Czochralského metóda
Tomuto článku alebo sekcii chýbajú odkazy na spoľahlivé zdroje, môže preto obsahovať informácie, ktoré je potrebné ešte overiť. Pomôžte Wikipédii a doplňte do článku citácie, odkazy na spoľahlivé zdroje. |
Czochralského metóda je metóda pestovania syntetického monokryštalického polovodiča. Zárodok monokryštálu upevnený na ťahacom hriadeli je priložený k tavenine v kremennej nádobe s grafitovým ohrievačom, pričom sa pomaly vyťahuje 5-150 mm.h-1 a rotuje 10-100 ot.min-1 proti smeru rotácie taveniny 5-25 mm.min-1. Celý proces prebieha pri inertnej atmosfére alebo pod ochrannou taveninou, vo vákuovej alebo tlakovej nádobe.
Počas tuhnutia vyťahovanej taveniny majú nečistoty tendenciu ostávať v kvapalnej fáze. Koncentrácia sa mení pozdĺž ťahaného kryštálu, lebo objem kvapaliny sa neustále znižuje. Výsledný monokryštál ma tvar valca. Má približne hyperbolický priebeh koncentrácie nečistôt pozdĺž valca.
Podmienky rastu monokryštálu
[upraviť | upraviť zdroj]- rozhranie medzi monokryštálom a taveninou musí byť chladnejšie ako ostatná tavenina
- možnosť kontroly teploty
- čistý povrch taveniny
- viskozita taveniny
- charakter kryštalografických fázových premien
- osová symetria tepelného prúdu
Najviac sa táto metóda používa pri výrobe Si, Ge a GaAs polovodičov. Nevýhoda je možnosť reakcie nádoby s materiálom.
Galéria
[upraviť | upraviť zdroj]-
Použitá kremenná nádoba na tavenie
-
Kremíkový ťahací hriadeľ
-
Hotový kremíkový monokryštál
-
Použitý kremíkový granulát
Pozri aj
[upraviť | upraviť zdroj]Iné projekty
[upraviť | upraviť zdroj]Commons ponúka multimediálne súbory na tému Czochralského metóda