素子18のヒ−トシンクの働きにより真空
容器13に運ばれる。真空容器13は、ファン17で冷
却されるのでタ−ゲットTと真空容器13との熱落差が
大となり、発生した熱量は速く真空容器13に伝わる。
その結果、タ−ゲットTは冷却されるため大電流の集束
電子線を照射することができ、強力なX線を得ることが
できる。
The cooling operation of this embodiment will be described. Electron beam 1
The X-rays 4 generated by the irradiation of are extracted to the outside through the X-ray extraction window 14. At the same time, the heat generated in the target T is carried to the vacuum container 13 by the function of the heat sink of the electronic cooling element 18. Since the vacuum container 13 is cooled by the fan 17, the heat drop between the target T and the vacuum container 13 becomes large, and the amount of heat generated is quickly transmitted to the vacuum container 13.
As a result, the target T is cooled so that it can be irradiated with a focused electron beam having a large current, and a strong X-ray can be obtained.

【0052】本実施例は、冷却水などの冷媒を使用しな
いため漏水事故の怖れがなく、電子冷却素子を使用する
ため冷却性能が優れている。上記、〔実施例 5〕から
〔実施例 7〕までに使用したタ−ゲットは、〔実施例
1〕のタ−ゲットであったが、〔実施例 2〕から
〔実施例 3〕に示したX線発生体で構成されるタ−ゲ
ットを使用しても、全く同様に成果を得ることができ
る。
In this embodiment, since no coolant such as cooling water is used, there is no fear of water leakage accidents, and the cooling performance is excellent because the electronic cooling element is used. The target used in the above [Example 5] to [Example 7] was the target of [Example 1], but it was shown in [Example 2] to [Example 3]. Even if a target composed of an X-ray generator is used, the same result can be obtained.

【0053】〔実施例 8〕第二の発明のさらに他の一
実施例を説明する。図8は、本発明のさらに他の実施例
に係るタ−ゲットの説明図である。図8は、図4に示す
〔実施例 4〕のような回転するタ−ゲットを組み込ん
だX線源の実施例である。図8において、図中、図1,
5と同一符号は同等部分であるので詳細な説明は省略す
る。新たな符号のみ説明する。21は回転軸、24はロ
−タ−、25はステ−タ−、26はベアリングである。
[Embodiment 8] Still another embodiment of the second invention will be described. FIG. 8 is an explanatory view of a target according to still another embodiment of the present invention. FIG. 8 shows an embodiment of an X-ray source incorporating a rotating target like the embodiment 4 shown in FIG. In FIG. 8, in FIG.
Since the same reference numerals as those in 5 are the same parts, detailed description will be omitted. Only new symbols will be described. Reference numeral 21 is a rotary shaft, 24 is a rotor, 25 is a stator, and 26 is a bearing.

【0054】タ−ゲットTは、円錐形のカ−ボンの支持
体7の表面に1μm程度の厚さのタングステン膜のX線
発生層5をスパッタリングあるいはCVDで蒸着したも
のである。カ−ボン製の支持体7は、集束電子線1のX
線発生層5を透過した電子の吸収層と集束電子線1の照
射によりX線発生層5に発生した熱の吸熱部との両作用
を兼ね備えている。
The target T is formed by depositing an X-ray generating layer 5 of a tungsten film having a thickness of about 1 μm on the surface of a support 7 of a conical carbon by sputtering or CVD. The support 7 made of carbon is the X-ray of the focused electron beam 1.
It has both functions of an absorption layer for electrons that have passed through the ray generating layer 5 and an endothermic portion for heat generated in the X-ray generating layer 5 by irradiation with the focused electron beam 1.

【0055】タ−ゲットTは回転軸21により回転させ
られるようになっている。前記回転軸21はベアリング
26で保持されており、ロ−タ−24とステ−タ−25
により高速回転するようになっている。真空容器13
は、前記のタ−ゲットT,回転軸21,ロ−タ−24,
ベアリング26等を内包すると共に、その外面にはX線
取り出し窓14が設けられている。このX線取り出し窓
14にはX線を良く通す軽元素、例えば、ベリリウム板
が好適である。
The target T is designed to be rotated by the rotary shaft 21. The rotating shaft 21 is held by a bearing 26, and has a rotor 24 and a stator 25.
It is designed to rotate at high speed. Vacuum container 13
Is the target T, the rotary shaft 21, the rotor-24,
The X-ray extraction window 14 is provided on the outer surface of the bearing 26 and the like. A light element that transmits X-rays well, for example, a beryllium plate is suitable for the X-ray extraction window 14.

【0056】集束電子線1は、円錐形の斜面に照射され
タ−ゲットTの回転により照射面の位置が刻々と変わ
る。このため、局部的にタ−ゲットTの照射面が高温と
なることがなく大電流の集束電子線を照射できる。集束
電子線1によるタ−ゲットTの照射面に発生したX線4
は、X線取り出し窓14から取り出される。
The focused electron beam 1 is irradiated onto the conical slope surface, and the position of the irradiation surface changes every moment as the target T rotates. Therefore, the irradiation surface of the target T does not locally become high in temperature and a focused electron beam of a large current can be irradiated. X-ray 4 generated on the irradiation surface of the target T by the focused electron beam 1
Are extracted from the X-ray extraction window 14.

【0057】〔実施例 9〕第二の発明のさらに他の一
実施例を説明する。図9は、本発明のさらに他の実施例
に係るX線源の説明図である。図9は、図7に示す〔実
施例 7〕の回転するタ−ゲットを組み込んだX線源の
実施例である。図中、図8と同一符号は同等部分である
ので説明を省略する。本実施例は、〔実施例 8〕と原
理的には全く同一である。図9に示すように、タ−ゲッ
トTは、円筒形のカ−ボンの支持体7の端面にタングス
テン膜を付け、X線発生層5を形成したものである。さ
らに、タ−ゲットTは回転軸21により回転させられる
ようになっている。
[Embodiment 9] Still another embodiment of the second invention will be described. FIG. 9 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention. FIG. 9 shows an embodiment of an X-ray source incorporating the rotating target of [Embodiment 7] shown in FIG. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. This embodiment is completely the same in principle as [Embodiment 8]. As shown in FIG. 9, in the target T, the X-ray generating layer 5 is formed by attaching a tungsten film to the end surface of the support 7 of the cylindrical carbon. Further, the target T can be rotated by the rotating shaft 21.

【0058】このタ−ゲットTの回転軸21は、ベアリ
ング26で保持されておりロ−タ−24とステ−タ−2
5により高速回転する。真空容器13にはX線取り出し
窓14があり、ここから集束電子線1の照射によって発
生したX線4が取り出される。タ−ゲットTの回転軸2
1は集束電子線1の光軸に対して斜めに傾けてあり、X
線4を取り出しやすくしものである。
The rotating shaft 21 of the target T is held by a bearing 26, and is connected to the rotor 24 and the stator-2.
5 rotates at high speed. The vacuum container 13 has an X-ray extraction window 14 through which X-rays 4 generated by irradiation with the focused electron beam 1 are extracted. Rotation axis 2 of target T
1 is obliquely inclined with respect to the optical axis of the focused electron beam 1, and X
This is to make it easy to take out the wire 4.

【0059】〔実施例 10〕第二の発明のさらに他の
一実施例を説明する。図10は、本発明のさらに他の実
施例に係るタ−ゲットのX線源の説明図、図11は、図
10のタ−ゲットのX線源の断面図である。図10,1
1は、図7に示す〔実施例 7〕の回転するタ−ゲット
を組み込んだX線源の実施例である。図中、図8と同一
符号は同等部分であるので説明を省略する。
[Embodiment 10] Still another embodiment of the second invention will be described. 10 is an explanatory view of an X-ray source of a target according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a sectional view of the X-ray source of the target of FIG. 10 and 1
1 is an embodiment of an X-ray source incorporating the rotating target of [Embodiment 7] shown in FIG. In the figure, the same reference numerals as those in FIG.

【0060】図10に示す如く、タ−ゲットTは、円筒
形状のカ−ボンの支持体7の円筒面にタングステン膜を
付着させ、X線発生層5を形成したものである。タ−ゲ
ットTは回転軸21により回転させられるようになって
いる。前記タ−ゲットTの回転軸21は、ベアリング2
6で保持されており、ロ−タ−24とステ−タ−25に
より高速回転する。
As shown in FIG. 10, the target T is formed by depositing a tungsten film on the cylindrical surface of a cylindrical carbon support 7 to form an X-ray generating layer 5. The target T is designed to be rotated by the rotary shaft 21. The rotating shaft 21 of the target T is a bearing 2
It is held at 6 and is rotated at a high speed by the rotor 24 and the stator 25.

【0061】本実施例では、集束電子線1の光軸と前記
回転軸21とは直交する方向にあり、したがって、集束
電子線1はタ−ゲットTの円筒面にあるX線発生層5を
照射することになる。図11に示す如く、真空容器13
にはX線取り出し窓14が設けられており、集束電子線
1の照射によって発生したX線4が取り出される。
In the present embodiment, the optical axis of the focused electron beam 1 and the rotation axis 21 are orthogonal to each other, and therefore the focused electron beam 1 passes through the X-ray generation layer 5 on the cylindrical surface of the target T. It will be irradiated. As shown in FIG. 11, the vacuum container 13
Is provided with an X-ray extraction window 14, and the X-rays 4 generated by the irradiation of the focused electron beam 1 are extracted.

【0062】集束電子線1の照射によりタングステン膜
のX線発生層5が劣化した場合、円筒形のタ−ゲットT
を軸方向(図10においては、上下の方向)に移動さ
せ、新しいX線発生層5の面に集束電子線1が照射する
ようにする。これによりタ−ゲットTの交換回数を減ら
すことができる。
When the X-ray generation layer 5 of the tungsten film is deteriorated by the irradiation of the focused electron beam 1, the cylindrical target T is used.
Is moved in the axial direction (vertical direction in FIG. 10) so that the focused electron beam 1 is irradiated on the surface of the new X-ray generation layer 5. As a result, the number of times the target T is replaced can be reduced.

【0063】〔実施例 11〕第二の発明のさらに他の
一実施例を説明する。図12は、本発明のさらに他の実
施例に係るX線源の説明図である。微小焦点X線源で
は、微細な集束電子ビ−ムを使用するため、電子ビ−ム
の焦点を確実にタ−ゲットTのX線発生層5に合わす必
要がある。電子ビ−ムの焦点は試料の透過X線像を見な
がら合わすことができるが、X線像を実時間で観察でき
ないときは大変手間の必要な作業となる。そこで、他の
電子ビ−ムの焦点検出方法が必要となる。本実施例にお
いては、走査電子像を使用して焦点を検出し、微細な集
束電子ビ−ムをタ−ゲットTのX線発生層5に合わせる
ことができるX線源を説明する。
[Embodiment 11] Still another embodiment of the second invention will be described. FIG. 12 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention. Since the fine focussing electron beam is used in the micro focus X-ray source, it is necessary to surely focus the electron beam on the X-ray generation layer 5 of the target T. The focus of the electron beam can be adjusted while observing the transmitted X-ray image of the sample, but when the X-ray image cannot be observed in real time, this is a very troublesome work. Therefore, another focus detection method for the electronic beam is required. In this embodiment, an X-ray source capable of detecting a focus using a scanning electron image and adjusting a fine focused electron beam to the X-ray generation layer 5 of the target T will be described.

【0064】図12において、図中、図1と同一符号は
同等部分であるので説明は省略する。新たな符号のみ説
明する。30は金属メッシュ、31はフィラメント、3
2は電子レンズ、33は偏向コイル、34は電子線検出
器である。フィラメント31で発生した集束電子線1は
電子レンズ32で集束されてタ−ゲットTに照射され
る。タ−ゲットTはX線発生層5と電子線吸収層6と支
持体7とから構成されている。
In FIG. 12, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same parts, and the description thereof will be omitted. Only new symbols will be described. 30 is a metal mesh, 31 is a filament, 3
Reference numeral 2 is an electron lens, 33 is a deflection coil, and 34 is an electron beam detector. The focused electron beam 1 generated by the filament 31 is focused by the electron lens 32 and irradiated on the target T. The target T is composed of an X-ray generation layer 5, an electron beam absorption layer 6 and a support 7.

【0065】タ−ゲットTに集束電子線1が照射される
と、X線の発生と同時に反射電子や2次電子も発生す
る。集束電子線1を偏向コイル33で走査し、反射電子
あるいは2次電子を電子線検出器34で検出することに
より、走査電子像が得られる。この走査電子像を見なが
ら電子レンズ32の励磁電流を変えて焦点を合わすこと
ができる。
When the focused electron beam 1 is irradiated on the target T, reflected electrons and secondary electrons are also generated at the same time when X-rays are generated. A scanning electron image is obtained by scanning the focused electron beam 1 with the deflection coil 33 and detecting backscattered electrons or secondary electrons with the electron beam detector 34. It is possible to focus by changing the exciting current of the electron lens 32 while observing the scanning electron image.

【0066】しかし、X線発生層5は平滑な一様な面で
あるため、集束電子線1の焦点を合わせることは難し
い。そこで、X線発生層5の面上に金属メッシュ30を
載置する。金属メッシュは一様でなく質量に差があるの
で、そのメッシュ像が見えるので容易にピントを把握で
きる。
However, since the X-ray generation layer 5 has a smooth and uniform surface, it is difficult to focus the focused electron beam 1. Therefore, the metal mesh 30 is placed on the surface of the X-ray generation layer 5. Since the metal mesh is not uniform and has a difference in mass, the mesh image can be seen so that the focus can be easily grasped.

【0067】また、金属メッシュ30を置く替わりに、
X線発生層5にピント合せ用のマ−クを刻設しておいて
もよい。走査電子像で集束電子線1の焦点を合わせた後
は、集束電子線1の走査を止め、一点に集束電子線1を
照射してX線を発生させると微小焦点X線源を得る。
Instead of placing the metal mesh 30,
Marks for focusing may be engraved on the X-ray generation layer 5. After the focused electron beam 1 is focused on the scanning electron image, the scanning of the focused electron beam 1 is stopped, and the focused electron beam 1 is irradiated to one point to generate an X-ray to obtain a fine focus X-ray source.

【0068】〔実施例 12〕第二の発明のさらに他の
一実施例を説明する。図13は、本発明のさらに他の実
施例に係るX線源の説明図である。X線の応用分野の一
つであるX線CTやラミノグラフィにおいては、X線発
生点が回転するX線発生源が必要となる場合がある。本
実施例は、集束電子線の回転偏向によって微小焦点のX
線発生点を回転させる反射形タ−ゲットの実施例を説明
する。
[Embodiment 12] Still another embodiment of the second invention will be described. FIG. 13 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention. In X-ray CT and laminography, which are one of the application fields of X-rays, an X-ray generation source whose X-ray generation point rotates may be necessary. In this embodiment, the X-axis of a fine focus is generated by the rotational deflection of the focused electron beam.
An embodiment of a reflective target for rotating the line generation point will be described.

【0069】図13において、図1,10,12と同一
符号は同等部分であるので説明は省略する。新たな符号
のみ説明する。40は真空ポンプである。タ−ゲットT
の構造は、円環の支持体7に電子線吸収層6が接合さ
れ、その上面にX線発生体8が設けられている構造であ
る。
In FIG. 13, the same symbols as those in FIGS. 1, 10 and 12 are the same parts, and the explanation thereof will be omitted. Only new symbols will be described. 40 is a vacuum pump. Target T
The structure (1) is a structure in which the electron beam absorbing layer 6 is bonded to the annular support 7 and the X-ray generator 8 is provided on the upper surface thereof.

【0070】X線発生体8の形状は円環形をなし、その
断面の大きさは所望するX線焦点サイズと等しい大きさ
とする。その材質はX線発生効率が高く、かつ、発生熱
量に対する配慮から融点の高い金属が適切であり、例え
ば、タングステン等が好適である。
The X-ray generator 8 has an annular shape, and the size of its cross section is equal to the desired X-ray focal spot size. The material is preferably a metal having a high X-ray generation efficiency and a high melting point in consideration of the amount of heat generated, and for example, tungsten or the like is suitable.

【0071】電子線吸収層6はX線の発生が少ない軽元
素であり、例えば、ベリリウムが用いられる。その厚さ
は電子を吸収するのに十分な厚さが必要であり、例え
ば、電子の加速電圧が200kVのときは0.3mm必
要である。支持体7は電子の照射により発生した熱を効
率良く逃がすために、熱伝導の良い金属、例えば、銅系
の金属が良い。さらに、冷却水,電子冷却素子を使用し
て積極的に冷却することも考えられる。
The electron beam absorbing layer 6 is a light element that hardly generates X-rays, and for example, beryllium is used. The thickness needs to be sufficient to absorb electrons, and for example, 0.3 mm is required when the acceleration voltage of electrons is 200 kV. The support 7 is preferably made of a metal having good thermal conductivity, for example, a copper-based metal, in order to efficiently release the heat generated by the irradiation of electrons. Further, it is conceivable that the cooling water or the electronic cooling element is used for positive cooling.

【0072】次に、本実施例の動作を説明する。フィラ
メント31で発生した集束電子線1は、電子レンズ32
で集束され偏向コイル33でX線発生体8に照射され、
X線4を発生させる。偏向コイル33により集束電子線
1が、円環のX線発生体8を照射しながら、その照射点
をX線発生体8に沿って移動する。したがって、X線を
発生する点は回転移動する。
Next, the operation of this embodiment will be described. The focused electron beam 1 generated by the filament 31 is transferred to the electron lens 32.
Is focused on the X-ray generator 8 by the deflection coil 33,
X-ray 4 is generated. The focused electron beam 1 is moved by the deflection coil 33 along the X-ray generator 8 while irradiating the circular X-ray generator 8 with the focused electron beam 1. Therefore, the point that generates the X-ray rotates and moves.

【0073】X線発生体8の断面が小さいので、集束電
子線1のビ−ム径の如何にかかわらず微小焦点が得られ
る。また、前記機器部材は真空容器13内に設けられて
おり、その内部は真空ポンプ40で真空状態に保持され
ている。発生したX線4はX線取り出し窓14から外部
に取り出される。
Since the cross section of the X-ray generator 8 is small, a fine focus can be obtained regardless of the beam diameter of the focused electron beam 1. Further, the equipment member is provided in the vacuum container 13, and the inside thereof is held in a vacuum state by a vacuum pump 40. The generated X-rays 4 are extracted to the outside through the X-ray extraction window 14.

【0074】〔実施例 13〕第二の発明のさらに他の
一実施例を説明する。図14は、本発明のさらに他の実
施例に係るX線源の説明図である。図14(a)は、本
発明のさらに他の実施例に係るX線源の断面図、図14
(b)は、図14(a)のX線源に用いられているタ−
ゲットの説明図である。本実施例は、集束電子線1の回
転偏向によって、微小焦点のX線発生点を回転させる透
過形タ−ゲットを用いたX線源の実施例を説明する。図
中、図13と同一符号は同等部分であるのでその説明は
省略する。新たな符号のみ説明する。42は気封形X線
透過窓である。
[Embodiment 13] Still another embodiment of the second invention will be described. FIG. 14 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention. 14A is a sectional view of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention, FIG.
FIG. 14B shows a target used in the X-ray source of FIG.
It is explanatory drawing of a get. This embodiment will explain an embodiment of an X-ray source using a transmission type target that rotates an X-ray generation point of a micro focus by rotating and deflecting a focused electron beam 1. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. Only new symbols will be described. 42 is an airtight X-ray transparent window.

【0075】タ−ゲットTは、真空を封じ切るX線透過
窓42に円環形状のX線発生体8を取り付けたものであ
る。X線透過窓42は電子の照射によるX線の発生が少
なく、かつ、X線の吸収が少ない軽元素が好適である。
例えば、ベリリウムの薄板等が好適である。
The target T has a ring-shaped X-ray generator 8 attached to an X-ray transmission window 42 for sealing off the vacuum. The X-ray transmission window 42 is preferably made of a light element that causes less X-ray generation by electron irradiation and less X-ray absorption.
For example, a beryllium thin plate or the like is suitable.

【0076】X線発生体の断面の大きさは所望するX線
焦点サイズと等しい大きさとし、その材質はX線発生効
率が高く、かつ、融点の高い金属が適切である。例え
ば、タングステン等が好適である。本実施例において
は、X線発生体8を2周配設した例を示しており、回転
半径の異なるX線発生点を選択できる。
The cross-sectional size of the X-ray generator is set to be equal to the desired X-ray focal spot size, and the material is preferably a metal having a high X-ray generation efficiency and a high melting point. For example, tungsten or the like is suitable. In the present embodiment, an example is shown in which the X-ray generator 8 is arranged twice, and it is possible to select X-ray generation points having different radii of rotation.

【0077】次に、本実施例の動作を説明する。フィラ
メント31で発生した集束電子線1は、電子レンズ32
で集束され偏向コイル33でX線発生体8に照射され、
X線4を発生させる。偏向コイル33により集束電子線
1が、円環のX線発生体8に沿って回転させられ、X線
4の発生点を回転させる。
Next, the operation of this embodiment will be described. The focused electron beam 1 generated by the filament 31 is transferred to the electron lens 32.
Is focused on the X-ray generator 8 by the deflection coil 33,
X-ray 4 is generated. The focused electron beam 1 is rotated by the deflection coil 33 along the circular X-ray generator 8 and the generation point of the X-ray 4 is rotated.

【0078】X線発生体8の断面が小さいので、集束電
子線1のビ−ム径にかかわらず微小焦点が得られる。ま
た、前記機器部材は真空容器13内に設けられ、真空ポ
ンプ40により真空状態に保持されている。
Since the cross section of the X-ray generator 8 is small, a fine focus can be obtained regardless of the beam diameter of the focused electron beam 1. The device member is provided inside the vacuum container 13 and is held in a vacuum state by a vacuum pump 40.

【0079】従来の同種のX線源は、集束電子線の回転
偏向のため収差が大きく集束電子線を細くすることが困
難であったため、微小な焦点サイズを得ることができな
かった。しかし、本実施例では、X線発生タ−ゲットの
構造を工夫することにより微小な焦点サイズが得ること
ができる。
In the conventional X-ray source of the same kind, it was difficult to make the focused electron beam thin because of large aberration due to the rotational deflection of the focused electron beam, and it was not possible to obtain a fine focus size. However, in this embodiment, a fine focus size can be obtained by devising the structure of the X-ray generation target.

【0080】〔実施例 14〕第三の発明の一実施例を
説明する。図15は、本発明のさらに他の実施例に係る
X線源の説明図である。X線には、連続X線と特性X線
がある。一搬には、連続X線は、集束電子線がX線発生
用タ−ゲットに衝突し前記タ−ゲット物質中の原子核の
電場によってク−ロン力をうけ、電子の進路が曲げられ
減速されるとき放射される。したがって、連続X線の波
長は電子の加速電圧に関係する。特性X線は、原子核と
それをとりまく各殻の電子に、高速の電子が衝突すると
核に近い内殻の電子が叩きだされ、そのあとに外殻の電
子が遷移するとき放射される。したがって、特性X線の
波長は前記タ−ゲットの材質に関係する。
[Embodiment 14] An embodiment of the third invention will be described. FIG. 15 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention. X-rays include continuous X-rays and characteristic X-rays. In the meantime, the continuous X-ray is decelerated because the focused electron beam collides with the X-ray generation target and is subjected to the Coulomb force by the electric field of the nuclei in the target material, and the path of the electron is bent. Is emitted when Therefore, the wavelength of continuous X-rays is related to the acceleration voltage of electrons. Characteristic X-rays are emitted when a high-speed electron collides with an electron in each shell surrounding the nucleus and an electron in the inner shell close to the nucleus is knocked out, and then an electron in the outer shell transits. Therefore, the wavelength of the characteristic X-ray is related to the material of the target.

【0081】このため、特性X線を利用する場合は前記
タ−ゲットを交換することが多い。このタ−ゲットの交
換が容易にできると便利である。図15を参照して、X
線を発生させる薄膜の材質を場所によって変るように
し、集束電子線を偏向させ照射されるX線発生層の場所
を変えることによりX線発生層の材質を瞬時に切換えら
れるX線源を説明する。
Therefore, when the characteristic X-ray is used, the target is often replaced. It would be convenient if this target could be replaced easily. Referring to FIG. 15, X
An X-ray source in which the material of the X-ray generation layer can be instantaneously switched by changing the material of the X-ray generation layer depending on the location and changing the location of the irradiated X-ray generation layer by deflecting the focused electron beam will be described. .

【0082】図15において、Tはタ−ゲット、1は集
束電子線、4Aは特性X線、6は電子線吸収層、7は支
持体、15は冷却用パイプ、16は冷却用冷媒、33は
偏向コイル、35は第1の金属膜、36は第2の金属膜
である。タ−ゲットTは、無酸素銅板の支持体7にベリ
リウム箔の電子線吸収層6を接合し、さらに、その上に
第1の金属膜35および第2の金属膜36を接合したも
のである。
In FIG. 15, T is a target, 1 is a focused electron beam, 4A is a characteristic X-ray, 6 is an electron beam absorbing layer, 7 is a support, 15 is a cooling pipe, 16 is a cooling refrigerant, and 33 is a cooling medium. Is a deflection coil, 35 is a first metal film, and 36 is a second metal film. The target T is obtained by bonding the electron beam absorption layer 6 of beryllium foil to the support 7 made of an oxygen-free copper plate, and further bonding the first metal film 35 and the second metal film 36 thereon. .

【0083】第1の金属膜35および第2の金属膜36
はX線発生層であり、それぞれ、必要とする波長の特性
X線を持つ材料が選択されている。その膜厚は所望のX
線焦点サイズによるが1μm前後であり、スパッタリン
グやCVDにより形成することができる。タ−ゲットT
の冷却は冷却パイプ15に冷媒16を流すことによって
行なわれる。
First metal film 35 and second metal film 36
Is an X-ray generating layer, and a material having a characteristic X-ray of a required wavelength is selected for each. The film thickness is the desired X
Although it depends on the line focus size, it is around 1 μm and can be formed by sputtering or CVD. Target T
Is cooled by flowing a refrigerant 16 through the cooling pipe 15.

【0084】本実施例の動作を説明する。集束電子線1
をタ−ゲットTの照射し、X線発生層より特性X線4A
を発生させる。この照射に際し、偏向コイル33で集束
電子線1を偏向し、照射する位置を第1の金属膜35あ
るいは第2の金属膜36にすることにより、タ−ゲット
のX線発生層の材質を変えることができる。集束電子線
1は瞬時に偏向可能であるので、異なる波長の特性X線
に瞬時に切り換えられる。
The operation of this embodiment will be described. Focused electron beam 1
Is irradiated with the target T, and the characteristic X-ray 4A is emitted from the X-ray generation layer.
Generate. During this irradiation, the focused electron beam 1 is deflected by the deflection coil 33, and the irradiation position is set to the first metal film 35 or the second metal film 36, thereby changing the material of the X-ray generation layer of the target. be able to. Since the focused electron beam 1 can be instantly deflected, it can be instantly switched to characteristic X-rays having different wavelengths.

【0085】本実施例においては金属膜の個数は2個で
あるが、多数の種類のタ−ゲットを必要とするならばそ
の個数だけ異なった金属膜を設ければ良い。また、タ−
ゲットの冷却方法も冷媒16を流すのではなく、〔実施
例 6〕,〔実施例 7〕に示すファンによる冷却方法
を用いても差し支えない。
In this embodiment, the number of metal films is two, but if many types of targets are required, different numbers of metal films may be provided. Also,
As for the cooling method of the get, the cooling method by the fan shown in [Embodiment 6] and [Embodiment 7] may be used instead of flowing the refrigerant 16.

【0086】〔実施例 15〕第三の発明の他の一実施
例を説明する。図16は、本発明のさらに他の実施例に
係るX線源の説明図である。本実施例は、〔実施例 1
4〕とほぼ同一構成である。図中、図15と同一符号は
同等部分であるのでその説明を省略する。18は電子冷
却素子である。
[Embodiment 15] Another embodiment of the third invention will be described. FIG. 16 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention. This example is based on [Example 1
4] is almost the same structure. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. Reference numeral 18 is an electronic cooling element.

【0087】本実施例は、〔実施例 14〕の第1の金
属膜35および第2の金属膜36のX線発生層の代わり
に、多数のX線発生体8を設けたものである。本実施例
は、〔実施例 14〕と同様に、特性X線を発生するX
線発生層の材質を場所によって変えておき、集束電子線
を偏向させ照射する場所を変えることにより、特性X線
を発生するX線発生層の材質を瞬時に切換えるようにな
っている。
In this embodiment, a large number of X-ray generators 8 are provided instead of the X-ray generating layers of the first metal film 35 and the second metal film 36 of [Embodiment 14]. This embodiment is similar to [Embodiment 14] in that X that generates characteristic X-rays is used.
The material of the X-ray generation layer is changed depending on the location, and the location of deflection and irradiation of the focused electron beam is changed to instantaneously switch the material of the X-ray generation layer that generates the characteristic X-ray.

【0088】タ−ゲットTは、無酸素銅板の支持体7に
ベリリウム箔の電子線吸収層6を接合し、その上に多数
のX線発生体8を接合したものである。すなわち、〔実
施例 2〕の図2に示したタ−ゲット構造においてX線
発生体8を複数にしたものである。X線発生体8には、
必要とする波長の特性X線を放射する材料を選択するこ
とができる。
The target T is obtained by bonding the electron beam absorbing layer 6 of beryllium foil to the support 7 of an oxygen-free copper plate, and then bonding a number of X-ray generators 8 thereon. That is, the target structure shown in FIG. 2 of [Example 2] has a plurality of X-ray generators 8. In the X-ray generator 8,
It is possible to select a material that emits characteristic X-rays of the required wavelength.

【0089】X線発生体8が微小な塊になると、集束電
子線1のビ−ム径を必ずしも細く集束しなくても微小な
X線焦点サイズが得られる。1μmの焦点サイズを得る
ためには個々のX線発生体8の大きさを1μmにするこ
とが好ましい。また、集束電子線1のビ−ム径が十分に
細くすると、X線発生体8の厚さを薄くすればX線発生
体8の面積は大きくても差し支えない。
When the X-ray generator 8 becomes a minute lump, a minute X-ray focal spot size can be obtained without necessarily focusing the beam diameter of the focused electron beam 1 to be small. In order to obtain a focal spot size of 1 μm, the size of each X-ray generator 8 is preferably 1 μm. Further, if the beam diameter of the focused electron beam 1 is made sufficiently thin, the area of the X-ray generator 8 may be large if the thickness of the X-ray generator 8 is reduced.

【0090】集束電子線1は、偏向コイル33により所
望する波長の特性X線を出す材質のX線発生体8に照射
され、所望する波長の特性X線4Aが得られる。集束電
子線1により照射されるX線発生体8が変えられること
により、異なる波長の特性X線4Aを瞬時に発生させる
ことができる。また、本実施例では、タ−ゲットTの冷
却は、電子冷却素子18で冷却されるようになっている
が他の方法でも差し支えない。
The focused electron beam 1 is irradiated by the deflection coil 33 onto the X-ray generator 8 made of a material that emits a characteristic X-ray having a desired wavelength, and a characteristic X-ray 4A having a desired wavelength is obtained. By changing the X-ray generator 8 irradiated by the focused electron beam 1, it is possible to instantly generate the characteristic X-rays 4A having different wavelengths. Further, in this embodiment, the target T is cooled by the electronic cooling element 18, but other methods may be used.

【0091】〔実施例 16〕第三の発明のさらに他の
一実施例を説明する。図17,18は、本発明のさらに
他の実施例に係るX線源のタ−ゲット説明図である。図
中、図15,16と同一符号は同等部分であるのでその
説明を省略する。新たな符号のみ説明する。38は薄
膜、39は保護層である。
[Embodiment 16] Still another embodiment of the third invention will be described. 17 and 18 are explanatory diagrams of targets of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. Only new symbols will be described. 38 is a thin film and 39 is a protective layer.

【0092】本実施例は、特性X線を発生する薄膜の材
質を場所によって変えておき、集束電子線を偏向させ、
照射する位置を変えることでタ−ゲットの材質を瞬時に
切換えるものである。上記の各実施例では反射形タ−ゲ
ットについて説明したが、本実施例は透過形タ−ゲット
である。
In this embodiment, the material of the thin film for generating the characteristic X-rays is changed depending on the location, and the focused electron beam is deflected.
The material of the target is instantly changed by changing the irradiation position. Although a reflective target has been described in each of the above embodiments, this embodiment is a transmissive target.

【0093】図17において、タ−ゲットTは薄膜38
にX線発生体8が載置されている構造である。薄膜38
は電子の照射によるX線の発生が少なくX線の吸収が少
ない軽元素が望ましく、例えば、ベリリウム箔が最適で
ある。X線発生体8は必要とする波長の特性X線を放射
する材料を選択すれば良い。X線発生体8は微小な塊で
あるので、集束電子線1のビ−ム径を必ずしも細く集束
しなくても微小なX線焦点サイズが得られる。また、集
束電子線1のビ−ム径を十分に細くしX線発生体8の厚
さを薄くすれば、X線発生体8の面積は大きくても差し
支えない。
In FIG. 17, the target T is a thin film 38.
The X-ray generator 8 is mounted on the structure. Thin film 38
Is preferably a light element that causes less X-ray generation due to electron irradiation and less X-ray absorption. For example, beryllium foil is most suitable. The X-ray generator 8 may be made of a material that emits a characteristic X-ray having a required wavelength. Since the X-ray generator 8 is a minute mass, a minute X-ray focal spot size can be obtained without necessarily converging the beam diameter of the focused electron beam 1 to be small. Further, if the beam diameter of the focused electron beam 1 is made sufficiently thin and the thickness of the X-ray generator 8 is made thin, the area of the X-ray generator 8 may be large.

【0094】集束電子線1は偏向コイル33により所望
する波長の特性X線を放射する材質のX線発生体8を照
射され、所望する波長の特性X線4Aを得る。集束電子
線1が照射されるX線発生体8を変えることで、発生す
る特性X線の波長を瞬時に変えることができる。
The focused electron beam 1 is irradiated by the deflection coil 33 onto the X-ray generator 8 made of a material that emits a characteristic X-ray having a desired wavelength, and a characteristic X-ray 4A having a desired wavelength is obtained. By changing the X-ray generator 8 with which the focused electron beam 1 is irradiated, the wavelength of the characteristic X-ray generated can be instantly changed.

【0095】図18は、X線発生体8の転倒などを防止
するため保護層39の間にX線発生体8を埋め込む構造
としたものを示す。保護層としてはX線の発生が少ない
軽元素が良い。X線発生体8は保護層39により機械的
に保護される。
FIG. 18 shows a structure in which the X-ray generator 8 is embedded between the protective layers 39 in order to prevent the X-ray generator 8 from falling over. As the protective layer, a light element that generates less X-rays is preferable. The X-ray generator 8 is mechanically protected by the protective layer 39.

【0096】〔実施例 17〕第四の発明の一実施例を
説明する。本発明のさらに他の実施例を説明する。図1
9は本発明のさらに他の実施例に係る高解像度X線撮像
装置の説明図である。本実施例は各実施例において説明
したタ−ゲットを使用した高解像度X線撮像装置に係る
ものである。
[Embodiment 17] An embodiment of the fourth invention will be described. Still another embodiment of the present invention will be described. Figure 1
9 is an explanatory view of a high resolution X-ray imaging apparatus according to still another embodiment of the present invention. This embodiment relates to a high resolution X-ray imaging apparatus using the target described in each embodiment.

【0097】図19において、図5,12と同一符号は
同等部分であるので説明は省略する。新たな符号のみを
説明する。40は真空ポンプ、43は加速管、44はコ
ンデンサレンズ、45は対物レンズ、46は同期回路、
47a,47bはディスプレイ、48は試料、49はス
テ−ジ、50はX線イメ−ジインテンシファイア、51
はコリメ−タレンズ、52はミラ−、53はイメ−ジン
グレンズ、54はCCDカメラ、55はコントロ−ラで
ある。
In FIG. 19, the same reference numerals as those in FIGS. Only new codes will be described. 40 is a vacuum pump, 43 is an accelerating tube, 44 is a condenser lens, 45 is an objective lens, 46 is a synchronizing circuit,
47a and 47b are displays, 48 is a sample, 49 is a stage, 50 is an X-ray image intensifier, 51
Is a collimator lens, 52 is a mirror, 53 is an imaging lens, 54 is a CCD camera, and 55 is a controller.

【0098】X線撮像装置は微小焦点X線源と制御部と
検出系とから大別される。微小焦点X線源は、真空ポン
プ40で真空に保持されている真空容器13の中に、フ
ィラメント31,加速管43,コンデンサレンズ44,
偏向コイル33,対物レンズ45,タ−ゲットTが配設
され構成している。タ−ゲットTは図4の〔実施例
4〕で示したタ−ゲットTと同一の構成である。
The X-ray image pickup device is roughly divided into a fine focus X-ray source, a control unit and a detection system. The micro focus X-ray source includes a filament 31, an accelerating tube 43, a condenser lens 44, a condenser lens 44, and a vacuum chamber 13 which are held in vacuum by a vacuum pump 40.
The deflection coil 33, the objective lens 45, and the target T are arranged. The target T is the embodiment of FIG.
4] has the same configuration as the target T shown in [4].

【0099】すなわち、無酸素銅板の支持体7にベリリ
ウム箔の電子線吸収層6が接合され、さらにタングステ
ン膜のX線発生層5が蒸着されたものである。裏面には
冷却用パイプ15が設けられ、そこを流れる冷媒16に
より冷却されている。この実施例においては、図4の
〔実施例 4〕で示したタ−ゲットを用いたが、前述し
た他の実施例のタ−ゲットを使用しても差し支えない。
That is, the electron beam absorption layer 6 of beryllium foil is bonded to the support 7 of an oxygen-free copper plate, and the X-ray generation layer 5 of a tungsten film is vapor-deposited. A cooling pipe 15 is provided on the back surface and is cooled by a refrigerant 16 flowing therethrough. In this embodiment, the target shown in [Embodiment 4] of FIG. 4 was used, but the targets of the other embodiments described above may be used.

【0100】制御部は、電子線の偏向信号と検出信号と
を同期させる同期回路46と電子線の走査像を表示する
ディスプレイ47aからなる。検出系は、X線を可視像
に変換するX線イメ−ジインテンシファイア50と、こ
のX線イメ−ジインテンシファイア50の出力をCCD
カメラ54に結像させるレンズ組51,52と、前記C
CDカメラ54の出力を表示するディスプレイ47bか
らなる。
The control section comprises a synchronizing circuit 46 for synchronizing the deflection signal and the detection signal of the electron beam and a display 47a for displaying a scanning image of the electron beam. The detection system is an X-ray image intensifier 50 that converts X-rays into a visible image, and outputs the X-ray image intensifier 50 from a CCD.
Lens sets 51 and 52 for forming an image on the camera 54, and the C
It comprises a display 47b for displaying the output of the CD camera 54.

【0101】次に、本実施例の機能を説明する。集束電
子線1は、フィラメント31から発生し、加速管43に
より加速され、コンデンサレンズ44と対物レンズ45
の2枚のレンズの働きにて集束される。フィラメント3
1は、大電流の集束電子線を得るため高輝度な六ほう化
ランタンフィラメントが好適である。レンズを2枚とし
たのは、集束電子線1を細く絞るためであり、所望のビ
−ム径を得られるのであれば1枚あるいは3枚もしくは
それ以上でも必要に応じて配設して差し支えない。
Next, the function of this embodiment will be described. The focused electron beam 1 is generated from the filament 31 and is accelerated by the accelerating tube 43, and the condenser lens 44 and the objective lens 45.
It is focused by the function of the two lenses. Filament 3
No. 1 is preferably a high-luminance lanthanum hexaboride filament for obtaining a focused electron beam with a large current. The reason why the number of the lenses is two is to narrow the focused electron beam 1 finely, and one or three or more lenses may be arranged as needed so long as a desired beam diameter can be obtained. Absent.

【0102】解像度1μmのX線透視像を得るためには
電子ビ−ム径を1μm以下とする必要がある。また、X
線発生層5の膜厚も1μm以下にする必要がある。集束
電子線1は、偏向コイル33によりX線発生層5の面上
を走査しながら照射する。この照射によりX線発生層5
から発生した反射電子や2次電子は、電子線検出器34
により検出される。
In order to obtain an X-ray fluoroscopic image with a resolution of 1 μm, the electron beam diameter must be 1 μm or less. Also, X
The thickness of the line generation layer 5 also needs to be 1 μm or less. The focused electron beam 1 irradiates the deflection coil 33 while scanning the surface of the X-ray generation layer 5. By this irradiation, the X-ray generation layer 5
The reflected electrons and secondary electrons generated from the electron beam detector 34
Detected by.

【0103】同期回路46は、偏向コイル33を駆動す
る偏向信号と電子線検出器34の検出信号を同期させ、
走査電子像を得てディスプレイ47aに表示する。この
ディスプレイ47aに表示された走査電子像を見なが
ら、集束電子線1の焦点をX線発生層5上に合わせる。
The synchronizing circuit 46 synchronizes the deflection signal for driving the deflection coil 33 with the detection signal of the electron beam detector 34,
A scanning electron image is obtained and displayed on the display 47a. The focused electron beam 1 is focused on the X-ray generation layer 5 while observing the scanning electron image displayed on the display 47a.

【0104】この場合、図7の〔実施例 7〕で示した
如く、X線発生層5の上にメッシュを載置すると上記焦
点が合わせやすい。上記焦点を合わせたのち、集束電子
線1は偏向コイル33による偏向を中止し、X線発生層
5の1点を照射しX線4を発生させる。X線4はX線取
り出し窓14より外部に取り出される。
In this case, as shown in [Embodiment 7] of FIG. 7, when a mesh is placed on the X-ray generation layer 5, the focus is easily adjusted. After focusing, the focused electron beam 1 stops the deflection by the deflection coil 33 and irradiates one point on the X-ray generation layer 5 to generate X-rays 4. The X-rays 4 are extracted to the outside through the X-ray extraction window 14.

【0105】このようにして得られたX線源は、その線
源径が小さく、かつ、焦点が微細となっているため、試
料の透過像に半影ぼけが発生せず、解像度の高いX線透
視像が得られる。集束電子線1の照射によりタ−ゲット
Tが損傷を受けた場合、偏向コイル33により集束電子
線1の照射する位置を少しずらさせる。これによりタ−
ゲットTの寿命が伸び、その交換回数を減らすことがで
きる。
The X-ray source thus obtained has a small source diameter and a fine focus, so that penetrative blurring does not occur in the transmission image of the sample and the X-ray source has a high resolution. A fluoroscopic image is obtained. When the target T is damaged by the irradiation of the focused electron beam 1, the irradiation position of the focused electron beam 1 is slightly shifted by the deflection coil 33. With this,
The life of the get T can be extended and the number of times of replacement can be reduced.

【0106】試料48は、ステ−ジ49に載せられX線
発生層5とX線イメ−ジインテンシファイア50との間
の所定の位置に置かれ、微小焦点X線源からのX線の照
射を受ける。試料48を透過したX線は、X線イメ−ジ
インテンシファイア50で可視像に変換される。X線イ
メ−ジインテンシファイア50の出力像は、コリメ−タ
レンズ51とイメ−ジングレンズ53によりCCDカメ
ラ54に結像される。結像された試料像はディスプレイ
47b上に表示される。
The sample 48 is placed on the stage 49 and placed at a predetermined position between the X-ray generating layer 5 and the X-ray image intensifier 50, and the X-ray is irradiated from the microfocus X-ray source. Receive. The X-ray transmitted through the sample 48 is converted into a visible image by the X-ray image intensifier 50. An output image of the X-ray image intensifier 50 is formed on a CCD camera 54 by a collimator lens 51 and an imaging lens 53. The formed sample image is displayed on the display 47b.

【0107】コリメ−タレンズ51とイメ−ジングレン
ズ53の間には、ミラ−52が配設され、光路を曲げる
ことにより検出系を小型化することができる。CCDカ
メラ54は、長時間露光が可能な冷却形CCDカメラを
使用することが感度やダイナミックレンジの点で最適で
ある。CCDカメラ54は、コントロ−ラ55で制御さ
れ、検出像をディスプレイ47に表示する。X線撮像部
はX線イメ−ジインテンシファイア50とCCDカメラ
の組み合わせ以外の検出系でも差し支えないが、この組
み合わせ系は感度が高く、かつ、使いやすい。
A mirror 52 is provided between the collimator lens 51 and the imaging lens 53, and the detection system can be downsized by bending the optical path. As the CCD camera 54, it is optimal to use a cooled CCD camera capable of long-time exposure in terms of sensitivity and dynamic range. The CCD camera 54 is controlled by the controller 55 and displays the detected image on the display 47. The X-ray imaging unit may be a detection system other than the combination of the X-ray image intensifier 50 and the CCD camera, but this combination system has high sensitivity and is easy to use.

【0108】[0108]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、第一に、冷却性が良いという長所を持ち、かつ、
X線の発生領域を小さいX線発生用タ−ゲットを提供す
ることができる。第二に、上記タ−ゲットを使用した高
出力のX線が得られるX線源を提供するができる。第三
は、特性X線を出力するX線源においては、上記タ−ゲ
ットの材質を変更し、容易、かつ、迅速に波長の変更で
きるX線源を提供することができる。第四は、上記X線
源を使用した高解像度のX線撮像装置を提供することが
できる。
As described above in detail, according to the present invention, firstly, it has an advantage of good cooling property, and
It is possible to provide an X-ray generation target having a small X-ray generation region. Secondly, it is possible to provide an X-ray source that can obtain high-power X-rays using the above target. Thirdly, in an X-ray source that outputs characteristic X-rays, it is possible to provide an X-ray source that can easily and quickly change the wavelength by changing the material of the target. Fourthly, it is possible to provide a high resolution X-ray imaging device using the above X-ray source.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る反射形タ−ゲットの断
面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a reflective target according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の一実施例に係る反射形タ−ゲット
の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a reflective target according to another embodiment of the present invention.

【図3】本発明のさらに他の一実施例に係る反射形タ−
ゲットの断面図である。
FIG. 3 is a reflection type target according to still another embodiment of the present invention.
It is sectional drawing of Get.

【図4】本発明のさらに他の一実施例に係る反射形タ−
ゲットの断面図である。
FIG. 4 is a reflection type target according to still another embodiment of the present invention.
It is sectional drawing of Get.

【図5】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説明
図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図6】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説明
図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図7】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説明
図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図8】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説明
図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図9】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説明
図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図10】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説
明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図11】図10のX線源の断面図である。11 is a cross-sectional view of the X-ray source of FIG.

【図12】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説
明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図13】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説
明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図14】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説
明図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図15】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説
明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図16】本発明のさらに他の実施例に係るX線源の説
明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図17】本発明のさらに他の実施例に係るX線源のタ
−ゲットの説明図である。
FIG. 17 is an explanatory diagram of a target of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図18】本発明のさらに他の実施例に係るX線源のタ
−ゲットの説明図である。
FIG. 18 is an explanatory diagram of a target of an X-ray source according to still another embodiment of the present invention.

【図19】本発明のさらに他の実施例に係る高解像度X
線撮像装置の説明図である。
FIG. 19 is a high resolution X according to still another embodiment of the present invention.
It is an explanatory view of a line imaging device.

【図20】従来の透過型薄膜タ−ゲットの断面図であ
る。
FIG. 20 is a cross-sectional view of a conventional transmission type thin film target.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

T タ−ゲット 1 集束電子線 4 X線 5 X線発生層 6 電子線吸収層 7 支持体 8 X線発生体 13 真空容器 14 X線取り出し窓、 15 冷却用パイプ 16 冷媒 17 冷却用フアン 18 電子冷却素子 20 吸熱部 21 回転軸 24 ロ−タ 25 ステ−タ 26 ベアリング 31 フィラメント 32 電子レンズ 33 偏向コイル 34 電子線検出器 40 真空ポンプ 42 気封形X線透過窓 43 加速管 44 コンデンサレンズ 45 対物レンズ 46 同期回路 47a,47b ディスプレイ 48 試料 49 ステ−ジ 50 X線イメ−ジインテンシファイア 51 コリメ−タレンズ 52 ミラ− 53 イメ−ジングレンズ 54 CCDカメラ 55 コントロ−ラ T target 1 Focused electron beam 4 X-ray 5 X-ray generation layer 6 Electron beam absorption layer 7 Support 8 X-ray generator 13 Vacuum container 14 X-ray extraction window, 15 Cooling pipe 16 Refrigerant 17 Cooling fan 18 Electron Cooling element 20 Endothermic part 21 Rotating shaft 24 Rotor 25 Stator 26 Bearing 31 Filament 32 Electron lens 33 Deflection coil 34 Electron beam detector 40 Vacuum pump 42 Airtight X-ray transmission window 43 Accelerator tube 44 Condenser lens 45 Objective Lens 46 Synchronous circuit 47a, 47b Display 48 Sample 49 Stage 50 X-ray image intensifier 51 Collimator lens 52 Mirror 53 Imaging lens 54 CCD camera 55 Controller

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】照射された電子線を吸収しない厚さの薄い
X線発生層と、このX線発生層を透過した電子を吸収す
る電子線吸収層とからなることを特徴とするX線発生用
タ−ゲット。
1. An X-ray generator comprising an X-ray generating layer having a thin thickness which does not absorb an irradiated electron beam and an electron beam absorbing layer which absorbs electrons transmitted through the X-ray generating layer. Target.
【請求項2】X線発生層は複数の材質からなることを特
徴とする請求項1記載のX線発生用タ−ゲット。
2. The X-ray generating target according to claim 1, wherein the X-ray generating layer is made of a plurality of materials.
【請求項3】 微小な焦点のX線を発生するX線発生体
と、前記X線発生体を透過した電子を吸収する電子線吸
収層とからなることを特徴とするX線発生用タ−ゲッ
ト。
3. A target for X-ray generation, comprising an X-ray generator for generating X-rays having a minute focus, and an electron beam absorbing layer for absorbing electrons transmitted through the X-ray generator. get.
【請求項4】 X線発生体は、少なくとも一個からなる
ことを特徴とする請求項3記載のX線発生用タ−ゲッ
ト。
4. The target for X-ray generation according to claim 3, wherein the X-ray generator comprises at least one.
【請求項5】 X線発生体は、複数の材質からなること
を特徴とする請求項3および請求項4記載のX線発生用
タ−ゲット。
5. The target for X-ray generation according to claim 3, wherein the X-ray generator is made of a plurality of materials.
【請求項6】電子線吸収層は、金属の支持体により支持
されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5記
載のいずれかX線発生用タ−ゲット。
6. The target for X-ray generation according to claim 1, wherein the electron beam absorbing layer is supported by a metal support.
【請求項7】 電子線吸収層は銅系の金属板にベリリウ
ム箔を接合して形成し、X線発生層は前記ベリリウム箔
の電子線吸収層にタングステン膜を蒸着して形成した反
射形を特徴とする請求項6記載のX線発生用タ−ゲッ
ト。
7. The electron beam absorption layer is formed by bonding a beryllium foil to a copper-based metal plate, and the X-ray generation layer is a reflection type formed by depositing a tungsten film on the electron beam absorption layer of the beryllium foil. 7. The X-ray generation target according to claim 6.
【請求項8】 照射された電子線を吸収しない厚さの薄
いX線発生層と、前記X線発生層を透過した電子を吸収
する電子線吸収層とからなる反射形X線発生用タ−ゲッ
トと、前記タ−ゲットを前記電子線吸収層側から冷却す
る手段とを有し、前記X線発生層側からX線を取り出す
ように構成したことを特徴とするX線源。
8. A reflection type X-ray generating target comprising an X-ray generating layer having a thin thickness which does not absorb an irradiated electron beam and an electron beam absorbing layer which absorbs electrons transmitted through the X-ray generating layer. An X-ray source having a get and means for cooling the target from the electron beam absorbing layer side, and configured to extract X-rays from the X-ray generating layer side.
【請求項9】 X線発生用タ−ゲットは、その電子線吸
収層を支持体により支持されていることを特徴とする請
求項8記載のX線源。
9. The X-ray source according to claim 8, wherein the X-ray generating target has an electron beam absorbing layer supported by a support.
【請求項10】 電子線吸収層側からX線発生用タ−ゲ
ットを冷却する手段は、電子冷却素子により構成したこ
とを特徴とする請求項8、9記載のいずれかX線源。
10. The X-ray source according to claim 8, wherein the means for cooling the X-ray generating target from the electron beam absorbing layer side is constituted by an electronic cooling element.
【請求項11】 照射された電子線を吸収しない厚さの
薄いX線発生層と、前記X線発生層を透過した電子を吸
収する電子線吸収層とからなるX線発生用タ−ゲット
と、前記タ−ゲットを回転させる手段とを備えたことを
特徴とするX線源。
11. A target for X-ray generation, comprising a thin X-ray generating layer that does not absorb irradiated electron beams and an electron beam absorbing layer that absorbs electrons transmitted through the X-ray generating layer. An X-ray source comprising: a means for rotating the target.
【請求項12】 微小な焦点のX線を発生するX線発生
体と、前記X線発生体を透過した電子を吸収する電子線
吸収層とからなるX線発生用タ−ゲットと、前記タ−ゲ
ットを回転させる手段とを備えたことを特徴とするX線
源。
12. An X-ray generation target comprising an X-ray generator for generating X-rays having a minute focus and an electron beam absorbing layer for absorbing electrons transmitted through the X-ray generator, and the target. An X-ray source, characterized in that it comprises means for rotating the get.
【請求項13】 電子線を偏向する手段とX線発生用タ
−ゲットと前記タ−ゲットからの反射電子,2次電子を
検出する手段とを備え、前記検出手段による走査像によ
り前記電子線の焦点を前記タ−ゲットに合わせる手段と
を備えたことを特徴とするX線源。
13. An electron beam deflecting means, an X-ray generating target, and means for detecting reflected electrons and secondary electrons from the target, the electron beam being detected by a scanning image by the detecting means. X-ray source having means for adjusting the focal point of the target to the target.
【請求項14】 X線発生用タ−ゲットは、そのX線発
生部位に電子線の焦点合せ用メッシュを具備することを
特徴とする請求項13記載のX線源。
14. The X-ray source according to claim 13, wherein the X-ray generation target is provided with an electron beam focusing mesh at its X-ray generation site.
【請求項15】 X線発生用タ−ゲットは、そのX線発
生部位に電子線の焦点合せ用表面模様を具備することを
特徴とする請求項13記載のX線源。
15. The X-ray source according to claim 13, wherein the X-ray generation target is provided with a surface pattern for focusing an electron beam at the X-ray generation site.
【請求項16】 電子線を偏向し回転走査させる手段
と、円環状のX線発生体を具備するX線発生用タ−ゲッ
トとを有し、前記電子線を回転走査させる手段により前
記電子線を回転走査させ、前記X線発生体上のX線発生
点を回転させるように構成したことを特徴とするX線
源。
16. An electron beam having means for deflecting and rotating and scanning an electron beam, and an X-ray generating target having an annular X-ray generator, said means for rotating and scanning the electron beam. The X-ray source is configured to rotate and scan the X-ray generating point on the X-ray generator.
【請求項17】 電子線を偏向する手段と、複数の材質
からなるX線発生体を具備するX線発生用タ−ゲットと
を有し、前記電子線を偏向する手段により前記タ−ゲッ
トに対する電子線の照射位置を変更し発生させる特性X
線を切換えるように構成したことを特徴とするX線源。
17. A means for deflecting an electron beam, and an X-ray generating target comprising an X-ray generator made of a plurality of materials, wherein the means for deflecting the electron beam is applied to the target. Characteristic X that changes the irradiation position of the electron beam to generate
An X-ray source characterized in that it is configured to switch the lines.
【請求項18】 電子線を偏向する手段と複数の材質か
らなるX線発生層を具備するX線発生用タ−ゲットとを
有し、前記電子線を偏向する手段により前記タ−ゲット
に対する電子線の照射位置を変更し発生させる特性X線
を切換えるように構成したことを特徴とするX線源。
18. An electron beam deflecting means and an X-ray generating target having an X-ray generating layer made of a plurality of materials are provided, and an electron for the target is deflected by the electron beam deflecting means. An X-ray source characterized in that the irradiation position of the X-ray is changed to switch the generated characteristic X-ray.
【請求項19】 照射された電子線を吸収しない厚さの
薄いX線発生層と、前記X線発生層を透過した電子を吸
収する電子線吸収層とを有するX線発生用タ−ゲットを
備え、前記タ−ゲットを微細な電子線により照射し前記
X線発生層側からX線を取り出すと共に前記電子線吸収
層側から冷却するX線源と、試料を透視したX線像を表
示するX線イメ−ジインテンシファイアと冷却形CCD
カメラとからなる検出系とから構成したことを特徴とす
るX線撮像装置。
19. An X-ray generating target having a thin X-ray generating layer which does not absorb an irradiated electron beam and an electron beam absorbing layer which absorbs electrons transmitted through the X-ray generating layer. An X-ray source for irradiating the target with a fine electron beam to extract X-rays from the X-ray generation layer side and cooling from the electron beam absorption layer side, and an X-ray image transparent to the sample are displayed. X-ray image intensifier and cooled CCD
An X-ray imaging apparatus comprising a detection system including a camera.
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